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标签 > GaN器件
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当前军事与航天领域是氮化镓技术最大的市场。最早就是在美国国防部的推动下,开始了氮化镓技术的研究,慢慢地就行成了现在GaN器件的市场。据统计,军事和航天领...
SOI独特的“Si/绝缘层/Si”三层结构,带来了诸多优势:首先,“绝缘埋层”实现了器件功能有源部分和衬底的全介质隔离,减小了寄生电容,开关频率得以提高。
不同种类的 GaN 可能具有不同的栅极驱动要求,这可能是使用 GaN 组件进行设计时面临的最大挑战之一。
Innergie的AC适配器通过搭载可提高电源系统效率的罗姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”
全球知名半导体制造商ROHM Co,Ltd(以下简称“罗姆”)的650V GaN器件(EcoGaN),被台达电子(Delta Electronics,I...
Tagore Tech和Inventchip联合开发一款500W电源参考设计解决方案
Tagore Technology 与 Inventchip Technology(上海瞻芯电子科技有限公司,简称:瞻芯电子)共同参加业界知名的2024...
NexGen垂直GaN半导体 预计2023年第三季度全面生产
该公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月发布的700V 和 1200V样品。
氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以...
第三代半导体指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和金刚石为代表的化合物半导体,该类半导体材料禁带宽度大于或等于2.2eV,因此也被称...
SRII重磅亮相CICD 2021,以先进ALD技术赋能第三代半导体产业
思锐智能不仅在GaN器件的ALD镀膜上实现了量产化的解决方案,也在持续挖掘ALD技术之于传统硅基,SiC,GaN器件的创新应用潜力。
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