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标签 > HEMT
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GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)作为一种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势,但同时也存在一些缺...
CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2024-09-04 标签:晶体管氮化镓HEMT 164 0
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手册立即下载
类别:IC datasheet pdf 2024-07-31 标签:GaNHEMT 86 0
类别:IC datasheet pdf 2022-03-31 标签:场效应管HEMT 865 0
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高压CoolGaNGITHEMT(高电子迁移率晶体管)可靠性和验证的白皮书共33页,被翻译成中文和日文,主要介绍了英飞凌如何实现CoolGaN技术和器件...
德赢Vwin官网 网报道(文/黄山明)氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)作为新一代的半导体材料,因其禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等特...
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种迅速崭露头角的高频功率器件,具有很高的电子迁移率、大的电子饱...
利用 HEMT 和 PHEMT 改善无线通信电路中的增益、速度和噪声
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CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统
拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识,可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品 英国剑桥 - Cambridge GaN...
CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会),推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
诚邀您于 8 月 29 至 31 日莅临上海新国际博览中心参观 2G18 展位 英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...
CGD 与高品质服务领航者 DigiKey 达成全球分销协议
为建立 GaN 生态系统造福全球工程师迈出重要一步 英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公...
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z...
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