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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

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场效应管开关特性

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小...

2023-02-25 标签：场效应管 FET 半导体器件 947 0

场效应管的工作原理、放大电路及作用

　　场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—J...

2023-02-24 标签：放大电路场效应管晶体管 1.2万 0

增强型场效应管和耗尽型场效应管有什么区别？

场效应管中，随着Ugs的增加，在靠近二氧化硅绝缘体的P型衬底表面缺少多子，形成了耗尽层。

2023-02-21 标签：场效应管晶体管 FET 3673 0

FET和BJT放大电路的比较分析

FET和BJT都有两个PN结，3个电极。有如下的对应关系。

2023-02-21 标签：放大电路 MOS管 FET 5075 0

FET差分式放大电路的工作原理

Vi1和Vi2大小相等，相位相反，使Id1增加量和Id2减小量抵消，流过恒流源的变化电流为零，所以在电流源内阻r0上交流压降为零，可看为交流短路到地。

2023-02-21 标签：电路图 FET 差分放大电路 7760 0

用更多选择回应积极的反馈

为了提供这种灵活性，UnitedSiC 提供了额外的第 4 代 750V SiC FET，导通电阻为 23、33 和 44 毫欧，以及 6、9 和 11...

2023-02-21 标签：FET SiC 计算器 191 0

如何区分HBT、PHMET和MESFET

PHMET是继MESFET之后最适合用于低噪放设计的管子。FET中的主要噪声源是热杂散，主要是由于管子的通道中的载流子的随机运动造成的。载流子的随机运动...

2023-02-20 标签：电容 FET HBT 2887 0

简述MOSFET基本原理（下）

在介绍MOSFET之前，我们先来了解一下FET的工作原理。FET又叫做场效应管，有N沟道和P沟道两种（沟道就是其中载流子流过的通道），

2023-02-20 标签：MOSFET 半导体 FET 892 0

场效应管的测量方法场效应管的注意事项

　　场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点...

2023-02-17 标签：半导体场效应管 FET 4229 0

场效应管电路设计基础知识

FET广泛用于分立式和IC电路，提供电压增益和高输入阻抗。

2023-02-17 标签：场效应管电路设计晶体管 1050 0

碳化硅FET具有最快的开关速度或边沿速率

功率转换器中不同技术的宽带隙半导体通常通过哪种具有最快的开关速度或边沿速率进行比较。

2023-02-17 标签：转换器 emi FET 556 0

SiC FET改进和应用程序挑战

从人类的角度来看，几代人过得很慢，在人们的记忆中，从“婴儿潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，现在奇怪的是“A”。我想他们只是用完了字母。然而，在半导体...

2023-02-17 标签：FET SiC GaN 298 0

简述MOSFET的基本原理（下）

在介绍MOSFET之前，我们先来了解一下FET的工作原理。FET又叫做场效应管，有N沟道和P沟道两种（沟道就是其中载流子流过的通道）

2023-02-06 标签：MOSFET 场效应管 FET 1080 0

简述MOSFET的基本原理（上）

**半导体是如何实现导电的？** 物质能否导电取决于构成物质的原子结构中是否存在自由电子（负电荷）或者空穴（正电荷），统称为载流子。导电能力的大小...

2023-02-06 标签：MOSFET 半导体 FET 468 0

FET与BJT的比较 FET的分类介绍

　　FET的全称是场效应晶体管(Field Effect Transistor)，和BJT不同，FET的核心工作原理是：通过在半导体上施加一个电场来改变...

2023-02-03 标签：MOSFET 晶体管 FET 6809 0

讨论实现4轨道单元的路由技术

由于扩展 CPP 和 M2P 变得越来越困难，设计技术协同优化 (DTCO) 在使用减少轨道等技术进行扩展时变得越来越重要。

2023-02-01 标签：反相器 FET 触发器 923 0

为什么FeFET变得如此有趣？

随着芯片制造商寻找新的选择来维持驱动电流，铁电体正在接受认真的重新考虑。

2023-01-29 标签：电容器 DRAM 存储器 817 0

关于mos管的基础知识

主要是讲一下关于mos管的基础知识，例如：mos管工作原理、mos管封装等知识。

2023-01-29 标签：封装 MOS管晶体管 4420 0

盘点MOS管传输特性曲线的细微之处

这样描述可能不直观。我们看下N沟道-JFET的构造，如下图所示，栅极和源极之间就是一个耗尽层（PN结）。

2023-01-29 标签：场效应管 MOS管负电压 2929 0

IGBT的工作原理和退饱和 IGBT的电感短路和直通短路

为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+...

2023-01-17 标签：MOSFET 电感 IGBT 1.8万 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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