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标签 > SiGe
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SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用及GAA结构中的作用
本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。 在现代半导体技术中,随着器件尺寸的不断缩小,传统的硅基材料逐渐难以满足高...
利用氧化和“转化-蚀刻”机制对富锗SiGe的热原子层蚀刻 引言
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来,原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术...
来源:内容来自「驭势资本」,谢谢。 半导体封装基础 半导体制造工艺流程 半导体制造的工艺过程由晶圆制造(Wafer Fabr ication)、晶圆测试...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移动扬声器介绍
本期Digi-Key Daily向大家推介两款产品——Nexperia的CFP封装SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移动系列扬声器。 1 产品...
格芯(GLOBALFOUNDRIES)公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图,这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5G应用...
美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)日前推出世界首款单晶片硅锗(SiGe)RF前端(FE)器件L...
据IEEE报道,来自IMEC的Hans Mertens研究小组,使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管,未来经过技术改进有可...
格罗方德推出性能增强型130nm硅锗射频技术,以促进下一代无线网络通信发展
格罗方德半导体(GlobalFoundries)于今日宣布针对硅锗(SiGe)高性能技术组合,推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解决方...
型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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SE7351L-T | SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
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SE7351L-AK3 | SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
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SE7265L-R | SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
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SE7265L-EK1 | SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
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SE7262L-EK1 | SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc. |
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