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标签 > 功率场效应管
功率场效应管一般指功率MOS场效应晶体管,功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
功率MOS场效应晶体管的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。
功率场效应管是一种可控硅晶体管,它是一种由金属氧化物半导体构成的三极管,具有较低的额定电压、较大的漏电流和较慢的开关速度等特点。
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