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标签 > 栅极晶体管
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近日,东芝研发出新款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶体管(RC-IEGT)。经测试证实,相比于传统单栅极结构,该产品在导通关断时的总功耗(开关...
半导体工艺的开发绝非易事,每一代器件研发的难度和成本在不断提升。用传统的先构建再测试的方法来开发最先进的工艺过于耗时且成本过高,如今已经不再适用。
Intel将在2023年推出5nm GAA工艺,重回领导地位指日可待!
FinFET晶体管随后也成为全球主要晶圆厂的选择,一直用到现在的7nm及5nm工艺。
近日公布2011年“科技创新奖”,英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变
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