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摘要：本文提供3.5GHz无线本地环路(WLL)收发信机射频芯片的框图。MAX2645 SiGe低噪声放大器(LNA)提供25dB数字逻辑控制的增益步进。MAX2684可从1GHz上变频或者下变频到1GHz中频。MAX2620是一款具有双缓冲输出的压控振荡器(VCO)。VCO缓冲放大器MAX2472和MAX2473具有高的反向隔离度以及保持谐波分量在-25dBc。
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MAX2645射频芯片具有逻辑电平增益控制，可提供25dB步进衰减，这样可以改善在高输入信号电平情况下的IIP3性能。供电电流从高增益模式的9mA减少至3mA的低增益模式。LNA也具有逻辑控制关断模式，供电电流可减少至小于0.1µA。请参考快速浏览MAX2645数据资料SiGe LNA获取更详细的信息。
MAX2683/MAX2684射频芯片具有内部可调的偏置控制，可用单个电阻设置，允许用户在供电电流与线性之间折衷以优化系统的性能。这两款射频芯片是用双平衡的Gilbert单元结构，具有单端RF和LO输入以及差分集电极开路的IF输出端口。差分IF端口为单端或者差分应用提供宽带、灵活的接口。
MAX2683/MAX2684射频芯片工作电压为单电源+2.7V至+5.5V。为了在3.5GHz工作获得最佳性能，这两款芯片采用16引脚、具有裸露焊盘的TSSOP-EP封装。请参考快速浏览MAX2683/MAX2684数据资料获取详细信息。
MAX2680/MAX2681/MAX2682射频芯片工作电压为单电源+2.7V至+5.5V，可使用3节NiCd电池组或者单节锂离子电池供电。这三款射频芯片提供宽范围的供电电流和输入交调(IIP3)电平值用于优化系统性能。另外，每款芯片具有低功耗关断模式，在关断模式中工作电流典型值低于0.1µA。参考MAX2680/MAX2681/MAX2682数据资料获取IIP3和工作电流的性能资料。
MAX2680/MAX2681/MAX2682射频芯片使用高频、低噪声、先进的SiGe工艺生产，采用节省空间的6引脚SOT23封装。
MAX2690具有差分IF端口，提供良好的线性和低的本振泄漏，同时也与使用差分中频滤波器的应用(比如CDMA蜂窝电话)兼容。混频器噪声系数在900MHz上为10dB。
MAX2690在VCC = 3V时消耗16mA电流，可使用+2.7V至+5.5V电源工作。逻辑控制关断模式减小供电电流至1µA，因此适用于使用电池工作的设备。这款芯片采用微型10引脚µMAX封装。请参考快速浏览MAX2680/MAX2681/MAX2682数据资料获取详细的信息。
这几款射频芯片提供宽范围的供电电流和输出交调电平值用于优化系统性能。供电电流在指定的电压范围内为常量。另外每款芯片均具有关断模式，在该模式中工作电流典型值低于1mA。
MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671射频芯片采用节省空间的6引脚SOT23封装。需要平衡IF端口的应用可以选择8引脚µMAX封装的MAX2673。请参考快速浏览MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673数据资料获取详细信息。
调谐电路的电感与变容二极管片内集成，极大地简化了芯片的应用。另外，振荡器中心频率以及频率范围在出厂时预置以保证相对控制电压的频率范围。外部调谐电压控制振荡器频率。输出信号经过放大器缓冲(仅使用电容便可匹配到50Ω)以便提供更高的输出功率以及使芯片与负载阻抗变化隔离。
MAX2622/MAX2623/MAX2624可使用+2.7V至+3.3V电源工作，仅需要9mA供电电流。在关断模式，供电电流减少至0.1µA。请参考快速浏览MAX2622/MAX2623/MAX2624数据资料获取详细信息。
MAX2472/MAX2473射频芯片均可使用+2.7V至+5.5V电源工作。VCC = +3.0V和-25dBm输入功率时，MAX2472消耗5.2mA电流，而MAX2473仅消耗2.7mA电流。这两款射频芯片均采用节省空间的微型6引脚SOT23封装。请参考快速浏览MAX2472/MAX2473数据资料获取详细的信息。
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MAX2645：3.4GHz至3.8GHz SiGe低噪声放大器/PA前置驱动器/VCO缓冲器
MAX2645是一款功能多样的、低噪声、高线性放大器，设计用于3.4GHz至3.8GHz无线本地环路(WLL)、无线宽带接入和数字微波无线应用。这款射频芯片具有一个外部可调的偏置控制，可使用一个电阻设置，允许用户在减小电流消耗的同时并满足最低的线性度要求。该射频芯片的高增益、低噪声性能以及可调的输入三阶交调点(IIP3)性能可用作接收机中的低噪声放大器LNA、高IP3放大器、发射机中的PA前级驱动器或者本振(LO)缓冲器。MAX2645射频芯片具有逻辑电平增益控制，可提供25dB步进衰减，这样可以改善在高输入信号电平情况下的IIP3性能。供电电流从高增益模式的9mA减少至3mA的低增益模式。LNA也具有逻辑控制关断模式，供电电流可减少至小于0.1µA。请参考快速浏览MAX2645数据资料SiGe LNA获取更详细的信息。
| Application Circuit |
Supply Current (mA) |
Gain (dB) |
Noise Figure (dB) |
Input IP3 (dBm) | ||||
|
High Gain Mode |
Low Gain Mode |
High Gain Mode |
Low Gain Mode |
High Gain Mode |
Low Gain Mode |
High Gain Mode |
Low Gain Mode | |
| Low NF LNA |
9.2 |
2.7 |
14.4 |
-9.7 |
2.3 |
15.5 |
+4 |
+13 |
| High IIP3 LNA |
9.2 |
2.7 |
14.9 |
-10.7 |
2.6 |
16 |
+10.0 |
+15.5 |
| PA Predriver |
12 |
3.6 |
15.2 |
-9.7 |
2.6 |
16 |
+11.8 |
+16.2 |
MAX2683/MAX2684：3.5GHz下变频器和上变频器，均具有可选择的LO倍频器
MAX2683/MAX2684是专用于3.4GHz至3.8GHz频段无线本地环路和数字微波无线(DMR)应用的超高性能、低成本射频芯片。MAX2683优化为下变频到100MHz至400MHz的中频，允许高端和低端的本振(LO)注入。MAX2684优化为变频到800MHz至1000MHz的中频，允许低端本振注入。逻辑电平控制可使能两款芯片内部的倍频器，这样允许外部的本振信号源工作在全频率或者1/2频率上。内置本振滤波器可减少LO谐波分量和杂波混频。请参考应用笔记"MAX2683低成本高性能3.5GHz上变频器"中MAX2683/MAX2684作为上变频器的性能和应用信息。MAX2683/MAX2684射频芯片具有内部可调的偏置控制，可用单个电阻设置，允许用户在供电电流与线性之间折衷以优化系统的性能。这两款射频芯片是用双平衡的Gilbert单元结构，具有单端RF和LO输入以及差分集电极开路的IF输出端口。差分IF端口为单端或者差分应用提供宽带、灵活的接口。
MAX2683/MAX2684射频芯片工作电压为单电源+2.7V至+5.5V。为了在3.5GHz工作获得最佳性能，这两款芯片采用16引脚、具有裸露焊盘的TSSOP-EP封装。请参考快速浏览MAX2683/MAX2684数据资料获取详细信息。
MAX2680/MAX2681/MAX2682/MAX2690：400MHz至2.5GHz低噪声(SiGe)下变频器
MAX2680/MAX2681/MAX2682/MAX2690微型的、低成本、低噪声下变频器设计用于低电压工作，非常适合在手提通信设备中使用。射频输出端口信号通过双平衡混频器与本振(LO)端口的信号相混频。这四款下变频器射频输入频率可工作在400MHz至2500MHz，下变频到10MHz至500MHz的中频输出频率。MAX2680/MAX2681/MAX2682射频芯片工作电压为单电源+2.7V至+5.5V，可使用3节NiCd电池组或者单节锂离子电池供电。这三款射频芯片提供宽范围的供电电流和输入交调(IIP3)电平值用于优化系统性能。另外，每款芯片具有低功耗关断模式，在关断模式中工作电流典型值低于0.1µA。参考MAX2680/MAX2681/MAX2682数据资料获取IIP3和工作电流的性能资料。
MAX2680/MAX2681/MAX2682射频芯片使用高频、低噪声、先进的SiGe工艺生产，采用节省空间的6引脚SOT23封装。
MAX2690具有差分IF端口，提供良好的线性和低的本振泄漏，同时也与使用差分中频滤波器的应用(比如CDMA蜂窝电话)兼容。混频器噪声系数在900MHz上为10dB。
MAX2690在VCC = 3V时消耗16mA电流，可使用+2.7V至+5.5V电源工作。逻辑控制关断模式减小供电电流至1µA，因此适用于使用电池工作的设备。这款芯片采用微型10引脚µMAX封装。请参考快速浏览MAX2680/MAX2681/MAX2682数据资料获取详细的信息。
MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673：400MHz至2.5GHz上变频器
MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673微型、低成本、低噪声上变频器设计用于低电压工作，适用于手提消费类设备中。IF输入端口信号通过双平衡混频器与本振端口信号混频。这几款上变频器中频输入频率可工作在40MHz至500MHz之间，上变频到输出频率2.5GHz。这几款射频芯片提供宽范围的供电电流和输出交调电平值用于优化系统性能。供电电流在指定的电压范围内为常量。另外每款芯片均具有关断模式，在该模式中工作电流典型值低于1mA。
MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671射频芯片采用节省空间的6引脚SOT23封装。需要平衡IF端口的应用可以选择8引脚µMAX封装的MAX2673。请参考快速浏览MAX2660/MAX2661/MAX2663/MAX2671/MAX2673数据资料获取详细信息。
MAX2620：10MHz至1050MHz带有缓冲输出的VCO
MAX2620 VCO在低噪声振荡器内集成了两个输出缓冲器，采用低成本、塑料表贴、超小µMAX封装。这款芯片集成了分立器件可实现的功能。当与外部变容管调谐的谐振回路谐振时振荡器可表现出非常低的相位噪声。两个缓冲输出可驱动混频器或者预分频器。缓冲器提供负载与振荡器之间隔离，并且防止因为负载阻抗变化时振荡器频率的牵引。在工作(VCC = 3.0V)时功耗典型值仅为27mW，待机模式下降至0.3µW。MAX2620可工作与单电源电压+2.7V至+5.25V。请参考快速浏览MAX2620数据资料获取详细信息。MAX2622/MAX2623/MAX2624：单片压控振荡器(VCO)
MAX2622/MAX2623/MAX2624内部包含压控振荡器(VCO)，在微型的8引脚µMAX封装中将一个集成振荡器和输出缓冲器结合在一起。调谐电路的电感与变容二极管片内集成，极大地简化了芯片的应用。另外，振荡器中心频率以及频率范围在出厂时预置以保证相对控制电压的频率范围。外部调谐电压控制振荡器频率。输出信号经过放大器缓冲(仅使用电容便可匹配到50Ω)以便提供更高的输出功率以及使芯片与负载阻抗变化隔离。
MAX2622/MAX2623/MAX2624可使用+2.7V至+3.3V电源工作，仅需要9mA供电电流。在关断模式，供电电流减少至0.1µA。请参考快速浏览MAX2622/MAX2623/MAX2624数据资料获取详细信息。
MAX2472/MAX2473：500MHz至2500MHz VCO缓冲放大器
MAX2472/MAX2473射频芯片为功能多样的、宽带、高反向隔离缓冲放大器。MAX2472具有双集电极开路输出，能够为50Ω提供-5dBm功率，同时保证谐波抑制低于-25dBc。MAX2473具有单端集电极开路输出，偏置控制引脚提供-10dBm至-2dBm功率，同时保持低于-25dBc的谐波抑制。MAX2472/MAX2473结合了高反向隔离和低工作电流特点，适用于需要低功耗、高性能的应用。射频芯片具有高输入阻抗和集电极开路输出，配置灵活多变，可使用在各种结构的振荡器中。MAX2472/MAX2473射频芯片均可使用+2.7V至+5.5V电源工作。VCC = +3.0V和-25dBm输入功率时，MAX2472消耗5.2mA电流，而MAX2473仅消耗2.7mA电流。这两款射频芯片均采用节省空间的微型6引脚SOT23封装。请参考快速浏览MAX2472/MAX2473数据资料获取详细的信息。
µMAX是Maxim Integrated Products, Inc.的注册商标。
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