转变，不少专注GaN器件的Fabless公司正在 有着越来越大的影响力。 器件设计 GaN器件设计根据类型我们可以分为三个部分，分别是：射频、功率和光电子，这次主要关注的是射频以及功率方面的应用。 GaN射频器件设计 GaN射频器件主要可以分为三种：大
2022-07-18 01:59:45
4002 基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器阶段提供的优势。
2022-07-27 14:03:561602 
与所有Microchip 的GaN射频功率产品一样，新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造，提供了高功率密度和产量的最佳组合，可在高压下运行，255℃结温下使用寿命超过100万小时。
2021-12-02 14:09:211347 
需要临界偏置网络才能正常工作。这种电力系统配置通常用于数据中心。更新的发展是增强型GaN FET或eGaN。这是绝缘门品种。像所有的GaN器件一样，它们提供了更高速度的切换，更高的电压操作和改善散热
2017-05-03 10:41:53
日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
qualification recipe）即可。由于长期的业界经验和可靠性模型的验证，人们现在可以接受将基于标准的测试用于硅材料的做法，不过也有例外的情况。功率金属氧化物半导体场效应晶体管
2018-09-10 14:48:19
和GaN的特性比较 氧化镓（GaO）是另一种带隙较宽的半导体材料，GaO的导热性较差，但其带隙（约4.8 eV）超过SiC，GaN和Si，但是，GaO在成为主要动力之前将需要更多的研发工作。系统参与者
2022-08-12 09:42:07
。GaN器件尤其在高频高功率的应用领域体现了其独特的优势，其中，针对GaN功率器件的性能特点，该器件可被用于适配器、DC-DC转换、无线充电、激光雷达等应用场合。
图1 半导体材料特性对比
传统的D类
2023-06-25 15:59:21
我想大多数听众都已经了解了GaN在开关速度方面的优势，及能从这些设备中获得的利益。缩小功率级极具吸引力，而更高的带宽则更是锦上添花。电力工程师已考虑在正在开发的解决方案中使用GaN这一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
更多是数字电源控制已准备好迎接GaN。因此，随着GaN继续开发，并应用于高密度和高性能电源解决方案，我们不必等待开发控制器时要借助GaN带给行业的优势。因此，这就是“准备就绪”的含义：它是指“现在就开始
2018-08-30 15:05:41
提供多个控制环路和保护电路，而这些控制环路与保护电路能够管理所有GaN的缺陷和不足。对我而言，“GaN已经为数字电源控制做好准备”大体涵盖了上面提到的内容，此外，这句话也意味着数字电源也为GaN
2018-09-06 15:31:50
、医疗和汽车等方面的射频能量应用。最近，就磁控管作为加热源而言，固态器件的出现为之提供了一种可行的替代、提高技术，它具有几个关键性的优势：更长的使用寿命、增强了可靠性、可精确控制射频功率水平及其投射方向
2017-04-05 10:50:35
系统成本上的优势将能越来越多地可以抵消GaN器件所需增加的额外成本。随着GaN器件的可靠性和在服务成本上节省效应变得越来越令人信服，我们预计它的初始推动力将主要来自于高端工业、商业的烹饪和解冻市场。当
2017-04-17 18:19:05
对整体射频能量系统效率的推荐值为60%。人们普遍认为，GaN器件是能够实现这一目标的唯一途径，中国目前正在考虑采用将其作为能源效率的标准，这将是个相当重要的决定，因为中国制造的微波炉已约占世界总产量
2017-04-18 15:02:44
效率、紧凑尺寸和可靠性等方面取得恰当的平衡，在价格上能与 LDMOS器件相媲美，才能进入到主流的市场应用中。固态器件的优势MACOM公司的硅上GaN 技术是所有这些射频能量应用的理想选择，它能
2017-05-01 15:47:21
上要优于传统的磁控管，包括在烹调过程中能对炉内的射频功率电平和射频能量投射方向进行更高的精度的控制。而今的微波炉对其功率电平或射频能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，这将导致产生过度加热部位和过度烹饪的结果。那么大家知道GaN是如何转换射频能量的？如何在烹饪中的应用的吗？
2019-07-31 06:04:54
`网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件，这使得市场对于射频氮化镓（GaN）器件的需求不断升温。举个例子，现在的无线基站里面，已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件，在
2016-08-30 16:39:28
Zhang则表示：“与之前的半导体工艺相比，GaN的优势在更高的功率密度及更高的截止频率。在5G高集成的Massive MIMO应用中，它可实现高集成化的解决方案，如模块化射频前端器件。在毫米波应用上，GaN
2019-12-20 16:51:12
下降沿电流检测同相与腿分流器在用于电机驱动的逆变器中使用分立式 eGaN FET 或 GaN ePowerTM 级 IC 时，通常将同相电流分流器与隔离（功能或电流）IC 一起使用，以提取分流电阻器上
2022-03-25 11:02:29
和高频场效应晶体管(FET)。WBG 材料以其优异的电学特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高频电子器件的局限性。更重要的是，WBG 半导体可用于可扩展的汽车电气系统和电动汽车(电动汽车
2022-06-15 11:43:25
GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52:21
MACOM六十多年的技术传承，运用bipolar、MOSFET和GaN技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
：“ST的晶圆制造规模和卓越的运营能力将让MACOM和ST能够推动新的射频功率应用，在制造成本上取得的突破有助于扩大硅上氮化镓市场份额。虽然扩大现有射频应用的机会很有吸引力，但是我们更想将硅上氮化镓用于
2018-02-12 15:11:38
系统等各种应用之中。商业OEM将固态射频能量作为高效、精确的能源，可使未来几代产品实现全新的性能水平和承受能力。 MACOM全新射频能量工具包优势解析MACOM的全新射频能量工具包（测试版）现已推出
2017-08-03 10:11:14
意味着基于GaN的功率放大器（PA）芯片需求将出现飞跃增长。从2G、3G到4G时代，智能手机支持的制式越来越多，射频前端走向集成化已成为必然。因为智能手机对 2G、3G 和 4G 模式的支持，需要
2017-07-18 16:38:20
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
的地方找到用武之地。因为它能够在保持或提升效率的同时，使电源更小巧。目前，GaN正被设计用于电子电源中，电子电源将电力在交流和直流形式间进行转换，改变电压电平，并执行一定的功能来确保洁净电能的可用性
2018-09-11 14:04:25
设计的生态系统。GaN将在电源密集的地方找到用武之地。因为它能够在保持或提升效率的同时，使电源更小巧。目前，GaN正被设计用于电子电源中，电子电源将电力在交流和直流形式间进行转换，改变电压电平，并执行一定的功能
2018-09-10 15:02:53
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面对GaN在测试方面的挑战？
2021-05-06 07:52:03
的某些特性。在汽车中，飞行时间（TOF）通常用于确定范围。LIDAR的精度和分辨率取决于各种因素，包括开关频率和激光信号的清晰度。短脉冲激光是皮质的，以确保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驱动器演示
2019-11-11 15:48:09
目睹GaN 在4G 基站方面的优势，在这一领域中，GaN 已经开始替代硅LDMOS。对于5G 来说，GaN 在高频范围内工作的能力有助于其从基站演变至小型蜂窝应用，从而进入移动设备。越过基础设施：将
2017-07-28 19:38:38
作为高性能射频解决方案提供商，飞思卡尔射频部门遍布世界各地。广泛的器件适用范围、领先的封装、能够同时提供LDMOS、GaN和GaAs器件是其射频产品的主要优势。
2019-08-28 06:09:03
可控的热源和功率源所具有的诸多优势，该技术有着不可估量的市场机会，不仅能够改善现有的射频能量应用，而且有助于开发新的能量应用。固态射频能量可广泛应用于微波炉、汽车点火、照明系统，以及包括射频等离子照明
2018-08-21 10:57:30
MOSFET相比，GaN的优势包括：低输入和输出电容，减少开关损耗，实现更快的开关频率。接近0的反向恢复电荷，无反向恢复损耗，降低D类逆变器/放大器的损耗。由于较低的栅极-漏极电容，大大降低了开关损耗
2019-07-29 04:45:02
。这些优势正是当下高功耗高密度系统、服务器和计算机所需要的，可以说专家所预测的拐点已经到来！时下，多个厂商正在大量的生产GaN器件，这些GaN器件正在被应用于工业、商业甚至要求极为严格的汽车领域的电力
2019-06-21 08:27:30
和存储也需要功率变换，因此GaN的效率优势可发挥关键性作用。在可再生能源规划中，通常是采用智能电网的方式存储能源。如果可以在风力涡轮机静止时或太阳能帆板不再吸收阳光时，更高效地将电能转入和转出大储量
2019-03-01 09:52:45
参数（也称为S参数）应用于直接射频采样结构的设计。 起决定性作用的S参数 S参数就是建立在入射微波与反射微波关系基础上的网络参数。它对于电路设计非常有用，因为可以利用入射波与反射波的比率来计算诸如
2022-11-10 06:40:21
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢？
2019-07-31 06:53:15
的功效，可以减少运营商的巨额电费，减轻散热问题。为了更加详细地探讨这些优势，我将讨论 GaN on SiC在无线网络演进的各个阶段可能发挥的作用，先从载波聚合开始，然后是4.5G，最后为5G。 近期
2018-12-05 15:18:26
氮化镓(GaN)和射频(RF)能量应用为工业市场带来重大变革。以前分享过氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程，接下来在日常生活中的射频能量系列中分享下氮化镓如何用于工业加热和干燥。从工业角度
2018-01-18 10:56:28
广泛应用于商业、工业和医疗领域的射频能源应用，这预示着激动人心的变化，这些变化将影响到我们所有人，甚至可能延长我们的生命。当我们与合作伙伴和客户合作以将这些变革性技术引入主流时，请务必及时了解
2017-12-27 10:48:11
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
应用市场，GaN器件的市场份额将逐渐提高。长期来看，在宏基站和回传领域，凭借高频高功率的性能优势，GaN将逐渐取代LDMOS和GaAs从而占据主导位置；在射频能量领域，LDMOS凭借高功率低成本优势
2019-04-13 22:28:48
请问一下SiC和GaN具有的优势主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiC基GaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能：Ka频段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34
建模角度来看，所有Modelithics Qorvo GaN 模型都内置环境温度和自热效应。某些模型还具有通道温度感应节点，允许设计人员在射频设计阶段监测预估的通道温度。
2018-08-04 14:55:07
以前，GaN还是反射频电子战(CREW)应用的首选技术；
现在，GaN已被部署到机载电子战领域；
未来，GaN将会越来越多的用于工作在毫米波频率的系统。
2017-09-18 06:55:007615 氮 化镓（GaN）这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓（GaAs）和LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件变成昨日黄花？看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会
2017-11-09 11:19:40
1 镓(Ga)是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。GaN-on-SiC在射频
2017-11-22 10:41:028545 随着氮化镓（GaN）技术在射频（RF）中的应用逐渐增多以及LTE基站在中国的广泛部署，射频氮化镓的市场规模在2015年增长将近50%。
2018-04-23 11:53:001218 典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33:0610616 本次会议将介绍恩智浦用差异化的GaN技术，推出的面向蜂窝通讯频段高功率产品应用（包括全蜂窝通讯频段射频功率产品组合）。
2019-01-09 07:26:003102 
在射频和功率应用中，氮化镓（GaN）技术正日益盛行已成为行业共识。GaN器件分为射频器件和电力电子器件，射频器件产品包括PA、 LNA、开关器、 MMIC等，面向基站卫星、雷达等市场；电力电子器件
2019-02-03 12:54:0011329 目前，氮化镓（GaN）技术已经不再局限于功率应用，其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透，而且对射频/微波行业的影响越来越大，不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。
2019-02-13 09:16:015797 目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备，如手机端的功率放大器（PA）和低噪声放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射频（RF）开关主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-02-14 10:49:381650 自从20年前第一批商用产品问世，GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并且，正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时
2019-05-09 10:25:184319 
安森美半导体提供各种器件用于这些网络基站的射频（RF）前端，如用于氮化镓(GaN)系统的NLHV4157N，通过GaN晶体管与接地点之间的负电压和信号交换放电。
2019-07-10 08:56:517020 
对于电容参数的描述，ASM GaN 是应用场效应板来解决的。当然，模型开发出来后，需要和真正的器件进行对比，比如用于PA和功率转换等。
2019-09-08 09:44:435685 
根据分析机构 Yole 的数据显示，英特尔和 Macom 在射频的GaN-on-Si 专利领域处于领先地位。
2020-03-01 19:45:152726 氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。但对于手机而言，氮化镓材料还有很多难题需要解决。网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件，这使得市场
2020-10-09 10:44:001 知名市场分析机构 Yole Développement（Yole）在其报告中表示，在过去的几年中，射频（RF）应用由于 GaN 技术的实施而得到了推动。但 GaN RF 市场的主要驱动力仍然是电信
2020-09-17 17:10:30864 
氮化镓（GaN）为从RF-IC到众多功率控制IC（例如通信，能源和军事应用中使用的大功率HEMT）等各种模拟微芯片提供了显着的性能优势。GaN还是高能效固态照明中使用的高亮度LED的首选材料。 但是
2021-04-04 06:17:001404 
GaN在基站中的应用比例持续扩大，市场增速可观。预计2022年全球4G／5G基站市场规模将达到16亿美元，值得关注的是，用于5G毫米波频段的射频前端模块年复合增长率将达到119％，用于
2020-12-21 13:54:241662 IR-HiRel氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容
2021-08-27 11:40:032515 ，特别适用于5G射频和高压功率器件。 据集邦咨询（TrendForce）指出，因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源等需求逐步提升，预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率领域营收
2021-05-03 16:18:0010175 
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙材料，在高功率射频 (RF) 应用中具有显着优势。
2021-07-05 14:46:502779 
GaN是一种III／V直接带隙半导体，通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。受电信基础设施和国防两个方向应用推动，加上卫星通信、有线宽带和射频功率的需求增长
2022-04-18 11:10:142079 
作者研究了四个商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之间的宽温度范围内的性能。据作者介绍，正如原始文章中所报道的，所有测试的器件都可以在低温下成功运行，性能整体有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技术意味着器件栅极控制的显着变化。
2022-07-25 09:20:28933 
) 和氮化镓 (GaN)。在这些潜在材料中，GaN 或氮化镓正变得被广泛认可和首选。这是因为 GaN 晶体管与材料对应物相比具有多个优势。
2022-07-29 15:00:301363 在上一届Nexperia Power 现场活动中，许多行业领袖讨论了与氮化镓技术相关的不同话题。作为一种材料，在许多应用中，GaN 似乎比硅具有显着的内在优势。显然有许多市场应用受益于 GaN，包括消费、汽车和航天工业中的电源转换器。
2022-08-03 15:32:411197 
传统的 AC-in 架构，GaN 可用于高频软开关拓扑。对于功率因数校正 (PFC) 级，传统的硬开关、低频 (47 kHz) 升压升级为软开关 MHz“图腾柱”，DC-DC 级也以类似方式升级
2022-08-04 09:35:21788 
GaN 的普及根植于其高电源和高电压功能。这些特性使其适用于许多应用，包括微波射频 (RF) 和功率开关应用。
2023-01-29 12:15:32180 ，经过一系列的滤波，放大等复杂信号处理和分析，根据回波信号的时延、多普勒频移、到达角和幅度，判断目标物的姿态、距离、速度和方位角等信息，从而用于搭载设施侦察、制导、火控等功能。
2023-02-02 17:32:33540 GaN：由镓（原子序数 31） 和氮（原子序数 7） 结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。
2023-03-22 09:58:124734 GaN是第三代半导体材料，具有许多传统硅半导体所不具备的优良特性，因此被视为新一代半导体技术，具有非常广阔的应用前景。随着 GaN功率器件技术的成熟， GaN功率器件已广泛应用于数据中心、通讯基站
2023-04-21 14:05:42831 由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212337 
氮化镓（GaN）是用于在干扰器中构建RF功率放大器（PA）的主要技术。GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频半导体技术高 20 倍。这不仅是GaN的高温可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干扰设备能够满足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
GaN为何物？应用于新一代电力电子的GaN相比于传统的Silicon有何优势？ GaN, 全名氮化镓（Gallium Nitride），是一种半导体材料，被广泛用于新一代电力电子设备中。相比传统
2023-11-07 10:21:41270 以GaN为代表的第三代半导体具有高击穿电场，高电子饱和速度，高频和高功率等特性，在射频和电力电子器件领域具有巨大的性能优势。
2023-12-09 10:28:39747 
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