英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计
2012-07-15 01:23:46
1266 GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52:21
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2019-06-26 07:33:30
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言，为这些
2019-07-05 06:56:41
为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言，为这些
2019-07-09 08:17:05
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
Open RAN（O-RAN）发展势头强劲，在全球迅速普及，恩智浦通过打造增强型参考设计，助力5G O-RAN的快速部署。这包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解决方案（称为
2023-02-28 14:06:45
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管按工作频率分类 晶体管按
2010-08-12 13:59:33
，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5k
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体管，可以选用特征频率范围在30~300MHZ的高频晶体管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 09:41:49
500W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双极
2021-04-01 10:29:42
至少800W的峰值脉冲功率。 该双极晶体管利用金金属化系统来实现最大的可靠性。 发射极镇流电阻集成在有源电池中，可实现最佳的热分布和最大的可靠性。 所有设备都针对大信号RF参数进行了100％筛选。硅双
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管，该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。 在C类模式下工作时，该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10％占空比的条件下
2021-04-01 09:48:36
。IB3042-5产品详情:IB3042-5用于传统雷达系统设计的Si-Bipolar，VDMOS和LDMOS RF和微波功率晶体管Integra的预匹配，Si-Bipolar，Si-LDMOS
2019-04-15 15:12:37
详情:IB3042-5用于传统雷达系统设计的Si-Bipolar，VDMOS和LDMOS RF和微波功率晶体管Integra的预匹配，Si-Bipolar，Si-LDMOS和Si-VDMOS射频和微波
2019-05-14 11:00:13
`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管，专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20％的占空比工作，在瞬时工作带宽上以
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装
2021-04-01 09:57:55
9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。相关
2018-11-12 10:26:20
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学
2018-05-21 15:49:50
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学
2018-07-06 09:46:43
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学和医疗
2018-07-13 14:16:37
，在MACOM，我们提供范围广泛的双极技术RF功率晶体管产品，作为从DC到3.5 GHz的分立器件，模块和托盘。 我们的高功率双极型晶体管非常适用于民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学和医疗
2018-11-12 11:02:34
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充
2018-11-30 11:35:30
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。《晶体管电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识
2017-07-25 15:29:55
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
晶体管，锗PNP晶体管，硅NPN晶体管和硅PNP晶体管。》技术根据其结构和制造工艺，晶体管可分为扩散晶体管、合金晶体管和平面晶体管。》 当前容量根据目前的容量，晶体管可分为低功率晶体管、中功率晶体管和高
2023-02-03 09:36:05
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
用于现代通信系统中的功率放大器(PA)一般是通过级联和并联多个RF晶体管来获得期望的固态增益和功率。与RF集成电路(RFIC)相比，虽然采用单级分离RF晶体管占用的PCB空间更多，但因具有宽广
2019-06-25 06:55:46
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-05-05 01:31:57
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
，氮化镓主要用作功率放大器。尽管如此，两个 WBG 晶体管一般被制造商采用，有时可以用来代替硅:横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)Super junction MOSFETs 超级结
2022-06-15 11:43:25
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
请问那位大神有没有RF_POWER_ADS2014_DK.zip这个晶体管模型啊？或者在那里能够下载啊？
2018-05-11 13:54:26
硅NPN RF晶体管BFX89、BFY90，专为VHF/UHF放大器、振荡器、转换器应用BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管采用TO-72封装方式封装。它们的实物如图1所示，专为VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37
■ 恩智浦半导体 K. Werner，S. Theeuwen，J. de Boet，V. Bloem，W. Sneijers高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术
2019-07-05 07:01:04
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（ UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场
2010-09-17 18:29:31
20 飞思卡尔针对TD-SCDMA无线网络推出RF功率器件和参考设计:MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N
飞思卡尔半导体引入两个末级LDMOS RF功率晶体管，为设计人员提供
2009-09-07 07:15:01525 什么是RF LDMOS晶体管
DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩
2010-03-05 16:22:596177 恩智浦半导体NXP Semiconductors今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 飞思卡尔半导体公司以合理的性价比点，面向OEM(原始设备制造商)推出三款先进的工业RF功率晶体管。 增强的耐用性与领先的RF性能结合，使OEM厂商能够大幅缩减在工业和商用
2010-11-23 09:31:271047 2011年9月9日，德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管，该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性，专门面向U
2011-09-13 18:25:061179 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)推出新系列射频(RF)功率晶体管。
2011-10-12 11:35:111625 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301 日前，射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓（GaN）晶体管，所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:371842 荷兰奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术
2016-01-13 11:14:371707 Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。
2016-01-13 15:37:091923 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-12-07 17:53:08355 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-03-18 15:53:16949 
安谱隆半导体（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为
2018-05-02 14:44:003828 安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
2018-04-26 09:42:001388 安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
2018-04-25 15:04:004432 贸泽电子 （Mouser Electronics），即日起开始备货NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶体管。MRFX1K80H 是MRFX系列射频 （RF
2018-05-08 18:36:001105 240 W LDMOS功率晶体管封装了用于基站应用的不对称多尔蒂功率晶体管，其频率为2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:0019 180 W LDMOS功率晶体管在2000 MHz至2200 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:0012 10 W WiMAX LDMOS功率晶体管在3400 MHz至3600 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:007 130 W LDMOS功率晶体管在2000 MHz至2200 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:005 140 W LDMOS功率晶体管在2500 MHz至2700 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:005 170 W LDMOS功率晶体管，具有改善的视频带宽，用于从1800 MHz到1990 MHz的频率的基站应用。
2018-08-14 08:00:007 非无线应用的射频（RF）功率晶体管的横向扩散MOS技术。 对于某些高性能应用，今天的LDMOS器件不足， 圣克拉拉的GHz技术营销和销售副总裁Mike Mallinger说。 通过采用UltraRF
2020-02-12 12:17:041479 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS
2020-08-12 18:52:000
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