本帖最后由 HTPH 于 2022-5-8 15:22 编辑
如附件,利用氮化镓的高速开关特性。解决上升及关断的时间问题。传统的硅材料管子,受限于体内寄生参数.速度上跑不快.氮化镓的dv/dt
2022-03-30 17:49:54
。我们来看看它的开关技术与氮化镓(镓)为基础的解决方案的对比。我们也得到了公司的采取什么规格是重要的应用,如5G 波束指导和意义的集成电荷泵驱动程序。射频开关设计方法的权衡像门罗微电子的其他射频开关产品
2022-06-13 10:34:18
也有更好的表现。模拟IC应用广泛,使用环节也各不相同,因此制造工艺也会相应变化。砷化镓(GaAs):无线通信核心材料,受益5G大趋势相较于第一代硅半导体,砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温的特性,因此
2019-05-06 10:04:10
5G 的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。氮化镓、MMIC、射频 SoC 以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-05 04:20:15
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-31 07:47:23
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G 的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。
2019-08-16 07:57:10
对于大规模MIMO系统而言,第4代氮化镓技术和多功能相控阵雷达(MPAR)架构可提升射频性能和装配效率——DavidRyan,MACOM高级业务开发和战略营销经理解说道,向5G移动网络的推进不断加快
2019-08-02 08:28:19
个单独元件组成的组件相比,可以更容易地对电路板进行返工。第4代氮化镓优势就半导体层面而言,第四代硅基氮化镓(Gen4GaN)已经作为LDMOS的明确替代者来服务于针对5G部署的下一代基站,尤其对于
2017-08-03 16:28:14
的组件相比,可以更容易地对电路板进行返工。第4代氮化镓优势就半导体层面而言,第四代硅基氮化镓(Gen4 GaN)已经作为LDMOS的明确替代者来服务于针对5G部署的下一代基站,尤其对于3.5 GHz
2017-06-06 18:03:10
,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此,氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化镓还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54
特性,成为直接转换架构的强有力候选者。目前正在研究数据中心应用服务器电源管理的直接转换。
此外,自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电和5G基站中的高效功率放大器包络线跟踪等应用可从GaN技术的效率
2019-03-14 06:45:11
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
数据中心应用服务器电源管理的直接转换。 此外,自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电和5G基站中的高效功率放大器包络线跟踪等应用可从GaN技术的效率和快速切换中受益。 GaN功率器件的传导损耗降低,并
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
,并且顺丰包邮。 2022 年 5 月 15 日,联想官方在电商平台发起氮化镓快充价格战,YOGA 65W 双口 USB-C 氮化镓充电器到手价仅需 59.9元。这是一款正儿八经的大功率氮化镓充电器
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近,氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出,成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
首先报道了基于氮化镓双异质结构、波长为402.5 nm的受激辐射。1996年日本日亚公司中村修二领导研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。从此,波长为405 nm的氮化镓紫光激光器的发展和应用推动
2020-11-27 16:32:53
的关键时刻。硅基氮化镓相比于LDMOS技术的性能优势已经过验证,这推动了其在最新一代4G LTE基站中广泛应用,并使其定位为最适合未来5G无线基础设施的实际促技术,其轰动性市场影响可能会远远超出手机连接领域
2018-08-17 09:49:42
。
与硅芯片相比:
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而,虽然 GaN 似乎是一个更好的选择,但它
2023-08-21 17:06:18
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
内的波长标准偏差标准为1.3nm,波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小,2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右,6英寸在10微米以下。 2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同,MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点,Wafer可以做的很大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸,整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21:41
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰,智融,赛芯微一级代理吉娜:*** 微信:mphanfan欢迎行业客户联系,获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓技术的普及,使
2021-11-28 11:16:55
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
的智能手机将是LG G5。此款手机搭载骁龙820处理器,采用高通Adreno 530 GPU,配置5.6英寸2K显示屏,后置摄像头为2100万像素。最新消息还显示,LG G5还将具备虹膜识别功能和指纹解锁功能。
2015-12-15 11:22:15
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
组合多个射频能量通道,例如3x300W或2x500W等。支持的频段范围为915MHz到2.45GHz。“ 商业OEM渴望借助硅基氮化镓抓住高性能射频能量系统的巨大市场机遇,但他们不希望将资源投资于
2017-08-03 10:11:14
已经有不少硅基氮化镓组件被通信客户采用。为了保证供应,MACOM不久前还与ST签署了合作协议。从中可以看出,往后具有更大集成效能的半导体材料应用或将走向历史的中央舞台。5G促使企业加速国内本土化进程目前
2019-01-22 11:22:59
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
具有明显优势。技术发展成熟后,硅基氮化镓将受益于非常低的硅成本结构,与目前碳化硅基氮化镓比其晶圆成本只有百分之一,因为与硅工艺相比,碳化硅晶体材料的生长速度要慢200至300倍,还有相应的晶圆厂设备折旧
2017-08-30 10:51:37
的射频器件越来越多,即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同,我们可以将成本做到很低,在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代,需要的器件越来越多,价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
650V,支持2MHz开关频率,采用5*6mm QFN封装,节省面积。2、NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD完整型号:NCP1342AMDCDD1R2G丝印:1342AMDCD简单
2021-01-08 17:02:10
、 迈克尔加成反应2、 付-克烷基化反应3、 羟醛缩合反应(乙醇钠)4、 磺化反应、硝化反应5、 重氮化反应、叠氮化反应6、 无溶剂反应、30%的液液相反应(大概率)技术参数:外形尺寸:50×80×4mm
2018-07-02 13:45:39
WH-IND 152玻璃微反应器是汶颢自主研发的微通道反应器,具有自主知识产权,微反应器具有比表面积大、传质传热效率高、安全性高、放大效应小等优点, WH-IND 152玻璃微反应器兼顾了传质与压降
2018-06-29 10:49:09
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
碳化硅(SiC)和硅上氮化镓(GaN-on-Si)。这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地。与Si IGBT相比,SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度(SiC-on-SiC)和更高的开关
2018-07-19 16:30:38
项目名称:应用于智能化工的微反应器采集与控制系统开发试用计划:申请理由本人主要从事微反应器技术和智能化工的研究,曾设计过基于STM开发板的微反应器系统的开发,对开发板的开发与应用有过深入的学习和探索
2020-09-25 10:04:07
项目名称:微藻培养反应器试用计划:1、前期与ST的FA沟通stm32f103ret6关于实时时钟起振问题,建议更换G系列芯片;2、1中所提问题实验阶段并未出现时钟起振问题,在量产是出现不同批次
2019-09-06 11:34:21
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件层面,根据实际情况而言,归一化导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)乘积得出的优值系数,氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径,氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
TI始终引领着提倡开发和实施全面性方法,确保在严苛操作环境下,GaN设备也能够可靠地运行和具有出色的使用寿命。为此,我们用传统的硅方法制作GaN的硅基,从而利用硅的内在特性。
2019-07-31 06:19:34
,该晶圆有望实现纵型FET。与碳化硅基的纵型MOS FET相比,在性能方面,纵型FET具有更高的潜力(下图5)。与利用传统的体块式氮化镓晶圆制成的芯片相比,实验制作的二极管的ON电阻值降低了50%,纵
2023-02-23 15:46:22
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化镓技术,创造了专有的AllGaN™工艺设计套件(PDK),以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器,逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配,基站功放使用氮化镓。氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
在反应之前将原料一次性加入反应器中,直到反应达到规定的转化率,即得反应物,通常带有搅拌器的釜式反应器。
2019-10-24 09:01:32
当提到 5G 的承诺 – 小于 1 毫秒的延迟、100 倍的网络能量效率、20 Gbps 的峰值数据速率以及10 Mps/m2 的区域流量容量,提供商们仍大有可为。5G 预定在 2020 年进行商业发布,预计可以提供所有这些显著的优势,包括更“绿色”和高效的通信网络。
2019-07-26 07:56:47
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步:元器件选型对于工程师来说,GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势,但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
。
图 6:没有输入滤波器、基于氮化镓器件的逆变器于PWM = 100 kHz、DT = 21 ns、C = 2 x 22 µF 陶瓷; U相电流 500 mA/div、输入电压 200 mV
2023-06-25 13:58:54
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15
,一些射频氮化镓厂商开始考虑在未来的手持设备中使用氮化镓。对于现在的手机而言,氮化镓的性能过剩,价格又太贵。但将来支持下一代通信标准(即5G)的手机,使用氮化镓是有可能的。氮化镓技术非常适合4.5G或
2016-08-30 16:39:28
大幅降低电流在保护板上的损耗,随着手机充电功率达到200W,电池端的电流达到20A。传统硅MOS温升明显,甚至需要辅助导热措施来为其散热。使用氮化镓代替硅MOS之后,可以无需导热材料,降低快充过程中
2023-02-21 16:13:41
、稳定性、高效性。汶颢微反应器热量缓冲需求量低,占地面积小,自动化程度高,极大地节省了人力及物力资源。基于微流控技术的微通道反应器,代表着绿色化工的发展方向。汶颢自主研发的多结构微反应器兼顾了传质与压降两大
2018-06-28 13:28:02
和功率因数校正 (PFC) 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件,隔离式负 V一般事务(关闭)EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法,可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
小得多,因此每块晶圆就可以生产出更多的氮化镓器件,从而实现可量产、具低成本、成熟、迅速反应和非常易于扩展的供应链。
误解5 :GaN FET和集成电路的价格昂贵
这是关于氮化镓技术最常见的错误观念! 氮化
2023-06-25 14:17:47
产品简介:WH-IND 152玻璃微反应器是汶颢科技自主研发的微通道反应器,具有自主知识产权,微反应器具有比表面积大、传质传热效率高、安全性高、放大效应小等优点, WH-IND 152玻璃微反应器
2018-06-22 15:55:21
生物反应器的作用是为生物体代谢提供一个优化的物理及化学环境,使生物体能更快更好地生产,得到更多需要的生物量或代谢产物。
2019-10-23 09:10:09
由于反应物的分子在反应器内停留时间相等,所以在反应器内任何一点上的反应物浓度和化学反应速度都不随时间而变化,只随管长变化。
2019-10-28 09:12:03
:AIXA)联合宣布,200mm晶圆AIXTRON G5+ C和G10-AsP系统已获得艾迈斯欧司朗的认证,可用于满足Micro LED应用需求。爱思强的MOCVD系统AIX G5+ C和全新
2023-02-16 09:39:30
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
,是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
无可争议的冠军。它已经在雷达和5G无线技术中得到了应用,很快将在电动汽车的逆变器中普及。你甚至可以买到基于氮化镓的USB壁式充电器,它们体积小且功率非常高。不过,还有比它更好的东西吗?有能让射频放大器变得
2023-02-27 15:46:36
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
设计一个新颖、一次性使用的生物反应器,具有高性能且便于使用,使之在同类产品中的中脱颖而出。 使用NI LabVIEW和NI 单板 RIO,以一个通用控制平台开发一个集成的生物反应器。 生物反应器
2018-02-09 07:17:47979 的硅基氮化镓外延片产品技术。两家公司最近合作的宗旨是,在为全球范围内多家杰出的消费类电子产品公司生产外延片的同时,展示ALLOS 200 mm硅基氮化镓外延片产品技术在Veeco Propel™ MOCVD反应器上的可复制性。
2018-11-10 10:18:181381 本视频主要详细介绍了反应器类型,分别有管式反应器、釜式反应器、有固体颗粒床层的反应器、塔式反应器、喷射反应器等。
2018-11-04 09:19:4816959 本视频主要详细介绍了常见反应器,分别有釜式反应器、流化床反应器、固定床反应器、膜生物反应器以及塔式反应器。
2018-11-04 09:53:5913472 指在反应器内装填颗粒状固体催化剂或固体反应物,形成一定高度的堆积床层,气体或液体物料通过颗粒间隙流过静止固定床层的同时,实现非均相反应过程。本视频主要介绍了固定床反应器的优缺点以及列管式固定床反应器优缺点。
2018-11-04 09:58:5225101 流化床反应器是一种利用气体或液体通过颗粒状固体层而使固体颗粒处于悬浮运动状态,并进行气固相反应过程或液固相反应过程的反应器。本视频主要介绍了流化床反应器的优缺点。
2018-11-04 10:05:4524960 生物反应器,是指利用自然存在的微生物或具有特殊降解能力的微生物接种至液相或固相的反应系统。本视频首先介绍了生物反应器优点,其次介绍了生物反应器对比反应器的优点,最后介绍了气升式生物反应器优缺点。
2018-11-07 16:24:3615306 IC反应器是基于UASB反应器颗粒化和三相分离器的概念而改进的新型反应器,可看成是由两个UASB反应器的单元相互重叠而成。它的特点是在一个高的反应器内将沼气的分离分成两个阶段。底部一个处于极端的高负荷,上部一个处于低负荷。
2018-11-10 10:47:5614613 本视频主要详细介绍了uasb反应器的特点,分别有构造简单巧妙、反应器内可培养出厌氧颗粒污泥、实现了污泥泥龄(SRT)与水力停留时间(HRT)的分离、UASB反应器对各类废水有很大的适应性、能耗低,产泥量少以及不能去除废水中的氮和磷。
2018-11-10 10:51:0310065 UASB反应器废水被尽可能均匀的引入反应器的底部,污水向上通过包含颗粒污泥或絮状污泥的污泥床。厌氧反应发生在废水和污泥颗粒接触的过程。
2018-11-18 09:36:1119182 二甲基甲酰胺合成反应器为立式结构,它通过4个支耳悬挂在装置框架上,在反应器的侧面有上下2个DN80的法兰口,法兰面和设备的内壁间距为200mm,这两个法兰口用来安装液位测量仪表。反应器采用
2022-11-08 12:07:04696 德国彗诺微反应器连续补料计量泵|内含Microinnova微通道反应器集成案例。翁开尔是德国彗诺微反应器连续补料计量泵中国总代理。
2022-06-16 09:26:21357
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