联发科放弃10nm的P35,要用12nm的P30救场？

　　从目前来看联发科去年押宝10nm已成为一个大错，X30不受市场欢迎，另一款采用10nm工艺的P35据说可能会被放弃，而改用12nm工艺的P30来救场。

　　去年联发科押宝台积电的10nm工艺，希望在自己的中端芯片P30和高端芯片X30上同时引入10nm工艺，凭借功耗和性能优势猛攻高通。不过事与愿违的是，台积电的10nm工艺量产时间迟到今年初，之后又出现了良率问题，这导致联发科X30的上市时间一再推迟而被中国手机企业放弃。

　　P35本预计三季度投产上市，不过由于台积电计划在三季度将10nm工艺产能全力用于生产苹果的A11处理器，P35能否如期在三季度上市存有很大的疑问。

　　当前联发科仅有X30支持中国大陆最大运营商中国移动要求的LTE Cat7及以上技术，而这款芯片已被中国大多数手机企业放弃，P35又再延迟量产的话它在中国大陆市场将面临极其尴尬的境况。正是在这样的情况下台媒传出联发科可能会放弃P35，而改推P30救场，P30会采用台积电的12nmFinFET工艺。

　　台积电的12nmFinFET工艺其实是16nmFinFET的改良版，并不算全新开发的工艺，它是为了与三星的14nmFinFET竞争而改用了这个名字，不过由于是在16nmFinFET工艺上的改良，因此工艺成熟、产能充足。

　　联发科的P30芯片和P35都定位为中端芯片，前者是四核A72+四核A53架构，后者是双核A73+四核A53+四核A35结构（相当于是X30的降频版，也可知联发科为了抢攻高通的苦心了），如此看来P30的架构与华为的麒麟950相当，只是工艺方面稍为领先，在性能和功耗方面P30应该弱于P35，但是比麒麟950强。

　　联发科期待P30能与高通的骁龙660比拼一番。骁龙660采用了高通自家的kryo260核心，采用三星的14nmFinFET工艺，性能方面甚至接近其上一代的高端芯片骁龙820，麒麟950要比骁龙820弱10%左右，因此估计P30的性能即使比麒麟950稍强还是要比骁龙660弱；基带方面则是骁龙660的强项，其集成了高通X12基带支持最高下行600Mbps，而P30支持LTE Cat10最高支持600Mbps下行。不过P30压制高通的骁龙630则不在话下，骁龙630是八核A53架构。

　　当然考虑到联发科一贯的价格策略，预计P30的价格将会比骁龙660低，而且在今年上半年其芯片出货量不佳的情况下估计它也愿意以更进取的价格争取大陆手机品牌的支持，但是这样的话无疑将会导致联发科今年的毛利再创新低。

　　在X30不受欢迎，P35难产可能被放弃的情况下，P30成为能否帮助联发科提振当前低萎业绩的关键，只是真要如此做，它需要加快速度了，因为高通的骁龙660和骁龙630正在快速赢得中国大陆的手机企业的支持，OPPO很快将发布采用骁龙660的R11手机，vivo、小米等估计也会很快跟进，P30最有可能争取的客户是魅族。