IGBTMODULE
1200V
1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBTMODULE
1200V
1200A
2024-03-14 21:24:04
蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的
1200V40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源
汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30
228
全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布，
推出四款采用E1B封装的
1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动
汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19
282
纳斯达克股票代号：ON)，宣布
推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7)
绝缘栅双极晶体管(
IGBT) 技术的
1200VSPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31
2024-02-27 16:04:04
458
第 7 代 (FS7)
绝缘栅双极晶体管(
IGBT) 技术的
1200VSPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体
2024-02-27 15:42:11
121
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布
推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7)
绝缘栅双极晶体管(
IGBT) 技术的
1200VSPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59
344
驱动器、逆变器和电动
汽车等。 识别
IGBT
绝缘栅双极型晶体管可以通过以下步骤进行： 1. 外形识别
IGBT晶体管通常有有特定的外观特征，其封装一般较大且多为模块封装。最常见的封装类型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封装上通常会标有器件型号、厂商标志或批次号等
2024-01-12 11:18:10
350
本文介绍了
针对电机驱动进行优化的全新
1200V
IGBT和二极管技术。该
IGBT结构基于全新微沟槽技术，与标准技术相比，可大幅减少静态损耗，并具备高可控性。而二极管因为优化了场截止设计，其振荡发生
2024-01-09 14:24:50
232
据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的
1200VSiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，
针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动
汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48
229
IGBTH BRIDGE
1200V32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBTH BRIDGE
1200V43A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBTH BRIDGE
1200V63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBTH BRIDGE
1200V63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBTH BRIDGE
1200V63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBTH BRIDGE
1200V32A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBTH BRIDGE
1200V43A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBTMODULE
1200V5000W
2023-11-01 10:26:39
继
1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10
422
各位大佬，请教一下
IGBT模块的
绝缘耐压如何测试？
2023-10-23 10:19:00
随着新能源
汽车（NEV）的崛起，
绝缘栅双极晶体管（
IGBT）已成为这一领域的核心元件。目前我国新能源
汽车快速发展已经使
IGBT已成为我国最重要的应用领域，占据约30%的市场份额。以特斯拉Model
2023-10-21 11:30:00
1085
2023年10月，凌锐半导体正式
推出新一代
1200V18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26
485
、电磁炉、工业电源、逆变焊机等领域；
针对中大功率产品，芯能也能提供系统化解决方案：650
V/450A和
1200V/450A EconoDUAL智能
IGBT功率模块、34mm模块、62mm模块等产品均
2023-10-16 11:00:14
来源：半导体芯科技编译 Magnachip开始全面量产用于电动
汽车PTC加热器的
1200V和650V
IGBT。 Magnachip Semiconductor
推出了
1200V和650V
绝缘
2023-09-19 16:04:38
306
继英飞凌
1200VIGBT7T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新
推出了适用于大功率应用场景的
1200VIGBT7P7芯片，并将其应用在PrimePACK模块中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10
430
型号：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压
IGBT，适用于高效能和高可靠性的应用。它具有
1200V的电压额定值和40A的电流额定值，能够提供低导通
2023-08-25 16:58:53
1477
JSAB正式
推出采用TO-247Plus-4L封装的
1200V-140A
IGBT单管，产品型号为 JHY140N120HA。产品外观和内部电路拓扑如下图所示。
2023-08-25 15:40:57
1056
NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。产品型号：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ
1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ
1200V低
2023-07-31 16:57:59
584
增强型1代
1200VCoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44
231
供应ID
7U603SEC-R1 600
V高速功率MOSFET和
IGBT半桥驱动芯片可代换
IR2104，提供ID
7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
在此方向上，青桐资本项目伙伴「量芯微半导体（GaNPower）」（以下简称「量芯微」）在全球范围内率先实现
1200V硅基GaN HEMT的商业化量产，并于近日与泰克科技（Tektronix Inc.）合作进行了器件测试。
2023-07-19 16:37:30
1366
RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (
1200V- 15A -
IGBT/ Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:50
0
RJH1CM6DPQ-E0 数据表(
1200V- 20A -
IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:35
0
RJH1CM7DPQ-E0 数据表 (
1200V- 25A -
IGBT/ Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:22
0
RJH1CV7DPQ-E0 数据表 (
1200V- 35A -
IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:33
0
的
汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。
针对这一需求，士兰微电子近期
推出了一款高性能的
汽车驱动模块——600A/
1200V
IGBT模块（B3模块）, 它能够提升新能源
汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48
735
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的
1200VSiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动
汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
/引言/英飞凌TRENCHSTOPIGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&
1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管
针对光储、UPS、EVcharger、焊机
2023-05-31 16:51:27
636
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，
绝缘栅双极型晶体管，是由双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和
绝缘
2023-05-20 15:19:12
583
EiceDRIVER SOI系列诞生了首批
1200VSOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。
2023-05-18 16:18:24
315
合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域
推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——
1200V
IGBT“RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02
938
RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (
1200V- 15A -
IGBT/ Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:59
0
RJH1CM6DPQ-E0 数据表(
1200V- 20A -
IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:48
0
RJH1CM7DPQ-E0 数据表 (
1200V- 25A -
IGBT/ Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:30
0
RJH1CV7DPQ-E0 数据表 (
1200V- 35A -
IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:54
0
中，采用了罗姆的新产品——
1200V
IGBT“RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常务执行官 CFO 伊野和英（左）赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 随着全球电动化技术的快速发展，对功
2023-04-26 15:27:11
517
。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域
推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——
1200V
IGBT“RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-04-26 09:17:51
606
以下文章来源于安森美，作者安森美领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），
推出一系列全新超高能效
1200V
绝缘栅双极型晶体管（
IGBT），具备业界领先的性能
2023-04-06 16:07:10
367
新品
1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。产品特点得益于著名
2023-03-31 10:52:07
472
新品
1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列产品型号：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A
1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58
674
IGBTPHASELEG
1200V30A SMPD
2023-03-29 15:28:40
IGBTPHASELEG
1200V43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT
1200V32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:15
IGBT
1200V32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT
1200V57A 200W TO247AC
2023-03-29 15:23:12
IGBTPHASELEG
1200V30A SMPD
2023-03-29 15:16:31
IGBTMODULE
1200V105A SMPD
2023-03-29 15:16:29
IGBTMODULE
1200V150A HEX
2023-03-29 15:14:46
IGBTMODULE
1200V183A HEX
2023-03-29 15:14:45
IGBTMODULE
1200V108A HEX
2023-03-29 15:14:42
IGBTMODULE
1200V325A
2023-03-29 15:14:41
IGBTMODULE
1200V108A HEX
2023-03-29 15:14:39
IGBTMODULE
1200V250A
2023-03-29 15:14:38
IGBTMODULE
1200V183A QUAD
2023-03-29 15:14:37
IGBTMODULE
1200V60A
2023-03-29 15:14:35
IGBTMODULE
1200V84A
2023-03-29 15:14:35
IGBTMODULE
1200V84A
2023-03-29 15:14:31
IGBTMODULE
1200V250A
2023-03-29 15:14:30
IGBTMODULE
1200V40A
2023-03-29 15:14:22
IGBTMODULE
1200V30A
2023-03-29 15:14:21
IGBTMODULE
1200V40A
2023-03-29 15:14:21
IGBTMODULE
1200V60A
2023-03-29 15:14:21
IGBTMODULE
1200V20A HEX
2023-03-29 15:14:19
IGBTMODULE
1200V30A
2023-03-29 15:14:15
IGBTMODULE
1200V40A
2023-03-29 15:14:13
IGBTMODULE
1200V12A HEX
2023-03-29 15:14:12
IGBTMODULE
1200V40A
2023-03-29 15:14:12
IGBTMODULE
1200V150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBTMODULE
1200V150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBTMODULE
1200V60A
2023-03-29 15:14:08
IGBTMODULE
1200V20A HEX
2023-03-29 15:14:06
IGBTMODULE
1200V30A
2023-03-29 15:14:06
IGBTMODULE
1200V30A
2023-03-29 15:14:06
IGBTMODULE
1200V20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBTMODULE
1200V20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBTMODULE
1200V12A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBTMODULE
1200V28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBTMODULE
1200V20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBTMODULE
1200V84A
2023-03-29 15:14:01
IGBTMODULE
1200V12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBTMODULE
1200V12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBTMODULE
1200VISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
ID
7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和
IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换
IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或
IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35
IGBT
1200V80A TO247-4
2023-03-27 13:19:13
IGBT
1200V150A TO247-4
2023-03-27 13:15:25
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工商网监
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