MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘(SSD)
可延长寿命
2024-03-18 10:24:36
48
蔡司三坐标测量机是一种高精度测量设备。正确使用蔡司三坐标测量机
可延长三坐标测量机的使用
寿命。测量工件时获得更精确的结果。也可以养成良好的工作习惯。
2024-03-12 15:41:20
95
意法
半导体(ST)近日
推出了一系列功率
MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43
224
全球知名
半导体解决方案供应商Vishay日前宣布
推出其最新型的多功能30V N
沟道TrenchFET®第五代功率
MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102
近日,全球知名的
半导体解决方案供应商Vishay宣布
推出新型80V对称双通道N
沟道功率
MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:02
93
想问一下,
半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备,比如探针台有没有用到,具体要求是那些,
2024-03-08 17:04:59
近日,Nexperia(安世
半导体)宣布
推出能量平衡计算器。这是一款功能强大的网络工具,旨在帮助
电池管理工程师最大限度地
延长其应用的
电池
寿命或实现无
电池应用。
2024-03-05 11:11:30
182
CR2032 和 CR2025 纽扣锂
电池的能量密度提高,保质期得到
延长,因此,可广泛应用于多种低功率应用,比如低功率Wi-Fi、LoRa、Sigfox、Zigbee、LTE-M1等技术的相关
器件,以及NB-IoT收发器等。
2024-03-01 14:43:34
188
我正在开发一个使用 LoRa模块的物联网项目, 但我发现 LoRa 模块的功耗比较高, 这可能会导致
电池消耗得很快.我正在寻找一些建议来帮助我降低 LoRa 模块的功耗以
延长
电池
寿命.我已经考虑了
2024-03-01 07:38:34
意法
半导体(下文为ST)的功率
MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36
578
HI-3182PSX-
N、HI-3182PSX-
N, HI-3184PSX-
Nand HI-3185PSX-
N总线接口产品是根据ARINC 429总线规范设计的硅栅互补式金属氧化物
半导体
器件。除了
2024-02-19 10:30:40
服务范围
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代
半导体
器件等分立
器件,以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立
器件认证l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101认证试验广电计量在SiC第三代
半导体
器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验,为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务,同时,我们也开展了间歇工作
寿命(IOL)、HAST
2024-01-29 21:35:04
安建
半导体(JSAB) 隆重
推出全新的150V SGT
MOSFET产品平台,平台采用先进的技术和设计,提供了卓越的开关特性和低导通电阻,从而实现了高效的能源转换和低能耗操作,不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49
291
安建
半导体
推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC
MOSFET,通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性,在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片,产能充裕,供应稳定,性价比高。
2024-01-20 17:54:00
916
中的压缩机控制器提供意法
半导体第三代碳化硅(SiC)
MOSFET技术。采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处,以动力
电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例,续航里程
可延长5到10公里,在夏冬两季的效果尤为明显。
2024-01-18 10:04:05
276
MOSFET即金属氧化物
半导体场效应管,是电路设计中常用的功率开关
器件,为压控
器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流,具备驱动电路简单,驱动功率小,开关速度快,工作频率高、热稳定性高于GTR等优点
2024-01-09 10:22:43
111
半导体放电管是一种采用
半导体工艺制成的PNPN结四层结构
器件,其伏安特性与晶闸管类似,具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时,
器件被导通,这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降(VF
2024-01-04 16:52:07
近日,昕感科技在新能源领域取得重大突破,
推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC
MOSFET
器件新产品(N2M120007PP0)。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ,电压规格为1200V,将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率
半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57
316
场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是一种广泛应用于电子电路中的
半导体
器件。根据导电
沟道的类型,场效应晶体管可以分为N
沟道和P
沟道两种类型。本文将对N
沟道和P
沟道
2023-12-28 15:47:15
2269
场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是一种利用电场效应来控制电流的
半导体
器件。根据导电
沟道的类型,场效应晶体管可以分为n
沟道和p
沟道两种类型。本文将对n
沟道MOS
2023-12-28 15:28:28
2843
随着
电池供电型应用的激增,人们对质优价廉的
电池和
电池包的需求持续猛涨。
电池制造商们不断采用新的化学物质,
推出更小的尺寸,新的、复杂的限制和要求也随之产生,但是对
电池基本功能的要求未曾改变,即:在不影响系统性能的前提下,
延长运行时间和货架期。
2023-12-26 16:28:00
238
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种
器件,那么你对
半导体有多少了解呢?今天我们就从最基础的
半导体功率
器件入手,全面了解
半导体的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09
451
基础
半导体
器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世
半导体)近日宣布
推出新款 GaN FET
器件,该
器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17
312
根据不同的诱因,常见的对
半导体
器件的静态损坏可分为人体,机器设备和
半导体
器件这三种。 当静电与设备导线的主体接触时,设备由于放电而发生充电,设备接地,放电电流将立即流过电路,导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世
半导体SiC
MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后安世
半导体将持续扩大产品阵容,
推出多款具有不同RDS(on)的
器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32
177
据介绍,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世
半导体SiC
MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后安世
半导体将持续扩大产品阵容,
推出多款具有不同RDS(on)的
器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:11
519
基础
半导体
器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世
半导体)近日宣布
推出其首款碳化硅(SiC)
MOSFET,并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立
器件,RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50
413
、晶闸管等等,主要用于工业和电力系统(正因如此,早期才被称为电力电子
器件)后来,随着以功率
MOSFET
器件为代表的新型功率
半导体
器件的迅速发展,现在功率
半导体
器件已经非常广泛,在计算机、通行、消费
2023-12-03 16:33:19
1134
让IoT传感器节点更省电:一种新方案,令
电池
寿命
延长20%!
2023-11-30 17:12:17
317
按施敏教授的观点,
半导体
器件有四个最基本的结构单元:金半接触、PN结、异质结、MOS结构。所有的
半导体
器件都可以看作是这四种基本结构的组合,比如BJT由两个背靠背的PN结构成,
MOSFET由MOS结构和两对PN结构成。
2023-11-30 15:56:17
1032
MOS结构加上一对背靠背的PN结,就构成一个
MOSFET。如果MOS结构在零栅压时
半导体表面不是反型的,此时由于PN结的反向截止效果,源漏之间不会导通。当外加栅压使
半导体表面反型时,源漏之间就有
2023-11-30 15:54:49
398
利用升压转换器
延长
电池使用
寿命
2023-11-23 16:19:59
147
半导体分立
器件是电子元
器件中的重要组成部分,它们在电子设备中发挥着重要的作用。本文将介绍
半导体分立
器件的基本概念、分类、应用和发展趋势。
2023-11-23 10:12:56
792
解一下什么是
沟道。
沟道是在
半导体材料中形成的电子流的通道。通过在材料中创建和控制
沟道,我们能够控制电流的流动,从而实现
半导体
器件的功能。在常见的场效应晶体管(Field-Effect Transistor, FET)中,
沟道是连接源极和漏极的部分。 p
沟道和
2023-11-23 09:13:42
2311
硬件面试中有遇到过这样的事吗?通常让你画一个增强型的
MOSFET,或是N
沟道
MOSFET或是P
沟道
MOSFET
2023-11-21 15:05:31
778
N
沟道
MOSFET截止,电感电流下降,电感中的能量转移到
电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时,外置
N
沟道
MOSFET再次导通,如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
使用串联方法
延长卤素灯的使用
寿命及减少频繁更换灯泡问题
2023-11-21 06:19:04
德赢Vwin官网 网站提供《如何
延长医疗平板
电池
寿命.pdf》资料免费下载
2023-11-15 14:23:30
0
在电子工程和微电子技术的世界里,
半导体
器件建模是一个核心概念。它涉及对
半导体
器件如晶体管、二极管等的电气行为进行数学和物理描述。这一过程对于设计高效、可靠的电子设备至关重要。本文旨在深入探讨
半导体
器件建模的概念、其重要性以及在现代技术中的应用。
2023-11-13 10:48:27
515
锂
电池容易坏吗?如何
延长锂
电池的使用
寿命? 锂
电池是目前广泛应用于电子产品和电动车等领域的一种重要
电池类型。它具有高能量密度、轻巧、无记忆效应等优点,但是在一些特定使用条件下,锂
电池容易出现一些问题
2023-11-10 15:05:15
711
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,
推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N
沟道共漏极
MOSFET,适用于带有USB的设备以及
电池组保护。
2023-11-09 17:39:10
459
中国上海, 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,
推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N
沟道共漏极
MOSFET,适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57
663
一、功率
器件在
半导体产业中的位置功率
半导体
器件,简称功率
器件,又称电力电子
器件,属于
半导体产品中的分立
器件。功率集成电路也就是如下图的【功率IC】,典型产品有【电源管理芯片】和【各类驱动芯片
2023-11-08 17:10:15
822
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前
推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N
沟道共漏
MOSFET,适用于带USB的设备和
电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22
319
型晶体管,它属于电压控制型
半导体
器件。根据导电
沟道类型和栅极驱动电压的不同,可以分为N
沟道-增强型
MOSFET、N
沟道-耗尽型
MOSFET、P
沟道-增强型
MOSFET、P
沟道-耗尽型
MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15
638
FDV303N是一款N
沟道
MOSFET。这种
器件通常用于开关和放大电路中,可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56:23
293
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种
器件,那么你对
半导体有多少了解呢?今天我们就从最基础的
半导体功率
器件入手,全面了解
半导体的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34
807
如今,
半导体元
器件已成为电子应用中不可或缺的一部分。
半导体元
器件的需求主要受生命周期较短的消费电子影响。
2023-10-26 09:55:37
368
如今,
半导体元
器件已成为电子应用中不可或缺的一部分。
半导体元
器件的需求主要受生命周期较短的消费电子影响。
2023-10-24 16:43:51
604
怎么才能
延长这个读写
寿命
2023-10-24 07:50:49
如何
延长FLASH的读写
寿命?
2023-10-23 06:46:23
功率
半导体
器件与普通
半导体
器件的区别在于,其在设计的时候,需要多一块区域,来承担外加的电压,如图5所示,300V
器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通
半导体
器件[2]相比,明显尺寸更大,这也是功率
半导体
器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21
878
Littelfuse 公司宣布
推出CPC3981Z,一种800V、100mA、45欧姆小功率N
沟道耗尽型
MOSFET。
2023-10-18 09:13:28
502
在读写次数不变的情况下,如何尽可能的
延长flash读写
寿命
2023-10-13 07:22:56
一 F-200A-60V
半导体
器件测试机专为以下测试需求研制: 二 技术参数
2023-10-12 15:38:30
根据专利摘要,该公开是关于
半导体元件及其制造方法的。
半导体
器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物
半导体
沟道。漏极和源极分别位于氧化物
半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08
417
SiC
器件是一种新型的硅基
MOSFET,特别是SiC功率
器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由
MOSFET和PN结组成。 在众多的
半导体
器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29
342
在日常的电源设计中,
半导体开关
器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题,本文旨在分析
半导体
器件击穿原理、失效机制,以及在设计应用中注意事项。
2023-09-19 11:44:38
2578
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种
器件,那么你对
半导体有多少了解呢?今天我们就从最基础的
半导体功率
器件入手,全面了解
半导体的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25
889
参考
半导体行业可靠性试验条件和抽样原则,制定产品可靠性规范并依此对产品进行完整可靠性验证。 可靠性试验目标: 模拟和加速
半导体元
器件在整个
寿命周期中遭遇的各种情况(
器件应用
寿命长短)。 可靠性试验目的: 使试制阶段的产品
2023-09-12 10:23:45
698
本文介绍如何在现有系统中添加nanopower转换器以
延长
器件的
电池
寿命,从而将
电池运行时间
延长多达20%。 采用
电池供电的电路必须具备高能效,这样
电池才能长时间持续供电。为此,应当选择节能型元
器件
2023-09-05 18:10:03
200
稳定性和效率兼备,雷卯
MOSFET改变您的产品。一.
MOSFET工作原理及作用1.工作原理
MOSFET(金属氧化物
半导体场效应晶体管)是一种常用的
半导体
器件,由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19
342
。 为了最大程度地
延长
电池
寿命,设计师需要将系统的平均电流消耗降至最低。要实现这个目的,采用多种低功耗工作模式及选用合适的元
器件就非常重要。就低功耗工作模式而言,其中就包括关
2023-08-29 15:34:11
255
,减少人力资源消耗,为
半导体行业降本增效。Novator系列全自动影像仪创新
推出的
飞拍测量、图像拼接、环光独立升降、图像匹配、无接触3D扫描成像等功能,多方面满足客户测量需求,解决各行业尺寸测量难题。
2023-08-21 13:38:06
近日,基础
半导体
器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世
半导体)宣布
推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术,是专为
延长不可充电的典型纽扣锂
电池
寿命而设
2023-08-14 16:03:15
246
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德
半导体公司
推出了新一代异步整流
MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N
沟道功率
MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45
367
先楫
半导体使用上怎么样?
2023-08-08 14:56:29
升高。根据电子设计规则,温度每升高10°C,平均
寿命将降低50%,因此正确评估
半导体
器件的热应力或结温非常重要。
2023-08-07 15:18:38
1962
功率
半导体包括功率
半导体分立
器件(含模块)以及功率 IC 等。其中,功率
半导体分立
器件,按照
器件结构划分,可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:03
5041
的优势,以及PassThru模式如何
延长储能系统的使用
寿命,特别是超级电容的总运行时间。
延长
电池的使用
寿命,意味着储能系统性能更强、运行时间更长、成本更低。通常有三种方法可以
延长
电池
寿命:改进
电池技术,设计更优良的
器件,以及提供创新的能源管理系统。
2023-07-21 18:15:02
286
具有 ULQ™ 模式、
可延长
电池
寿命的 4.5V 至 24V、8A 同步降压稳压器
2023-07-20 18:24:35
实现长达10倍
电池
寿命,扩展在物联网设备中的应用范围 奈梅亨, 2023 年 7 月 12 日: 基础
半导体
器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布
推出NBM7100和NBM5100。这两款
2023-07-12 09:51:11
276
近日,基础
半导体
器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世
半导体)宣布
推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术,是专为
延长不可充电的典型纽扣锂
电池
寿命而设
2023-07-11 11:09:30
533
金属氧化物
半导体场效应晶体管(
MOSFET)是一种场效应晶体管(FET),由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在
MOSFET中,漏极由栅极端的电压控制,因此
MOSFET是一种电压控制
器件。施加在栅极
2023-07-07 10:13:35
2972
电池保护器对于
延长
电池
寿命起着重要的作用。通过监测和控制
电池的状态,
电池保护器可以防止
电池过充、过放、过流等问题,从而减少对
电池的损害。这样可以避免
电池过度充放电,保持
电池在安全范围内工作,
延长
电池的使用
寿命。
2023-07-06 16:31:48
1437
随着越来越多的人对替代能源和电动汽车感兴趣,对可靠、持久
电池的需求持续增长。LiFePO4
电池因其令人印象深刻的性能和安全特性而成为许多应用的热门选择。然而,像所有
电池一样,LiFePO4
电池的
寿命有限。在本文中,我们将探讨影响LiFePO4
电池
寿命的因素,并提供有关如何
延长其使用
寿命的提示。
2023-07-04 09:13:22
599
要
延长设备
电池
寿命,至少需要使用低功耗微控制器、传感器、无线电和高效电源等组件进行设计。通过高效的电源管理技术平衡
电池容量和尺寸也至关重要,尤其是在设计变得越来越小、越来越轻的情况下。此外,当
电池
2023-06-30 11:08:46
362
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅
器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化镓
半导体仍然有如此多的误解?事实又是怎样的呢? 关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
(VLSI)设备采用的设计方式有极大的不同,它仍然采用了与VLSI电路类似的
半导体加工工艺。金属氧化物
半导体场效应晶体管(
MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了
MOSFET的
器件原理图,传输特性和
器件符号。双极结型晶体管(BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52
591
广,不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区,都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在
半导体功率
器件和封装领域的技术积累,研发出同类别性能优异的超级结
MOSFET,具备更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世
半导体),分立
器件、逻辑
器件和
MOSFET
器件的全球领导者,今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21
441
日:基础
半导体
器件领域的专家 Nexperia(安世
半导体)
推出了用于自动化安全气囊应用的专用
MOSFET(ASFET) 新产品组合,重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N
沟道60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11
372
分立
器件行业概况
半导体分立
器件是
半导体产业的基础及核心领域之一,其具有应用领域广阔、高成品率、特殊
器件不可替代等特性。 从市场需求看,分立
器件受益于物联网、可穿戴设备、智能家居、健康护理、安防电子
2023-05-26 14:24:29
由于聚合物锂电芯采用胶体电解质,内阻较液态电芯更小。内阻降低意味着
电池的自耗电减少,
可延长
电池待机时间,输出更高的性能。目前世豹无人机锂聚合物
电池的内阻水平已达到行业优秀指标。
2023-05-17 11:36:51
499
据统计,IGBT、MOS管、电源管理IC等在储能逆变器里占比高、数量多,是必不可少的
半导体
器件。
2023-05-08 15:46:30
862
在本文中,我们将学习如何使用 P
沟道和 N
沟道
MOSFET构建通用全桥或 H 桥
MOSFET驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:00
5288
在太阳能发电系统中,大部分费用都在面板和
电池上。任何具有成本效益的太阳能解决方案都可以最大限度地提高这些组件的容量利用率和使用
寿命。例如,高质量的充电器
可延长
电池运行时间,降低容量要求,并
延长
电池
2023-04-19 11:32:34
1626
意法
半导体的TSU111H 5V车规运算放大器具有微电流消耗和最高150°C的工作温度,实现了一个
器件兼具多种特性。 TSU111H 符合 AEC-Q100 零级温度标准(-40°C 至150
2023-04-17 13:38:51
817
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家
推出的支持政策,
半导体分立
器件行业已经进入快速发展通道。目前,我国已经成为全球重要的
半导体分立
器件制造基地和全球最大的
半导体分立
器件市场,根据中国
半导体行业协会
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金属层(M)栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制
半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其
沟道的极性不同,
MOSFET可分为电子占多数的N
沟道型与空穴占多数的P
沟道型,通常又称为N型
MOSFET(NMOSFET)和P型
MOSFET(PMOSFET)。
2023-04-13 09:40:30
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锂离子
电池自然老化,预期
寿命大约三年。但是,这种生命可以很短—— 不到一年 - 如果
电池处理不当。它变成了
电池通常在应用中被滥用 否则,智能调节将显着
延长
电池
寿命。LTC4099
电池充电器
2023-04-12 10:57:57
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评估,以改善动态特性和可靠性,并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率
半导体
器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC
MOSFET的示意图1,2kV级SiC
MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
)和看门狗定时,以确保高系统可靠性。稳压器必须在轻负载下具有高效率,以
延长
电池
寿命。LT3689 采用纤巧型 16 引脚 3mm × 3mm QFN 封装和 16 引脚 MSOP 封装,可提供所有这些特性。
2023-04-10 11:57:46
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金属氧化物
半导体场效应晶体管 (
MOSFET) 是一种场效应晶体管 (FET) 电子
器件。它可以充当压控电流源,并主要用作开关或用于放大电信号。
MOSFET的控制是通过向栅极施加特定的电压来进行
2023-04-06 10:06:38
1381
对于锂
电池来说,充电方法对其性能影响很大,合理的充电方法
可延长锂
电池的
寿命、提高充电效率。本文分析了锂
电池的各种充电方法,并在充电速度、使用
寿命和实现成本上对各自的优缺点进行了比较,供大家参考交流。
2023-03-31 15:14:52
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