英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29
117 英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45203 
高压功率放大器是一种特殊类型的放大器，专门用于放大高电压和高功率的信号。它在许多领域中具有重要的应用，下面安泰电子将详细介绍高压功率放大器适用的几个主要场合。 高压功率放大器适用于音频放大
2024-02-29 14:21:03101 
SMD封装是一种表面贴装封装技术，用于封装集成电路芯片或其他电子元件，以便直接安装在PCB的表面上。
2024-02-21 18:15:36567 德赢Vwin官网
网站提供《TSOT23-6FC；用于SMD的卷筒干包装信息.pdf》资料免费下载
2024-02-05 09:39:40
0 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 DFN封装是一种先进的电子元件封装工艺，与SMD封装相比，DFN封装提供了更高的灵活性和稳定性。
2024-01-28 17:24:551388 功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
一台高压电机额定功率5100KW,那它实际上能输出多少功率？
输出功率也就是有功功率，这个应该跟功率因数有关。
那它最大输出功率也不会超出5100KW,它的总功率也就是5100KW.
我如果让电机
2023-12-27 07:22:49
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37494 
LED显示屏SMD和COB封装技术有何不同？ LED显示屏是一种广泛应用于户内和户外广告、信息发布、娱乐等领域的显示设备。SMD（Surface Mount Device）和COB（Chip
2023-12-11 15:05:37781 SMD、IMD和COB三类；按芯片正反方向可分为正装、倒装两类；按封装基板材料可分为PCB基板封装和玻璃基板封装两类。
2023-12-08 09:08:221305 
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 
高压功率放大器是一种关键性能器件，常用于不同领域的应用，包括声音放大、通信系统、电力传输等。以下是关于高压功率放大器产品参数和优势的详细介绍。 一、高压功率放大器的产品参数 输入/输出电压范围：高压
2023-12-06 10:26:43173 
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49446 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40408 
（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiCMOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应
2023-12-02 08:14:01310 
适用于下一代大功率应用的XHP™2封装
2023-11-29 17:04:50265 
高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用
2023-11-24 14:57:39195 
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 
高压功率放大器 是一种专门用于放大高电压和高功率信号的电子器件，其主要作用是将输入信号放大到足够的范围内，以便后续电路进行进一步处理。在工业、医疗、军事等领域中，高压功率放大器有着广泛的应用。 下面
2023-11-20 17:28:22299 
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出了用于电池
2023-11-13 18:11:28219 
器件，能够像IGBT一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中，我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动电路 。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封装、系统性能和应用 。 封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
TDK东电化推出适合高功率应用的SMD耦合电感器
2023-11-01 15:52:33238 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压
2023-10-18 16:05:02328 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
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网站提供《SOD323F:用于SMD的卷盘.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:08:400 德赢Vwin官网
网站提供《SOD123FL:用于SMD的卷盘.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:07:500 德赢Vwin官网
网站提供《SOT8017用于SMD的卷盘包装.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:05:310 德赢Vwin官网
网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:24
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:22
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:09:45
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SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 07:42:05
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SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 07:30:53
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SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 06:56:21
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:47:35
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SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:28:58
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SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:19:55
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:19:44
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SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:08:07
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superp&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 08:12:36
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 07:17:57
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 07:12:49
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 06:17:30
说明
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 06:09:58
和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
2023-09-08 06:00:53
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 
。超结MOSFET兼具高耐压特性和低电阻特性，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。封装特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
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2023-08-02 17:17:11760 
高压功率放大器是一种能够将低电压信号转换为高电压输出信号的设备。它通常由前置放大器和功率放大级组成，广泛应用于雷达、医疗、半导体测试和工业自动化等领域。下面安泰电子将介绍高压功率放大器的几个主要
2023-07-19 17:38:33450 
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。
2023-07-10 15:09:39165 
及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 
研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37975 
MOSFET是开关和汽车应用中非常常见的元件，支持低压或高压摆幅，并具有宽范围的电流驱动。高功率应用的数量正在增加，从而产生了对功率MOSFET的额外需求。为了生产数量不断增加的功率MOSFET
2023-06-30 11:26:16878 
功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
高压功率放大器是一种用于产生高电压和高功率信号的电子设备，通常采用功率放大器电路来实现。它主要起到以下作用： 提供高电压信号 在一些应用中需要产生高电压信号，如高压变频器、医疗设备等。高压功率
2023-06-14 17:01:02466 
UTC 10N65-ML是一款高压功率MOSFET，它结合了先进的沟槽MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻和高崎岖雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
2023-06-14 16:45:450 引言: 随着电力电子技术的迅猛发展，高压功率MOSFET已成为现代电力系统和能源转换领域的关键组件之一。在这方面，CMZ120R080APA1作为一款创新的N型硅碳化物功率MOSFET，以其卓越
2023-06-12 17:42:13317 高压功率放大器是一种能够提供高电压、高功率输出的设备，被广泛应用于无损检测中。无损检测是一种非破坏性检测技术，通常用于测试工业产品的缺陷、材料组成和品质等方面。下面将详细介绍高压功率放大器在无损检测中的应用。
2023-06-12 09:14:52287 
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2023-06-06 10:02:58824 
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
功率模组封装代工 功率模块封装是指其中在一个基板上集成有一个或多个开关元件的功率半导体产品，所述开关元件包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、晶闸管
2023-05-31 09:32:31287 分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
，
逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑
输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可
用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作电压可达 700V。高速风筒专用电机驱动芯片采用
SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
不久前，英飞凌科技股份公司宣布其适用于高压MOSFET的QDPAK和DDPAK顶部散热（TSC）封装技术正式注册为JEDEC标准。
2023-04-29 03:28:004585 
—两焊盘之间的间距 W—器件管脚宽度 注：A， T， W 均取数据手册推荐的平均值 图3-39 无引脚延伸型SMD贴片封装 定义： T1为T尺寸的外侧补偿常数，取值范围：0.3~1mm T2
2023-04-17 16:53:30
用于低功率离线SMPS的汽车高压开关
2023-04-06 21:52:21
KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39987 
，不受走线的影响，适用于小零件焊盘，如0402，0201，01005 2、SMD焊盘维修时不容易撕裂和脱落，因为SMD焊垫的实际铜箔尺寸相对NSMD要来得大，而且绿油盖住了部分焊盘，所以焊垫与基板
2023-03-31 16:01:45
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
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