德赢Vwin官网
网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:58
0 德赢Vwin官网
网站提供《具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:19:400 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29117 聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）正式宣布，推出全新高压Buck—TPP0003X系列产品。
2024-03-18 13:50:31185 
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19558 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码603986)宣布，正式推出基于ArmCortex-M33内核的GD32F5系列高性能微控制器，全面适配于能源电力、光伏储能、工业
2024-03-16 08:22:4177 
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07187 
近日，备受瞩目的半导体供应商思瑞浦3PEAK正式推出了一款全新的3.3V供电、带故障保护功能的高速CAN收发器——TPT133X系列产品。这一创新产品的发布，标志着思瑞浦3PEAK在高性能模拟芯片和嵌入式处理器领域的技术实力再次得到市场认可。
2024-03-14 11:12:44209 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 潮，令800V平台、SiC电驱开始打进20万内的市场，SiC也进一步能够加速在市场上普及。 最近两家国内厂商又有多款SiC MOSFET产品通过了车规级认证，这将继续推动SiC功率器件量产上车。 瞻芯电子 瞻芯电子3月8日宣布，由公司开发的三款第二代650V SiC MOSFET产
2024-03-13 01:17:002631 
650V 高压 MOSFET 和高压启动电路
•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力
•多模式控制、无异音工作
•支持降压和升降压拓扑
•默认 12V 输出 (FB 脚悬空)
•待机功耗 <
2024-03-12 14:25:14
近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 近日，全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN™）已被台达电子（Delta Electronics, Inc.，以下简称
2024-03-12 10:42:46123 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海先楫半导体科技有限公司（先楫半导体，HPMicro）推出了国产高性能微控制器HPM6800系列，致力于提供单主控的数字仪表及HMI解决方案，携手生态合作伙伴构建全新的数字仪表显示及人机界面应用平台。
2024-03-07 12:30:39550 
上海瞻芯电子科技有限公司（简称“瞻芯电子”）近期取得了一项重要的技术突破。该公司推出的两款第二代SiC MOSFET产品，分别为650V 40mΩ规格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02364 Pickering Electronics，这家拥有超过50年小型化和高性能舌簧继电器制造经验的领导厂商，近日推出了全新的104系列干簧继电器。这一创新产品系列不仅实现了5kV的隔离额定值，而且在PCB面积占用方面也取得了显著突破。
2024-02-01 10:09:58172 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出四款全新大功率、极低欧姆 电流检测电阻系列。
2024-01-18 14:02:43190 近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770 
DK075G是一款高度集成了650V/160mΩGaNHEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK075G检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS）,当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小
2024-01-05 18:02:01275 
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
产品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩGaNHEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK065G检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS）,当VDS达到其最低值时开启功率
2023-12-16 12:04:28336 
产品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩGaNHEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK045G检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS）,当VDS达到其最低值时开启功率
2023-12-16 12:01:21224 今天兆芯正式推出了自主创新研发的新一代高性能桌面处理器——开先KX-7000系列产品。
2023-12-13 09:31:51784 
和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出四款全新大功率、极低欧姆电流检测电阻系列。Bourns 全新电流测量设备专为在电力电子设计中节省能源，同时最大化传感性能。该系列具有低温度系数 (TCR)，可在广泛的温度范围内提供操作精度和卓越的长期稳定性。其极低的电阻水平、低
2023-12-12 15:14:15337 
MOS管在直流充电桩上的应用，推荐瑞森半导650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超结MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
GaAs二极管是WBG功率半导体中的全新成员，其为设计人员提供了一种能够在高性能功率变换器中平衡效率与成本的方案。
2023-12-04 18:23:24455 
650V高压低功耗非隔离电源芯片，默认输出12V，最大电流2A，具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:030 相继推出两款高性能RISC-V CPU Core IP——主打极致性能的昉·天枢-90（Dubhe-90）和主打高能效比的昉·天枢-80（Dubhe-80），一款片上一致性互联IP——昉·星链-500
2023-11-29 13:37:35
、Buck-Boost 变换器拓扑应用。 BP8523D 内部集成了 650V 高压 MOSFET、高压启动和自供电电路、电流采样电路、电压反馈电路以及续流二极管!采用先进的控制技术，无需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255 
PN8036宽输出范围非隔离交直流转换芯片 ，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8036内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。
2023-11-16 10:24:00398 
德赢Vwin官网
网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
%以内的恒流精度，并且能够实现输出电流对电
感与输出电压的自适应，从而取得优异的线型调整率和负载调整率
LC6833 内部集成了 650V 功率MOSFET，无需次级反馈电路，也无需
补偿电路，加之精准
2023-10-30 18:01:18
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
Littelfuse宣布推出首款汽车级PolarP P通道功率MOSFET产品 IXTY2P50PA。这个创新的产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 近日，洛微科技对外发布新款高性能D系列 TOF相机D3，这是一款专为工业环境中高性能操作设计的3D TOF智能相机。
2023-09-22 10:47:43859 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快快恢复时间（trr），以及出色的品质因数（RDS(on) x Qg），能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
1 功率分立产品概述
2 IGBT 产品系列
3 HV MOSFET 产品系列
4 SiC MOSFET 产品系列
5 整流器及可控硅产品系列
6 能源应用
2023-09-07 08:01:40
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431202 
全新高性价比STM32H5，引入STM32H5 MCU系列用于高性能设计，提高应用程序性能，有灵活的电源模式，安全性可扩展
2023-09-05 06:51:14
---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ，用于支持工业设备应用 。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量
2023-09-04 15:13:401134 
能会对MOSFET的频率稳定性、相位噪声和总体性能产生负面影响。在振荡器中，闪烁噪声本身表现为靠近载波的边带，其他形式的噪声从载波延伸出来，频谱更平坦。随着与载波的偏移量的增加，闪烁噪声会逐渐衰减，直到
2023-09-01 16:59:12
设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650V。
特性
•650V无芯变压器隔离驱动器IC
•轨到轨输出
•保护功能
•浮动高侧驱动
•双通道欠压锁定
•3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
Ω 650V SOP7 SIC9773 0.9 4.5Ω 650V SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37263 650V硅上GaN增强型功率品体管，采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关，符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51685 
2023年8月16日，高性能嵌入式解决方案厂商“上海先楫半导体（HPMicro）”正式发布全新产品系列——高性能运动控制微控制器 HPM5300。独具匠“芯”的HPM5300系列以强劲的性能、灵活
2023-08-16 10:35:13211 随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17964 
面向能耗与成本敏感的中高端工业应用市场，不仅对芯片性能与功耗有更高要求，复杂的功能需求也考量着芯片的适配性与稳定性。极海为平衡客户对产品低功耗、高性能与高性价比等综合需求，正式推出APM32F411
2023-08-06 10:32:48448 
“国产化”一词正在被越来越多的提及，有着越来越高的关注度，飞凌嵌入式也已与多家国内芯片原厂联合推出了数款国产化智能平台。为了帮助大家快速认识飞凌嵌入式推出的各系列国产核心板产品，小编将以芯片品牌进行
2023-08-05 11:12:15
德赢Vwin官网
网站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:09:541 650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
更广泛的电源系统中实现更小、更轻且高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电
2023-07-24 11:30:39
PN8044，18V 300MA DIP8 非隔离电源芯片 ，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，PN8044内置650V高压启动模块。
2023-07-21 16:09:001205 
PN8034内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。
2023-07-21 15:55:072352 
继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
开关电源芯片U6773D内置5A 650V 的MOS，支持准谐振降压型LED恒流、恒压输出应用，仅需将SEL管脚短接到GND管脚即可。
2023-07-18 15:48:01612 ）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。 新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种
2023-07-13 17:40:02184 
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。功率MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37975 
纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成 高压自举二极管 ，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
在现代电子系统中，电力转换是最基本的组成部分之一。而功率晶体管则是这种电力转换的核心。随着科技的不断发展，我们需要更高性能的功率晶体管来支持更复杂的电子系统。本文将带你了解INN650
2023-06-25 17:51:03565 
电源管理芯片，支持PD3.1快充协议，最大充放电功率达140W，支持输入输出双向快充。
作为一家专注于高性能、高品质数模混合芯片设计公司，英集芯主营业务为电源管理芯片、快充协议芯片的研发和销售。英集芯
2023-06-25 11:51:27
保护和出色的散热性能，方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。文章来源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
引言： 在现代电源转换和电子系统中，高压MOSFET扮演着重要的角色。其中，CMW65R041DFD是一款备受瞩目的650V SJ MOSFET型号，具备许多引人注目的特点和广泛应用领域。本文将从
2023-06-13 14:06:48364 润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 近年来，汽车行业和绿色能源产业的发展迅速推动了电子元器件的进步，其中高性能电容器的需求越来越高。在这个领域中，风华高科推出的低损耗、高耐电压1210C0G630~1000V系列车规电容器引起了广泛
2023-06-09 10:30:42
【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:361026 
Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023-05-24 15:19:34447 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产
2023-05-18 16:34:23463 、APT32Fxxx系列：爱普特微电子推出了多款基于RISC-V CPU内核开发的32位高性能高可靠性单片机，主频相对较低48MHz，外设资源也都是常规的外设。主要面向工业控制，触控家电，消费电子设备，可穿戴设备等
2023-05-14 09:18:55
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 IP6862是一款英集芯全新推出的一芯双充无线充电方案，采用QFN32封装5*5MM可支持15W+15W/15W+5W版本，支持全新1芯双充无线充方案开发。科发鑫电子是英集芯一级代理商，提供全系列英
2023-04-07 18:45:16
TPM650xQ系列内置MOS管，耐压达到25V，支持全温度范围-40°C至+125°C可靠工作。通过极具竞争力的产品性能，TPM650xQ系列广泛应用于汽车总线接口、工业仪器等需要隔离供电的终端领域。
2023-04-01 12:49:11507 芯茂微电子于近期推出了LP6655系列高性能CCM/DCM定频PFC控制器。LP6655系列芯片的工作频率固定，有65kHz/133kHz/200kHz可选；单周期调制模式能够提供优异的功率因数表现，同时芯片在轻负载下能够降低工作频率以提升轻载能效。
2023-03-31 11:14:462424 SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
ME8133是一款高性能，高效率电流模式PWM控制器，内封650V/4A功率MOSFET，功率最高可达30W（220VAC）。
2023-03-29 10:08:081214 MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
2023-03-27 14:38:07
德赢Vwin官网
App
工商网监
评论