以电阻系数标示电导率时，半导体的电阻系数介于10-4至108Ωcm区间，导体的电阻系数位于10-8至10-4Ωcm区间，绝缘体的电阻系数横跨108至1018Ωcm范围。
2024-03-19 11:33:03
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JW7109是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关，且支持较快的上升斜率，以满足快速时序的要求。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 每个
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可编程导通上升时间的低25毫欧电阻单通道负载开关。它包含n沟道MOSFET，可以提供6A的最大连续电流。JW7106可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 在
2024-03-18 14:30:27
台积电的 Suk Lee 发表了题为“摩尔定律和半导体行业的第四个时代”的主题演讲。Suk Lee表示，任何试图从半导体行业传奇而动荡的历史中发掘出一些意义的事情都会引起我的注意。正如台积电所解释
2024-03-13 16:52:37
意法半导体新推出的八路高边开关兼备智能功能和设计灵活性，每条通道导通电阻RDS(on)(典型值)仅为110mΩ，保护系统能效，体积紧凑，节省 PCB 空间。
2024-03-12 11:41:49250 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 意法半导体（STMicroelectronics）近日发布了两款八路高边开关——0.7A IPS8200HQ和1.0A IPS8200HQ-1，这两款开关不仅具备出色的智能功能，还在设计上展现出极高
2024-03-12 10:47:42227 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
如何区别普通电阻和保险电阻？如何检验保险电阻好坏？ 普通电阻和保险电阻是两种不同的电子元件，下面将详细介绍如何区分普通电阻和保险电阻，并说明如何检验保险电阻的好坏。 1. 普通电阻和保险电阻的定义
2024-03-05 15:48:06201 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
半导体应变片和电阻丝应变片有什么不同？ 半导体应变片和电阻丝应变片是常用的两种测量应变的传感器。它们在测量应变的原理、结构、性能等方面存在一些不同点。 首先，半导体应变片是利用半导体材料的特性来测量
2024-02-04 15:07:22438 安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49291 
碳膜电阻器是将炭在真空高温条件下分解的结晶炭蒸镀沉积在陶瓷骨架上制成的,。这种电阻器的电压稳定性好，造价低，在普通电子产品中应用非常广泛。
2024-01-21 09:58:07136 
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。
2024-01-20 17:54:00916 
主要用于对电路中的浪涌电流进行限制和抑制，以保护其他电子元件不受到电流过大的损害。普通电阻则主要用于电路分压、限流、衰减等基本电阻功能。 2. 结构区别: 抗浪涌电阻通常由金属氧化物电阻体、导体引线和封装材料组成。金属氧化
2024-01-18 16:16:58557 半导体放电管是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时，器件被导通，这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降（VF
2024-01-04 16:52:07
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 1兆欧的电阻在半导体装配中的主要作用是什么？ 1兆欧的电阻在半导体装配中有着重要的作用。电阻是一个被设计为在电路中产生电压降的元件，通过限制电流流过的能力来改变电路的特性。在半导体装配中，电阻主要
2023-12-20 14:04:03220 用万用表如何检测普通电阻器？ 万用表是一种多功能测量工具，用于测量电流、电压和电阻。它可以用于检测各种类型的电阻器，包括普通电阻器。在本文中，我们将介绍如何使用万用表来检测普通电阻器的详细步骤
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通电桥测电阻的基本原理和方法 惠斯通电桥是一种常用的电阻测量工具，广泛应用于实验室和工业控制领域。本文将详细介绍惠斯通电桥的基本原理和方法，并说明其测量电阻的优势和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:11519 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 MOSFET 的选择关乎效率，设计人员需要在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 关闭期间，由于电流流过导通电阻而造成；开关损耗则发生在MOSFET 开关期间，因为 MOSFET 没有即时开关而产生。这些都是由 MOSFET 内半导体结构的电容行为引起的。
2023-11-15 16:12:33167 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 精密电阻和普通电阻的区别 普通电阻能否代替精密电阻？ 电阻是电子工程中一个常见的元件，它被用来控制电流和电压。精密电阻和普通电阻是电阻中的两个主要类别，它们之间的区别在于精度和稳定性。本文将详细介绍
2023-10-29 11:21:55933 “半导体”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质，前者像金属一样导电，后者几乎不导电。电流流动的容易程度与物质电阻的大小有关。如果电阻高，电流很难流动;如果电阻低，电流容易流动。
2023-10-27 14:18:281011 
罗姆半导体推出了双 MOSFET，该器件在单个封装中集成了两个 100V 芯片，使其适用于驱动通信基站和工业设备中的风扇电机。这五款新型号已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121367 MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02268 
稳压，不是本帖的讨论范围，我要探究的，是普通电阻与非线性电阻 对运放状态的影响。
2023-10-10 23:32:52
一、磁场对通电直导体的作用 通电导体周围存在磁场，将通电导体放入磁场中，根据磁体间的相互作用，它会受到磁场的磁力作用。 1、通电直导体受到均匀磁场作用力的方向，可用左手定则来判断。 2、通电直导体
2023-10-07 15:35:20957 
1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
导通电阻测试就是用来检测导线或连线情况是否正常的一种方法，是指两个导体间在一定电压下通过的电流所引起的电压降之比，通俗的说就是导线通电后的电阻值。芯片引脚导通性测试是一个必要的步骤，用于验证和检测芯片引脚之间的连接是否正确，以确保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341152 
PTC 是 Positive Temperature Coefficient 的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件.通常我们提到的 PTC 是指正温度系数热敏电阻,简称
2023-09-28 06:52:22
本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 07:55:12
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
什么是PN结的导通电压？ PN结是半导体器件中最常见的元器件之一，它将p型半导体和n型半导体的材料在一起，通过电场使它们连接在一起，并形成一个电子流的管道。在其中，导通电压是PN结的一个重要参数
2023-09-13 15:09:292818 半导体热敏电阻包括哪些 半导体热敏电阻是一种基于半导体材料的电阻，其电阻随着温度的变化而变化。它的应用十分广泛，涵盖了所有需要测量或控制温度的领域，如电子设备、医药、汽车工业和航空航天等。 半导体热敏电阻
2023-09-08 10:39:471077 意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
射频电阻和普通电阻区别 随着科技的不断进步和应用范围的扩大，射频技术在越来越多领域被广泛使用。在射频电路中使用的电阻，被称为射频电阻，而普通电路中使用的电阻，被称为普通电阻。射频电阻和普通电阻之间
2023-09-02 10:25:431207 的特性，其中一些包括： 1. 非线性电阻性能：半导体的电阻随着电压的变化而变化，而且不是线性的。这是由于在半导体材料内部存在多种电子轨道和能级，电子在能级间跃迁时会产生电流，从而导致电阻的变化。 2. 电子和空穴的导电
2023-08-29 16:28:581807 和管理者。今年，Nexperia（安世半导体）的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体！ 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140 ，减少人力资源消耗，为半导体行业降本增效。Novator系列全自动影像仪创新推出的飞拍测量、图像拼接、环光独立升降、图像匹配、无接触3D扫描成像等功能，多方面满足客户测量需求，解决各行业尺寸测量难题。
2023-08-21 13:38:06
电子电路必须具有过流保护，以防止大电流造成损害。由于开关时间快且导通电阻低，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）可用作过流保护电路中的开关。在本文中，我们将讨论基于 MOSFET 的过流预防的简单原理图电路图。
2023-08-18 17:32:582352 
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
1.串联电阻R与半导体ESD电露布线与防浪涌关系串联电阻R与半导体ESD电路布线中，哪个应放置靠近被保护IC?在信号线防浪涌保护中，信号线时常会串一颗小阻值的电阻作为保护器件来抑制浪涌电流，起到限流
2023-08-17 09:24:31538 先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
瑞森半导体超结MOSFET新品上市,RSF60R070F、RSF60R026W型号,打破行业常规 (TO-220F封装70mΩ）,业内优势导通电阻（典型值20mΩ）,国内少有产品型号 技术领航
2023-08-08 11:04:05489 
瑞森半导体超结MOSFET新品上市,RSF60R070F、RSF60R026W型号,打破行业常规 (TO-220F封装70mΩ）,业内优势导通电阻（典型值20mΩ）,国内少有产品型号 技术领航
2023-08-08 10:27:09304 
，由金属氧化物半导体结构组成。MOSFET是一种主要用于控制电流的无源器件，它具有高频特性和高电阻特性。MOSFET可用于各种应用，包括电源管理、模拟电路和数字电路中的开关和放大器。
2023-08-04 15:24:152047 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。
2023-07-27 15:24:51609 
优恩半导体05D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。最大峰值浪涌电流可达0.8 ka (8/20 μs脉冲)，可防止间接雷击干扰、系统
2023-07-12 17:33:26
优恩半导体10D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。最大峰值浪涌电流可达3.5ka (8/20 μs脉冲)，以防止高峰值浪涌，包括间接
2023-07-12 15:29:27
优恩半导体14D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。最大峰值浪涌电流可达6ka (8/20 μs脉冲)，以防止高峰值浪涌，包括间接雷击
2023-07-12 14:41:14
优恩半导体14DSC系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。最大峰值浪涌电流可达6ka (8/20 μs脉冲)，以防止高峰值浪涌，包括间接
2023-07-12 14:31:06
优恩半导体20D系列径向导联压敏电阻为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案，在这种小圆盘中提供比以往更高的浪涌额定值，极限峰值浪涌电流额定值可达10ka (8/20 μs脉冲)，以防止包括间接
2023-07-12 14:19:50
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构，对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021448 
镓器件大约在2015年推出市场，与具有相同导通电阻和额定电压的硅功率MOSFET相比，其价格更低 。从那时起，产量继续提升、氮化镓器件的价格持续下降、氮化镓技术不断改进和芯片进一步更小化。下图显示了
2023-06-25 14:17:47
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
目录 ⊙击穿电压 ⊙导通电阻 ⊙跨导 ⊙阈值电压 ⊙二极管正向电压 ⊙功率耗散 ⊙动态特性 ⊙栅极电荷 ⊙dv/dt 能力 尽管分立式功率MOSFET的几何结构，电压和电流电平与超大规模集成电路
2023-06-17 14:24:52591 
当前，第三代半导体中的碳化硅功率器件，在导通电阻、阻断电压和结电容方面，显著优于传统硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代传统硅基功率器件已成为行业发展趋势。面对当前行业发展新趋势，威迈斯等新能源汽车
2023-06-15 14:22:38357 
优恩半导体20DYC系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。极限峰值浪涌电流额定值可达10KA (8/20 μs脉冲)，以防止包括间接雷击
2023-06-14 11:34:37
优恩半导体32D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。极限峰值浪涌电流额定值可达30ka (8/20 μs脉冲)，以防止包括间接雷击干扰
2023-06-14 10:52:47
优恩半导体40D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。极限 峰值浪涌电流额定值可达30ka (8/20 μs脉冲)，以防止包括间接雷击干扰
2023-06-14 10:39:23
广，不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区，都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的技术积累，研发出同类别性能优异的超级结MOSFET，具备更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
光伏与储能是能源电力系统实现能量转换、存储利用的有效途径，在推动碳达峰碳中和方面发挥显著作用，碳化硅凭借导通电阻低开关损耗小的优势，可有效助力光伏与储能系统，节约能源，推荐使用国产基本半导体芯片
2023-06-12 14:58:36337 瑞森半导体在高速吹风机产品上主推平面高压MOS，开关频率高，控制方式简单，响应速度快，导通电阻小，可靠性高
2023-06-09 15:01:59413 
瑞森半导体在高速吹风机产品上主推平面高压MOS，开关频率高，控制方式简单，响应速度快，导通电阻小，可靠性高
2023-06-09 11:51:05370 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 Nexperia | 推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 光伏与储能是能源电力系统实现能量转换、存储利用的有效途径，在推动碳达峰碳中和方面发挥显著作用，碳化硅凭借导通电阻低开关损耗小的优势，可有效助力光伏与储能系统，节约能源，推荐使用国产基本半导体芯片
2023-05-29 10:16:48
场效应管是由多数载流子参与导电的半导体器件，也称为单极型晶体管。它是一种电压控制型半导体器件，具有噪声小、功耗低、开关速度快、不存在二次击穿问题，主要具有信号放大、电子开关、功率控制等功能，广泛应用
2023-05-26 14:24:29
2023 年 5 月 24 日，中国 —— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM
2023-05-26 14:11:20701 
中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
试述为什么金属的电阻温度系数是正的而半导体的是负的？
2023-04-23 11:27:04
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策，半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前，我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场，根据中国半导体行业协会
2023-04-14 16:00:28
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策，半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前，我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场，根据中国半导体行业协会
2023-04-14 13:46:39
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
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