1N4148的反向恢复时间通常为4毫微秒，而通用整流
二极管的反向恢复时间则为
2微秒。快速开关速度可通过高反向漏电流值和高正向压降来实现。它用Trr表示。 数据表分析 本文简要介绍了不同
二极管的特性。下章将介绍不同类型
二极管的基本功能和相应的电路符号。扫码关注我们
2024-01-25 18:01:01
光电
二极管接到ADL5304，光电
二极管偏置需要10V，是否必须双电源供电？
2023-11-24 07:50:26
TOLL Schottky SKY
肖特基
二极管，大电流应用时的应用注意事项! 48V PD3.1选用
肖特基做240W,480W PD电源，48V 10A的注意事项Motive TMBS TOLL
封装
肖特基绍 V1.2_页面_
3.jpg
2023-11-22 10:39:26
LLC电源 输出次级侧使用
肖特基
二极管产品整流 LLC次级侧使用
肖特基
二极管产品，灌胶电源有优秀的散热效果
2023-11-20 21:36:35
PT1583J-D
3是一款具有
SOD323-2L
封装的ESD保护
二极管，可替代PT1583J-D
3的产品型号：OmniVision: ESD5621W15-
2，
封装：
SOD323-2L。型号参数
2023-11-15 20:50:39
PT0391J-D
3是一款
SOD323
封装的
肖特基
二极管，具有一些特定的参数，包括最大反向电压为3.3V，最小击穿电压为3.6V，结电容为1.5pF，电容最大值为无穷大，导通电阻为
2Ω，静电放电
2023-11-13 20:11:56
AD210芯片的16、17、19 这
3个PIN，内部有
二极管的钳位保护吗？ 即：对正15V电源的
二极管，对-15V电源的
二极管；是否存在？ 外部电路应该怎么对管脚进一步保护呢？
2023-11-13 06:53:50
稳压
二极管并联使用，有什么问题
2023-10-17 07:18:20
SS310
肖特基
二极管原厂直销，欢迎咨询洽谈订购！产品类型：
肖特基势垒二极管
封装形式：SMC(DO-214AB)反向电压（最大值）：100V正向电流（最大值）：
3A压降（
VF）：0.85V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-10-11 10:51:44
SS36
肖特基
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肖特基势垒二极管
封装形式：SMC(DO-214AB)反向电压（最大值）：60V正向电流（最大值）：
3A压降（
VF）：0.7V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-10-11 10:45:48
1.请教各位贴片
二极管丝印6S/
3N（90度)、6S/31（90度）(
封装
SOD-123)，这两种
二极管具体型号是什么？
2.请教各位贴片三
极管丝印M51、7002K、 7P1、 B123(
封装都是SOT23)这四款
管对应的型号是什么？ 有知道的请回复，非常感谢！！
2023-10-08 11:30:53
二极管是单向导通，那么反向恢复时间是什么，需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57
SS34
肖特基
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肖特基势垒二极管
封装形式：SMC(DO-214AB)反向电压（最大值）：40V正向电流（最大值）：
3A压降（
VF）：0.55V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-16 15:10:15
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封装形式：SMB(DO-214AA)反向电压（最大值）：100V正向电流（最大值）：5A压降（
VF）：0.85V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-14 16:51:34
SS310
肖特基
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3A压降（
VF）：0.85V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-14 16:49:23
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3A压降（
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封装形式：SMB(DO-214AA)反向电压（最大值）：40V正向电流（最大值）：
2A压降（
VF）：0.55V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-14 10:48:51
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封装形式：SMA(DO-214AC)反向电压（最大值）：200V正向电流（最大值）：5A压降（
VF）：0.95V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-11 11:54:03
SS320
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封装形式：SMA(DO-214AC)反向电压（最大值）：200V正向电流（最大值）：
3A压降（
VF）：0.95V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-11 11:48:16
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封装形式：SMA(DO-214AC)反向电压（最大值）：200V正向电流（最大值）：1A压降（
VF）：0.95V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-11 11:44:55
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封装形式：SMA(DO-214AC)反向电压（最大值）：150V正向电流（最大值）：5A压降（
VF）：0.95V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-11 11:42:46
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VF）：0.95V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-11 11:40:03
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封装形式：SMA(DO-214AC)反向电压（最大值）：150V正向电流（最大值）：1A压降（
VF）：0.95V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-11 11:29:21
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3A压降（
VF）：0.85V工作温度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-09-11 11:22:03
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封装形式：SMA(DO-214AC)反向电压（最大值）：60V正向电流（最大值）：5A压降（
VF）：0.7V工作温度：-55°C~+150°C
2023-09-09 15:05:50
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VF）：0.7V工作温度：-55°C~+150°C
2023-09-09 14:36:56
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肖特基
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VF）：0.7V工作温度：-55°C~+150°C
2023-09-09 14:34:23
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2023-09-09 14:23:54
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肖特基
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VF）：0.55V工作温度：-55°C~+150°C
2023-09-09 14:12:37
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肖特基
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2A压降（
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2023-09-09 14:01:21
SS14
肖特基
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肖特基势垒二极管
封装形式：SMA(DO-214AC)反向电压（最大值）：40V正向电流（最大值）：1A压降（
VF）：0.55V工作温度：-55°C~+150°C
2023-09-09 13:58:14
判断
二极管的正负极有以下几种方法： 对于普通
二极管，可以看管体表面，有白线的一端为负极。 对于发光
二极管，引脚长的为正极，短的为负极。 如果引脚被剪得一样长了，发光
二极管管体内部金属
极较小的是正极
2023-09-06 17:39:55
二极管的电流方向是从正极流向负极。 就是从
二极管PN结的P区流向N区，在电路图中，
二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光
二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
近日，常有客户前来东沃电子咨询
SOD-123
封装
肖特基
二极管型号、选型、价格、样品、现货、交期等方面的信息。查阅东沃电子
肖特基
二极管产品库，可知，
SOD-123
封装
肖特基
二极管型号有：BAT54W
2023-09-05 10:10:07
1017
一、1N4148、1N4007、1N5819简介 1N4148是一款快速开关
二极管。它
采用平面技术制造，并
封装在密封的含铅玻璃
SOD27（DO-35）
封装中。 1n4007是PN结
2023-07-31 16:07:44
DC2421D5
SOD-523
封装Marking:24D双向TVS
二极管24V静电防护
二极管1-Line Bi-directional TVS
2023-07-26 09:26:19
600 V、20 A、TO-247-
3
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:50:38
600 V、16 A、TO-247-
3
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:46:45
600 V、10 A、TO-220-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:39:12
600 V、10 A、TO-263-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:29:01
600 V、8 A、TO-220-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:24:29
600 V、8 A、TO-263-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:21:52
600 V、6 A、TO-220-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:17:04
600 V、6 A、TO-220-F
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:14:55
600 V、6 A、TO-263-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:12:16
600 V、4 A、TO-220-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:09:36
600 V、4 A、TO-220-F
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 10:07:08
600 V、4 A、TO-252-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 09:51:09
600 V、
3A、TO-220-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-25 09:21:52
600 V、
3A、TO-252-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-24 17:45:09
600 V、
2A、TO-220-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-24 17:42:41
600 V、
2A、TO-220-F
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-24 17:37:00
600 V、
2A、TO-252-
2
封装、第
3代分立 SiC
肖特基
二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC)
肖特基
二极管
采用MPS（合并 PiN
肖特基）设计，比
2023-07-24 17:32:22
SDM
2U20SD3产品简介DIODES 的 SDM
2U20SD3是一款
2A、20V
肖特基整流器，
采用小型
SOD-323
封装。该器件具有
低
VF和
低储备泄漏，非常适合一般整流
2023-06-24 10:51:15
SDM1
L30CSP 产品简介DIODES 的 SDM1
L30CSP 是一款 30V 1A
肖特基势垒二极管，针对
低正向电压和软开关特性进行了优化，以满足无线充电应用的需求。它
采用紧凑
2023-06-24 08:57:54
SDM1
L20DCP3产品简介DIODES 的 SDM1
L20DCP3是一款 20V
肖特基势垒二极管，针对极低正向压降和
低泄漏电流进行了优化。它
采用1A
肖特基势垒二极管芯片尺寸
封装，仅占
2023-06-24 08:35:53
SiC JBS
二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC
肖特基
二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS
二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
SBR
3M100SB 产品简介DIODES 的 SBR
3M100SB 是一款
采用薄型 SMB
封装的单一整流器，在高温下提供极低的正向压降 (
VF) 和出色的
低反向泄漏稳定性。例如：升压
2023-06-16 10:45:17
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC
肖特基
二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
肖特基
二极管VR=80V IF=3A
VF=0.85V IR=500uA
2023-06-01 18:20:25
DT640系列硅
二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅
二极管。相比普通硅
二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一
2023-05-31 10:24:03
嗨， 任何人都可以帮助我。NodeMCU 上的
二极管是什么值？
2023-05-31 06:18:38
UJ
3D1725K2产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1725K2是一款
采用TO-247-
2L
封装的 25 A、1700 V SiC 合并 PiN
肖特基
2023-05-26 21:08:07
UJ
3D1250K2产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1250K2是一款
采用TO-247-
2L
封装的 50 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 21:03:05
UJ
3D1220KSD 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1220KSD 是一款
采用TO-247-
3L
封装的 20 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 20:50:50
UJ
3D1220K2产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1220K2是一款
采用TO-247-
2L
封装的 20 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 20:42:24
UJ
3D1210TS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1210TS 是一款
采用TO-220-
2L
封装的 10 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 20:36:36
UJ
3D1210KSD 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1210KSD 是一款
采用TO-247-
3L
封装的 10 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基
2023-05-26 20:26:31
UJ
3D1210KS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1210KS 是一款
采用TO-247-
3L
封装的 10 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 20:20:39
UJ
3D1210K2产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1210K2是一款
采用TO-247-
2L
封装的 10 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 20:14:25
UJ
3D1205TS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1205TS 是一款
采用TO-220-
2L
封装的 5 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基
2023-05-26 20:07:34
UJ
3D1202TS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D1202TS 是一款
采用TO-220-
2L
封装的
2A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 19:55:07
肖特基(MPS)
二极管。该
二极管具有零反向恢复电荷和 175 °C 的最高结温，非常适合具有最低冷却要求的高频和高效电源系统。 产品规格VDS 最大值(
2023-05-26 13:09:40
UJ
3D06520TS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D06520TS 是一款
采用TO-220-
2L
封装的 20 A、650 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 12:21:27
UJ
3D06520KSD 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D06520KSD 是一款
采用TO-247-
3L
封装的 20 A、650 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 12:12:15
UJ
3D06516TS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D06516TS 是一款
采用TO-220-
2L
封装的 16 A、650 V SiC 合并 PiN
肖特基
2023-05-26 11:59:21
UJ
3D06512TS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D06512TS 是一款
采用TO-220-
2L
封装的 12 A、650 V SiC 合并 PiN
肖特基
2023-05-26 11:52:48
UJ
3D06510TS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D06510TS 是一款
采用TO-220-
2L
封装的 10 A、650 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS
2023-05-26 11:47:05
UJ
3D06508TS 产品简介 Qorvo 的 UJ
3D06508TS 是一款
采用TO-220-
2L
封装的 8 A、650 V SiC 合并 PiN
肖特基
2023-05-26 11:16:35
的主要特点包括高频特性好、
低反向漏电流、
低正向压降、长期可靠性好等。在电路中使用
肖特基
二极管需要根据具体应用场合和用途来选择器件的
封装、电性能以及参数等。 1.产品结构Product Structure
2023-05-23 14:47:57
Qorvo 的 UJ
3D1250K2是一款
采用TO-247-
2L
封装的 50 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS)
二极管。该
二极管具有零反向恢复电荷和 175 °C
2023-05-11 13:51:27
Qorvo 的 UJ
3D1220K2是一款
采用TO-247-
2L
封装的 20 A、1200 V SiC 合并 PiN
肖特基(MPS)
二极管。该
二极管具有零反向恢复电荷和 175 °C
2023-05-11 13:39:54
高速/高增益APD
2、系列9近红外增强APD
3、系列10对1064nm增强APD 4、系列11蓝光增强APD 5、内置放大低噪声/高增益APD 其他系列： 硅光电
二极管、四象限探测器、InGaAs
2023-05-09 17:10:53
在
二极管电路中被钳位是什么意思？什么时候会出现被钳位呢？
2023-05-05 09:52:03
二极管单向导电是指电流只能从
二极管一端流出吗？单向导电的用途是什么呢？
2023-05-05 09:49:20
正向整流
二极管和反向整流
二极管作用是否一样呢？
2023-05-05 09:46:10
的试验脉冲波形和各种瞬变
二极管的PM值，请查阅有关产品手册。在给定的最大箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM下，箝位电压VC越
低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲
2023-04-25 16:58:23
为什么
二极管的压降越
低续流回路越长呢？
2023-04-24 14:12:58
二极管常见的
封装类型，DO-15、DO-27、
SOD-323、
SOD-723等，相信大家都很熟悉。图源：百度百科
封装指的是安装半导体集成电路芯片用的外壳。对于电子元器件来说，
封装是非常有必要
2023-04-13 14:09:54
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体
管（MOSFET)，其将嵌入式
肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
击穿电压时，TVS
二极管就会呈现出
低阻抗的路径。并通过大电流方式使流向被保护元器件的瞬间电流分流到TVS
二极管，同时将受保护元器件两端的电压限制在TVS
二极管的箝位电压。当过压条件消失后，TVS
二极管
2023-03-29 11:11:24
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