IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
亿纬锂能3月11日宣布，公司与StoreDot Ltd.签订了《战略合作框架协议书》，旨在充分整合双方资源及技术优势，力促大规模生产安全的“超高速可充电电池”项目加速落地。
2024-03-13 15:09:38
261 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19282 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 Picotest 是一家专门从事电源完整性和电源系统测试定制测试设备的公司，推出了一系列超高速瞬态负载电流步进器，彻底改变了电源完整性、热设计功率 (TDP)、IC 封装评估和电源系统测试的行业标准
2023-11-26 16:44:23877 Picotest 是一家专门从事电源完整性和电源系统测试定制测试设备的公司，推出了一系列超高速瞬态负载电流步进器，彻底改变了电源完整性、热设计功率 (TDP)、IC 封装评估和电源系统测试的行业标准
2023-11-15 16:26:10323 超高速实时运动控制卡XPCIE1032H硬件介绍、交互原理以及指令说明。
2023-11-10 14:00:30299 
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT MODULE 1200V 5000W
2023-11-01 10:26:39
如何检测复杂的超高速调制光信号？ 1. 背景介绍 随着通信技术的不断发展，越来越多的通信系统采用了超高速调制光信号传输数据。超高速调制光信号的传输速度非常快，可以达到每秒数十亿次甚至数百亿次。然而
2023-10-30 11:01:09212 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10422 
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
;1200V系列SiC二极管。
陆芯科技的产品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、单管和模块，具有以下技术优势：通过优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，有效减少芯片面积，达到工业级和汽车级可靠
2023-10-16 11:00:14
来源：半导体芯科技编译 Magnachip开始全面量产用于电动汽车PTC加热器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V绝缘
2023-09-19 16:04:38306 在一篇名为“衍射门控实时超高速测绘摄影”的论文中，Liang与加拿大Concordia大学和Meta Platforms Inc.的合作者展示了一款新型衍射门实时超高速绘图(DRUM)相机，可以在每秒480万帧的单次曝光中捕捉动态事件。
2023-09-16 09:46:111139 德赢Vwin官网
网站提供《Xilinx FPGA和SoC的超高速设计方法指南.pdf》资料免费下载
2023-09-14 09:41:06
0 德赢Vwin官网
网站提供《简化超高速数字系统中确定性延迟的设计.pdf》资料免费下载
2023-09-14 09:27:370 继英飞凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200VIGBT7P7芯片，并将其应用在PrimePACK模块中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 
高速电机的研究主要分为超高速化和大功率化两个方面。
国外对高速电机的研究时间相对较早，技术较为成熟，并开始向系列化和产业化发展。
国内在超高速与大功率高速电机方面的研究已经
2023-09-06 11:15:55270 
XPCIE1028超高速实时运动控制卡在六面外观检测高速视觉筛选中的应用，结合正运动技术提供的专用筛选机调试软件，可实现15000+pcs/分钟的IO触发检测速度，只需简单参数设置，搭配图像采集硬件和视觉处理软件，即可快速实现全自动CCD视觉筛选。
2023-08-28 15:17:44661 
型号：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT，适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值，能够提供低导通
2023-08-25 16:58:531477 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封装的1200V-140A IGBT单管，产品型号为 JHY140N120HA。产品外观和内部电路拓扑如下图所示。
2023-08-25 15:40:571056 
超高速视觉筛选机PCIe实时运动控制卡XPCIE1028
2023-08-22 09:31:24508 
新品用于高速开关应用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增强型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测
2023-07-31 16:57:59584 增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 德赢Vwin官网
网站提供《PI3EQX7741ST/PI3EQX7742ST源应用程序中的超高速转接驱动器.pdf》资料免费下载
2023-07-25 18:28:360 德赢Vwin官网
网站提供《PI3EQX7701超高速USB电源应用.pdf》资料免费下载
2023-07-25 16:03:470 供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
在此方向上，青桐资本项目伙伴「量芯微半导体（GaNPower）」（以下简称「量芯微」）在全球范围内率先实现1200V 硅基GaN HEMT的商业化量产，并于近日与泰克科技（Tektronix Inc.）合作进行了器件测试。
2023-07-19 16:37:301366 
RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 RJH1CM6DPQ-E0 数据表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM7DPQ-E0 数据表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CV7DPQ-E0 数据表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 国产芯炽SC7508是一款超高速电流反馈型放大器，压摆率高达5500V/μs，上升时间仅为545ps，因而非常适合用作脉冲放大器。
2023-06-20 14:22:53350 
的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。 针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块（B3模块）, 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735 本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
本应用笔记介绍了达拉斯半导体DS89C430和DS89C450超高速微控制器的全新串行端口特性。增加时钟倍频器允许用户选择原始频率四分之一的晶体，以产生相同的波特率并降低EMI。
2023-06-13 16:27:58421 
ROHM罗姆确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。
2023-06-06 15:04:07439 /引言/英飞凌TRENCHSTOPIGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EVcharger、焊机
2023-05-31 16:51:27636 EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CM6DPQ-E0 数据表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM7DPQ-E0 数据表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CV7DPQ-E0 数据表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 中，采用了罗姆的新产品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常务执行官 CFO 伊野和英（左）赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 随着全球电动化技术的快速发展，对功
2023-04-26 15:27:11517 
。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-04-26 09:17:51606 
随着轨道列车运行速度的不断提升，现有的列车信号传输系统容易受到外部因素影响，造成信号传输的不稳定和不准确。 为减少超高速行驶环境对列车信号传输的不良影响，TXGA研发生产的混合型D-sub连接器
2023-04-25 10:18:51479 飞创【超高速·长行程】直线电机模组总长9500mm，有效行程9m，宽230mm，高110mm，额定运行速度6m/s，最高运行速度8m/s，负载≤5kg，使用1个动子，水平安装方式。
2023-04-07 11:22:24701 
双路超高速大电流外设驱动器
2023-04-06 21:54:46
USB - A USB 3.0，超高速 插座 连接器 9 位 通孔，垂直
2023-04-04 15:05:00
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。产品特点得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列产品型号：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58674 USB - A USB 3.0，超高速 插座 连接器 9 位 通孔，直角
2023-03-30 20:36:53
USB - A USB 3.0，超高速 插座 连接器 9 位 通孔，直角
2023-03-30 20:36:47
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
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IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:46
IGBT MODULE 1200V 183A HEX
2023-03-29 15:14:45
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:42
IGBT MODULE 1200V 325A
2023-03-29 15:14:41
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:39
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
2023-03-29 15:14:37
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:31
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:30
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 60A
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 12A HEX
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 20A HEX
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IGBT MODULE 1200V 28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
超高速接口静电防护
2023-03-28 15:18:27
表面贴装超高速整流器
2023-03-28 12:54:53
表面贴装超高速整流器
2023-03-28 12:54:53
给大家解读超高速电路设计面临的挑战与广义信号完整性(GSI)内涵和走势。
2023-03-27 08:55:331119 
超高速1T 8051内核16路双模触控Flash MCU
2023-03-24 13:46:06
超高速1T 8051内核16路双模触控Flash MCU
2023-03-24 13:41:41
超高速1T 8051内核16路双模触控Flash MCU
2023-03-24 13:41:40
超高速1T 8051内核16路双模触控Flash MCU
2023-03-24 13:41:40
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