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网站提供《600V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR050数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 15:27:07
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网站提供《600V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR030数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 14:17:130 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43
224 EG3116D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG3116D
2024-03-04 11:56:130 请教一下各位大佬！小弟我想做一个正负500V，开关频率5MHz的H桥，mos管挑了IRFPG40，栅极驱动芯片粗选了IR2110。用Multisim仿真的时候发现，IR2110最高只能工作到几百
2024-03-01 15:36:07
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
本文通过分析低侧栅极驱动器的等效电路来计算如何合理的选取RGATE电阻的阻值，既要保持MOS管的良好开关性能，还要有效抑制振铃的产生。
2024-02-26 18:14:341236 
随着科技的不断进步，电动车控制器芯片作为电动车的核心部件，其性能和品质对于电动车的性能和安全性至关重要。SL3038 耐压150V恒压芯片是一款高效、可靠的降压IC，适用于60V、72V、90V等
2024-01-18 16:54:36
纳芯微近期推出了一款全新的NSD3604/8-Q1系列多通道半桥栅极驱动芯片，这款产品具有出色的性能和广泛的应用场景。
2024-01-15 15:14:21457 纳芯微全新推出NSD3604/8-Q1系列多通道半桥栅极驱动芯片，覆盖4/8路半桥驱动，可驱动最少4颗直流有刷电机，实现多通道大电流电机驱动，也可以作为多通道高边开关驱动使用。
2024-01-12 14:07:43354 
SL2516D LED恒流驱动芯片是一款专为LED照明设计的高效、高精度恒流驱动芯片。与LN2516车灯照明芯片兼容，可直接替换LN2516芯片，为LED车灯照明提供稳定、可靠的电源解决方案。
一
2024-01-10 16:03:35
必易微新推出的栅极驱动器 KP85402，专为家用电器和工业新能源等应用场景而设计。这款产品旨在为客户提供一个高可靠性、低成本的解决方案，以满足各种栅极驱动需求。
2024-01-08 15:33:25390 IR2104是一种常用的全桥驱动电路集成电路。它具有多种工作模式和高度可靠性，广泛应用于交流电机驱动、逆变器和电源等领域。本文将详细介绍IR2104全桥驱动电路的原理、特点和应用。 一、IR
2024-01-05 16:11:041106 IP2332单节锂电池同步开关降压充电芯片简介IP2332是一款 5V输入，支持单节锂电池同步降压充电管理芯片。IP2332集成功率 MOS，采用同步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，并有
2023-12-11 20:10:570 IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
2023-11-30 18:02:38294 
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）
2023-11-28 16:18:10271 
深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
2023-11-24 14:48:25217 
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网站提供《如何测量栅极驱动波形.pdf》资料免费下载
2023-11-24 11:06:523 德赢Vwin官网
网站提供《实现隔离式半桥栅极驱动器的设计基础.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:57:320 ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB栅极驱动器IC。该器件可实现纳秒 (ns) 级的栅极驱动速度，因此非常适合高速 GaN 功率器件开关。 通过对氮化镓技术的全面
2023-11-14 15:04:58438 深圳市三佛科技有限公司供应SA2601矽塔科技600V单相半桥栅极驱动芯片SOP8，原装现货 半桥栅极动心片.半桥栅极驱动芯片是一种用于驱动半桥功率器件(例如电力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
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网站提供《IR2110芯片在光伏逆变电路中的设计应用.pdf》资料免费下载
2023-11-06 10:04:290 IP2332 是一款 5V 输入，支持单节锂电池同步降压充电管理芯片。IP2332 集成功率 MOS，采用同步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，并有效减小整体方案的尺寸，降低 BOM 成本。
2023-11-06 09:19:161 美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 IP2332单节锂电池同步开关降压充电芯片简介IP2332是一款 5V输入，支持单节锂电池同步降压充电管理芯片。IP2332集成功率 MOS，采用同步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，并有
2023-11-01 20:16:330 －通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机电路板尺寸－ 中国上海， 2023 年 10 月 26 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出了两款600V小型智能功率器件(IPD)产品，适用于空调、空气净化
2023-10-27 11:13:00301 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 
igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 显示驱动解决方案：一套完整的显示驱动解决方案，一般由源极驱动器、栅极驱动 器、时序控制芯片和显示屏电源管理芯片组成。而源极驱动器 和栅极驱动器统称为显示驱动芯片。
2023-10-18 17:31:3611 拓尔微TMI8723-Q1可满足以上特性，集成过流保护功能的单通道N+NMOS的全桥栅极驱动芯片，采用小型QFN3x3封装.
2023-10-12 15:44:06564 
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网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模块SPE10S60F-A（600V/10A）的波轮洗衣机控制方案，FU6813是一款集成电机控制引擎(ME)和8051内核的高性能电机驱动专用芯片，内置高
2023-09-20 17:03:22
请问有没有懂全桥逆变器的工程师帮忙答疑个问题 。我做项目做全桥逆变器，用的芯片是ACPL-351J然后应用的是推荐的驱动电路，想问一下为什么我母线电压小于等于20V时，驱动波形比较正常，母线电压大于
2023-09-19 21:46:18
描述 EG2122 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路
2023-09-17 12:57:37
EG8025 是一款采用电流模式、中心对齐 PWM 调制方式和内置两路 600V 半桥高压 MOS 驱动器等一体的数模结合芯片,专用于逆变器产品。该芯片采用 CMOS 工艺，内部的主要模块为
2023-09-17 12:04:51
PT5619在同一颗芯片中集成了三个90V半桥栅极驱动器，可用于三相电机驱动。其拥有较高的栅极驱动电流，可用来驱动高功率MOS，适合用于锂电池类的手持工具或家电应用。芯片内置了死区时间，上下管直通保护，欠压锁定等保护线路，可有效地降低半桥电路损坏。
2023-09-11 18:34:31609 
2023 年 9 月 6 日，中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单成本，能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
了实现场效应管的控制，就需要用到一些驱动芯片，下面我们就来详细介绍一些常用的场效应管驱动芯片。 1. IR2110 IR2110是一款用于驱动单个或双路MOS场效应管的高压、高速驱动芯片。它采用了IR公司自主开发的高速和高电压集成电路工艺，
2023-08-25 15:47:392608 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下称“Toshiba”）推出了两款适用于直流无刷电动机应用领域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 （Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中
2023-08-21 10:49:56
上一篇文章我们介绍过，为了使MOS管完全导通，需要尽量提高栅极的驱动电流。那是不是栅极驱动电流越大越好呢，即驱动电路的内阻越小越好？
2023-08-14 09:34:182444 
本用例将讨论隔离式栅极驱动器在便携式发电站中的应用。
2023-08-02 11:41:49372 
通常GaN Hemt驱动存在2个难题：驱动电压低，容易误启动；栅极耐电压低，栅极容易损耗，因此需要专门的驱动器，不仅增加了设计复杂度，也额外增加了系统成本。
2023-07-23 15:08:36442 
比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。
2023-07-21 16:18:243392 
供应ID2006SEC-R1 200V高低侧栅极驱动IC，提供id2006芯片规格书关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器、全桥功率逆变器、任意互补驱动转换器等领域，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:31:284 供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供应ID7U603SEC-R1 600V半桥MOS栅极驱动IC，提供ID7U603规格书关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:11:044 供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
栅极驱动芯片可根据功能分为多种类型，如单路、双路、多路等。因此，在选型时需要根据具体应用情况进行选择。
2023-07-14 14:59:402457 
栅极驱动器是一种电子器件，它能够将信号电平作为输入，通过放大和转换等过程，产生适合于驱动下级器件的电源信号。栅极驱动器广泛应用于各种电子设备中，如显示器、LED灯、电源逆变器等。
2023-07-14 14:48:441356 传统栅极驱动器的实现需要隔离栅极驱动器和单独的隔离电源，在系统组装时，驱动器、电源和FET之间的连接可能会带来不必要的噪声，并产生电磁干扰（EMI），从而降低系统性能。而要减轻这些影响可能会带来更多设计复杂性，增大项目进度时间和成本，以及解决方案的体积和重量。
2023-07-13 09:47:40361 同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 产品简介PT5619 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护,非常
2023-07-11 18:06:26
PT5619 在 同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器 ，特别适合于 三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动 。
2023-07-11 16:12:24434 
图1所示电路显示了一个电路，其中低压微控制器与高压域（包括输出开关及其栅极驱动器）电气隔离（出于安全原因）。更快的开关速度意味着更快的开关瞬变。例如，GaN功率系统的开关时间通常为5ns（比传统
2023-06-28 14:33:33275 
在驱动MOS管时，我们希望给到MOS管栅极是标准的电压方波波形，但是在实际情况下，我们在测得的Ugs波形往往是带有振荡的。
2023-06-25 14:26:262111 
线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 
摘要：CM3003是一款高性价比的MOS管和IGBT管栅极驱动器芯片，具有逻辑信号输入处理、欠压保护、电平位移、脉冲滤波和输出驱动等功能。该芯片适用于无刷电机控制器和电源DC-DC中的驱动电路
2023-06-08 14:32:41706 
电源是电子设备的基础，其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器芯片的低功率输入，并为高功率晶体管（例如IGBT或功率MOSFET）的栅极产生高电流驱动
2023-06-08 14:03:09362 600V 高压半桥栅极驱动器 SOP8
2023-06-01 09:19:20
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391473 
栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电栅极驱动器的原理及应用分析用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-05-17 10:14:526240 
Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386439 
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
简单来说，栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电路。在某些情况下，例如驱动用于数字信号传输的逻辑电平晶体管时，使用微控制器输出不会损害应用的效率、尺寸或热性能。在高功率应用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-04-18 13:52:56699 
讨论了如何使用一个双开关反激式电路来提升低功耗隔离式转换器的效率。与单开关反激式电路相比，双开关反激式电路的主要代价就是需要一个浮动的高侧驱动。一个栅极驱动变压器通常用于双开关反激式电路的高侧FET，而栅极驱动变压器的使用是需要一些技巧的。如果磁芯没有在每个周期内正确复位，那么它就有可能饱和。
2023-04-15 10:42:47842 
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片，半桥驱动芯片， MOSFET驱动器
2023-04-06 22:44:20
前面我们也聊到过IGBT的栅极驱动设计，虽然今天聊的可能有些重复，但是感觉人到中年，最讨厌的就是记忆力不够用，就当回顾和加重记忆吧。
2023-04-06 17:38:291595 
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
2023-04-06 10:07:10
供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:344 栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 1000 -port 2331 -swoport 2332 -telnetport 2333 -vd -ir -localhostonly 1 -singlerun -strict -timeout
2023-04-04 07:19:44
供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592 供应IGBT 50A 600V 型号SGTP50V60FD2PF-士兰微驱动电机igbt，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域， 更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:14:31
供应igbt伺服电机驱动管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士兰微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:07:50
供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应士兰微焊机IGBT单管 驱动SGT20T60SDM1P7 20A、600V参数，提供SGT20T60SDM1P7 关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:01:10
供应士兰微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驱动电机的igbt晶体管，提供SGT20T60SD1S关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 15:27:47
供应5a、600v耐压igbt SGTP5T60SD1DFS可代换AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS规格书参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 14:48:131 AUIRS1170STR
2023-03-29 22:45:44
逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-PDIP
2023-03-28 18:24:30
IR21814类似的驱动芯片直接驱动MOS管，该电路具有驱动简单，成本低，PCB占用面积小等优点，在我司产品中得到广泛的应用。但是，所采用的LLC谐振拓扑来说，驱动频率在195K~360K之间变化
2023-03-28 11:42:481746 
。请检查设备名称和设置是否正确。SEGGER J-Link GDB Server V6.42a 命令行版本JLinkARM.dll V6.42a (DLL compiled Feb 1 2019 18
2023-03-28 06:49:30
IGBT驱动芯片IR2104的使用。 通过用arduino来控制IR2104芯片驱动半桥IGBT功率管，通过上位机串口控制实现输出不同占空比的伪模拟电压信号。主要知识点是电路板设计和上位机编程实现
2023-03-27 14:57:37
AUIRS4427 - GATE DRIVER
2023-03-27 12:30:59
AUIRS2004 - GATE DRIVER
2023-03-27 12:30:35
栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
2023-03-23 16:48:48535 
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