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网站提供《双P沟道增强型mosfet TPS1120数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:19:01
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网站提供《单P沟道增强型mosfet TPS1100数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:13:590 台积电的 Suk Lee 发表了题为“摩尔定律和半导体行业的第四个时代”的主题演讲。Suk Lee表示，任何试图从半导体行业传奇而动荡的历史中发掘出一些意义的事情都会引起我的注意。正如台积电所解释
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30
228 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
半导体放电管TSS：原理及在电子领域的应用？|深圳比创达电子EMC半导体放电管TSS是一种高压、高速、低电流的电子元件，广泛用于电力电子、通讯、光电子等领域。本文将从TSS的定义、工作原理、应用场
2024-03-06 10:07:51
半导体放电管TSS是一种高压、高速、低电流的电子元件，广泛用于电力电子、通讯、光电子等领域。本文将从TSS的定义、工作原理、应用场景等多个方面进行详细介绍，帮助大家更好地了解这一电子元件。接下来
2024-03-06 10:03:11
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管。它的工
2024-02-21 18:24:15408 
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网站提供《60 V，双N沟道沟槽MOSFET 2N7002AKS-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 13:57:090 德赢Vwin官网
网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:240 德赢Vwin官网
网站提供《60 V，P沟道沟槽MOSFET BUK9D120-60P数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:02:240 引言：EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场！EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件，它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电
2024-02-19 12:28:04191 
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网报道（文/黄山明）随着智能家居的发展，高效高性能的小体积电源越来越被市场青睐。想要将电源体积做得更小，但同时能够保证最好的性能，氮化镓（GaN）的出现，让这一方案得以实现。在智能家居
2024-01-19 00:21:003336 MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件；其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点
2024-01-09 10:22:43112 
使用LTC4013充电，输入24V，5A充电，没有使用MPPT功能，输出接12V铅蓄电池。
目前现象是可以产生5A电流充电，但Vinfet比Vdcin小，导致MOS管没有进行低阻抗导通，比较热，请问有关INFET管脚正常工作的设置条件（电路按照应用电路设计）
2024-01-05 07:24:28
半导体放电管是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时，器件被导通，这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降（VF
2024-01-04 16:52:07
逆变器是将直流电转换为交流电的电源电路。在应用设备中，为了实现节能，对小型、轻量、高效的逆变器的需求不断增加。为了实现逆变器的高速运行，已经提出使用宽带隙半导体和结合n沟道和p沟道晶体管的互补功率逆变器。
2024-01-03 16:45:40227 
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。本文将对N沟道和P沟道
2023-12-28 15:47:152269 
电子设备中。与N沟道MOS管相比，P沟道MOS管的导电沟道由P型半导体材料构成，因此其导通条件与N沟道MOS管有所不同。本文将对P沟道MOS管的导通条件进行详细介绍。 首先，我们需要了解P沟道MOS
2023-12-28 15:39:311083 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n沟道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
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网站提供《充放电双灯指示小体积移动电源TP4203数据手册.pdf》资料免费下载
2023-12-27 09:53:180 型号：50P06-VB丝印：VBE2625品牌：VBsemi参数：- P沟道 MOSFET- 额定电压：-60V- 最大持续电流：-50A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 10V
2023-12-20 15:07:09
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网站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:36:290 阈值电压（Vth）：-1.6V- 封装类型：TO252应用简介：FDD4685-VB是一款高性能的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高电流承
2023-12-14 11:19:22
Ω @ 4.5Vgs- 阈值电压（Vth）：-1.5V- 封装类型：SOP8应用简介：AO4441-VB是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），
2023-12-13 17:57:43
【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
是物体，人体会释放大量电荷，绝缘体的情况下放电能量要比外部物体大得多；当外部物体是设备时，如果不接地，即使导体也会积累电荷，一旦与半导体设备接触，电流就会流过设备，导致静电击穿；除去人体和设备的外部原因
2023-12-12 17:18:54
：P9006EDG适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。适用领域与模块：适用于电源开关、逆变器和功率放
2023-12-08 16:36:21
：AO3407适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。优势与适用领域：具有低导通电阻，适用于要求低功率损耗和高效率的领域，如电
2023-12-06 11:52:49
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加栅压使半导体表面反型时，源漏之间就有
2023-11-30 15:54:49398 
Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。
场效应管是由源极，漏极，栅极组成，由于衬底的掺杂不同可分为N沟道和P沟道场效应管。（沟道
2023-11-28 15:53:49
解一下什么是沟道。沟道是在半导体材料中形成的电子流的通道。通过在材料中创建和控制沟道，我们能够控制电流的流动，从而实现半导体器件的功能。在常见的场效应晶体管（Field-Effect Transistor, FET）中，沟道是连接源极和漏极的部分。 p沟道和
2023-11-23 09:13:422314 硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体)+FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属
2023-11-18 08:11:021311 
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网站提供《电源适配器对器件的小体积要求.doc》资料免费下载
2023-11-15 11:48:171 小体积与高速率的完美融合 计讯物联TG453系列产品是一款小体积5G工业网关。满足5G高速率网络需求，具有小体积，易安装，强兼容的特点。适用于对网速具有高要求的应用场景如无人驾驶、无人机、移动
2023-11-13 11:09:41
型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56:23293 
型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻 20mΩ @10V, 25m
2023-11-02 09:28:15
SUNLORDINC顺络新研发新的小体积热敏电阻以及方案应用
2023-10-31 16:18:30225 
在高集成度的控制系统上，电源模块体积越做越小，但是小体积难以做到大功率。为满足需求，致远电子推出一款小体积、大功率宽压输入电源模块，拥有比1W/3W产品更高的功率，比普通6W/10W产品更小的体积
2023-10-31 08:25:39238 
型号 FDD5614P丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72m
2023-10-28 11:48:41
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 VPS8702是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现3~6V输入电压、多种输出电压、输出功率高达3W
2023-10-12 10:23:07
VPS8701B是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现6~~~30V输入电压、多种输出电压、输出功率
2023-10-12 10:04:51
VPS6501是一款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现3.3V或5V输入、3.3V~~~24V输出
2023-10-12 09:52:32
VPS8505是一款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现3.3V或5V输入、3.3V~~~24V输出
2023-10-12 09:49:26
VPS8504C是一款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现3.3V或5V输入、3.3V24V输出
2023-10-12 09:43:02
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网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 本文档的主要内容详细介绍的是半导体芯片的制作和半导体芯片封装的详细资料概述
2023-09-26 08:09:42
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网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 影响MOSFET阈值电压的因素 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的半导体器件，具有高输入阻抗、低输出阻抗、高增益等特点。MOSFET的阈值电压是决定其工作状态的重要参数，影响着
2023-09-17 10:39:446648 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
意法半导体拥有最先进的平面工艺，并且会随着G4不断改进：• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
安建半导体40V SGT MOSFET产品已经通过AEC-Q101车规认证的全部测试。
2023-09-06 17:48:45474 SHIKUES时科小体积大能量，BTA12A双向可控硅
2023-09-05 15:49:45319 
和管理者。今年，Nexperia（安世半导体）的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体！ 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140 供应AP90P03Q p沟道mos管 30v 60a丝印:90P03Q-铨力半导体代理，提供AP90P03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:40:01
供应AP2335 场效应管(MOSFET) SOT-23 丝印2335 P沟道 20V7A，是铨力半导体代理商，提供AP2335规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 16:24:490 目前BGA封装技术已广泛应用于半导体行业，相较于传统的TSOP封装，具有更小体积、更好的散热性能和电性能。
在BGA封装的植球工艺阶段，需要使用到特殊设计的模具，该模具的开窗口是基于所需的实际焊球
2023-08-21 13:38:06
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
及其应用。
什么是晶体管
晶体管是电子设备。它是通过p型和n型半导体制成的。当半导体放置在相同类型半导体之间的中心时，这种排列称为晶体管。我们可以说晶体管是两个二极管的组合，它是背靠背连接的。晶体管是一
2023-08-02 12:26:53
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种场效应晶体管（FET），由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在MOSFET中，漏极由栅极端的电压控制，因此MOSFET是一种电压控制器件。施加在栅极
2023-07-07 10:13:352972 
在H桥电路中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
因具备高频、高效、耐高压、耐高温、抗辐射等优越性能特点，氮化镓是时下最热门的第三代半导体材料之一；因可帮助芯片成品增加集成度、减小体积并降低功耗的特性，SIP（System in Package
2023-06-26 09:52:52362 氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
HY1908D/U/V N沟道增强型MOSFET规格书免费下载。
2023-06-14 17:04:041 效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。 内阻低 超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。
体积小 在同等
2023-06-13 16:30:37
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。MOSFET体积越小，单个 MOSFET的耗电量就越少，还可以制造出更多的晶体管，让其发挥作用，可谓是一举多得。
2023-06-13 12:29:09596 
半导体冷冻治疗仪利用半导体制冷组件产生的低温来治疗疾病，是近年来发展较快的物理治疗设备。它具有温控精确、功耗低、体积小等优点，在康复治疗领域有广阔的应用前景。半导体冷冻治疗仪包括治疗仪本体、半导体
2023-06-12 09:29:18699 
兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体)，分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 *附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路，限制
2023-06-05 22:50:12
;amp;做高ROI秋招策略
2、半导体行业人才资源趋势
3、高端人才校招：雇主品牌与效能提升！
未来一年赢在高端人才校招！
主讲人介绍
黄博同
复醒科技CEO·复旦大学微电子博士
主讲人黄博同先生
2023-06-01 14:52:23
日：基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372
场效应管是由多数载流子参与导电的半导体器件，也称为单极型晶体管。它是一种电压控制型半导体器件，具有噪声小、功耗低、开关速度快、不存在二次击穿问题，主要具有信号放大、电子开关、功率控制等功能，广泛应用
2023-05-26 14:24:29
中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 小体积温控开关具有体积优势、轻量化优势、安装方式优势和空间利用优势，能够更好地满足特定应用场景的需求。
2023-05-22 10:48:48210 
型功率管，是由双极型三极管 (BJT) 和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。随着新能源汽车、智能家电、5G、轨道交通等行业的兴起，MOSFET和IGBT也迎来了发展的春天。
2023-05-18 09:51:583446 
在苹果的MagSafe磁吸无线充电器选用了以上器件，该器件的小体积吸引了众多应用工程师的爱好，在DFN1608的体积下，0603大小，可以满足2A的持续电流，并满足低VF的肖特基产品。
2023-05-10 10:25:42137 
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
占有率达到8.87%，位居行业第二。作为一家专业从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，晶导微拥有国际领先的GPP芯片生产工艺和先进的SMD封装技术，形成了从分立器件芯片和框架的研发设计、制造
2023-04-14 16:00:28
占有率达到8.87%，位居行业第二。作为一家专业从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，晶导微拥有国际领先的GPP芯片生产工艺和先进的SMD封装技术，形成了从分立器件芯片和框架的研发设计、制造
2023-04-14 13:46:39
全自动半导体激光COS测试机TC 1000 COS（chip on submount）是主流的半导体激光器封装形式之一，对COS进行全功能的测试必不可少
2023-04-13 16:28:40
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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