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网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:58
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网站提供《具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:19:400 近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19
558 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
随电压升高而增大，试了几次仍然是这样，按理说输出功率限制后不应该明显增大，而我设置时输出功率达到了上百瓦进而直流源触发保护，断电后放电测量IGBT的续流二极管，二极管压降正常0.381V，但是测量
2024-02-18 19:52:20
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02364 大于过渡电容值，并且与直流电流值成正比。
Cdiff = dQ/dV = [dI(V)/dV]ΓF
存储时间
PN结二极管在正向偏压配置下就像一个完美的导体，而在反向偏压配置下就像一个完美的绝缘体。在从正向
2024-01-25 18:01:01
近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770 
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
【 2023 年 12 月 19 日，德国慕尼黑讯】 为提高结温传感的精度，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出带有集成温度传感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:26900 
650V高压低功耗非隔离电源芯片，默认输出12V，最大电流2A，具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:030 光电二极管接到ADL5304，光电二极管偏置需要10V，是否必须双电源供电？
2023-11-24 07:50:26
、Buck-Boost 变换器拓扑应用。 BP8523D 内部集成了 650V 高压 MOSFET、高压启动和自供电电路、电流采样电路、电压反馈电路以及续流二极管!采用先进的控制技术，无需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255 
如何设计一个光电二极管带反偏的放大电路？
我现在有一个光电二极管，反偏电压是直流30V，现在我希望做一个放大电路，放大此光电二极管的输出，有参考设计吗？
另外希望是低功耗的设计，放大器用单电源3V左右，反偏电压是直流30V，有比较好的推荐电路或芯片吗？
2023-11-16 07:14:53
二极管滨松的S2386-5K，运放AD8615（后来又试了AD8641），负电源接了-0.3V。
使用光电二极管跨阻放大，光电二极管没有偏置，使用光伏模式，但后级输出是正弦波信号，参考了ADI官方的一些电路，不知道怎么把正弦信号转成有效稳定的直流信号
2023-11-14 07:48:26
如图，我用ADA4817做光电二极管的前置放大。上电后，二极管没有光输入，二极管两端会有约600mV的直流电压是什么原因呢？测量反馈电阻两端电压为0，说明没有电流，是layerout问题吗，还是这种现象是正常的？可为什么一样的电路我用AD8616就没有这种现象。
2023-11-14 07:25:39
AD210芯片的16、17、19 这3个PIN，内部有二极管的钳位保护吗？ 即：对正15V电源的二极管，对-15V电源的二极管；是否存在？
外部电路应该怎么对管脚进一步保护呢？
2023-11-13 06:53:50
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
稳压二极管并联使用，有什么问题
2023-10-17 07:18:20
二极管是单向导通，那么反向恢复时间是什么，需要怎么测试
2023-09-27 07:51:57
电阻和二极管档空表笔显示300，短路能显示0，是不是什么元件烧了，二极管也一样，电阻电流测量正常
2023-09-27 07:49:45
，大的片状的是负极。
也可打开万用表，将旋钮拨到通断档，将红黑表笔分别接在两个引脚。若有读数，则红表笔一端为正极；若读数为“1”，则黑表笔一端为正极。
根据具体情况，选择合适的方法判断二极管的正负极。
2023-09-06 17:39:55
二极管的电流方向是从正极流向负极。
就是从二极管PN结的P区流向N区，在电路图中，二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
2ED020I06-FI是一款高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电，也可以通过二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外
2023-08-24 18:21:45
新手求问，单片机的引脚为什么要接二极管再接5v
2023-08-21 07:05:03
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
650V,50A,至247-3包件,第六代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 17:03:47
650V,50A,至247-2包件,第六代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 16:57:33
650V,30A,至247-3包件,第3代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 16:55:34
650V,30A,至247-3包件,第3代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 16:48:29
650V,20A,至247-3包件,第3代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 16:46:10
650V,20A,至247-3包件,第6代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 16:44:17
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2023-07-26 16:42:20
650V,20A,到220-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 16:16:20
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2023-07-26 16:14:27
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2023-07-26 16:12:27
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2023-07-26 15:57:35
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2023-07-26 15:48:48
650V,12A,到220-2包件,第3代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 15:46:02
650V,10A,至220个孤立包,第3代离散硅肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 15:43:58
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2023-07-26 15:41:25
650 V, 10 A, TO-252-2 package, Gen 6 Discrete SiC Schottky Diode沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子
2023-07-26 15:18:52
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2023-07-26 15:11:28
650V,10A,至252-2包件,第3代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 15:07:54
650V,10A,-263-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 15:01:41
650V,10A,QFN包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:59:31
650V,8A,至220个孤立包,第3代离散硅肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:57:15
650V,8A,到220-2包,第六代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:51:51
650V,8A,至252-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:28:22
650V,8A,到220-2包件,第3代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:21:52
650V,8A,到252-2包件,第3代离散的肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 11:28:16
650V,8A,-263-2包件,第3代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 11:22:36
650V,8A,-263-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 11:18:14
650V,8A,QFN包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 11:15:29
650V,6A,至220个孤立包,第3代离散硅肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是为高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 11:06:05
继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
开关电源芯片U6773D内置5A 650V 的MOS，支持准谐振降压型LED恒流、恒压输出应用，仅需将SEL管脚短接到GND管脚即可。
2023-07-18 15:48:01612 点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出最新一代 [1] 用于工业设备的碳化硅 （ SiC ） 肖特基势垒二极管 （ SBD
2023-07-13 17:40:02184 
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管，耐压650V 6A DFN5*6封装，原装，库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量，可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
电压：650V 电流：6A 碳化硅二极管MSL06065G1，碳化硅二极管，耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作温度范围-
2023-07-05 15:54:11
*6 电压：650V 电流：6A 碳化硅二极管MSL06065G1，碳化硅二极管，耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
续流二极管到底是什么
2023-06-26 07:55:08
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 嗨，
任何人都可以帮助我。NodeMCU 上的二极管是什么值？
2023-05-31 06:18:38
做反激60W次级整流用二极管，Vds尖峰还不到10V用同步整流的话MOS的Vds将近50V，请大神赐教，为什么？怎么解？
2023-05-29 18:32:37
Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 、高速数字电路、射频电路等领域。相比于普通的 pn 结二极管，肖特基二极管的 pn 结由金属与半导体材料直接接触形成，而不是由掺杂半导体 。其工作原理为，当肖特基二极管正向偏置时，电子从金属侧进入半导体中
2023-05-23 14:47:57
n-mos管截止如果在s-d之间加上正向电压，体二极管会不会导通？
2023-05-16 14:30:44
客户有评估板。想知道为什么有 4 个二极管的位置没有放置。用户指南 UM11348 v2.2 2020 年 10 月指出“当需要对有源桥进行 MOSFET 引脚开路测试时，为每个有源桥 MOSFET 添加一个并联二极管”。有人可以详细说明吗？
2023-05-12 08:20:12
在二极管电路中被钳位是什么意思？什么时候会出现被钳位呢？
2023-05-05 09:52:03
二极管单向导电是指电流只能从二极管一端流出吗？单向导电的用途是什么呢？
2023-05-05 09:49:20
正向整流二极管和反向整流二极管作用是否一样呢？
2023-05-05 09:46:10
瞬变二极管的特性参数
①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。
VWM是瞬变二极管最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入瞬变二极管的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于
2023-04-25 16:58:23
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