英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日
推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC
MOSFET系列，这一创新
产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高
功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29
117
德赢Vwin官网 网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌
推出了CoolSiC
MOSFETG2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC
MOSFET技术，相比上一代
产品也就是CoolSiC
MOSFETG1
2024-03-19 18:13:18
1431
瞻芯电子近日宣布成功
推出三款第二代650V SiC
MOSFET
产品，这些
产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型
MOSFET的
推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
279
德赢Vwin官网 网报道（文/梁浩斌）在过去的2023年，国产SiC
功率器件
产品迎来了全面爆发，众多厂商宣布入局或是
推出车规级SiC
MOSFET
产品，寻求打进汽车供应链。而今年春节后的新一轮新能源汽车降价
2024-03-13 01:17:00
2631
意法半导体（ST）近日
推出了一系列
功率
MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些
产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43
224
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布
推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代
功率
MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型
功率
2024-03-12 10:38:14
102
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布
推出新型80V对称双通道N沟道
功率
MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新
产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:02
93
东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型
功率
MOSFET已正式
推出。该系列
产品特别适用于数据中心和光伏
功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在
功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36
255
在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的
产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布
推出新一代碳化硅（SiC）
MOSFET沟槽栅技术，标志着
功率系统和能量转换领域迈入了新的发展阶段。
2024-03-12 09:53:52
97
在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功
推出新一代碳化硅（SiC）
MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™
MOSFETGeneration 2。这一创新技术的
推出，标志着
功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:29
125
请问用XMC
1400做异步电机驱动控制，FOC转矩和速度控制，
功率大约4KW，24V，低压大电流，有速度传感器，转速大约1500rpm,可以满足性能吗
2024-03-01 08:34:55
三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（
RF）高
功率金属氧化物半导体场效应晶体管（
MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高
功率放大器。
2024-02-28 18:18:46
910
意法半导体（下文为ST）的
功率
MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36
578
在关断状态下，
功率
MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。
MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53
343
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中
推出高速二极管型
功率
MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41
976
Vishay
推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代
功率
MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的
功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08
353
桩中决定充电效率和能量转化的关键元件是IGBT和
MOSFET。在各类半导体
功率器件中，未来增长最强劲的
产品将是
MOSFET与IGBT模块。
MOSFET和IGBT区别以
2024-02-19 12:28:04
191
安建半导体 (JSAB) 隆重
推出全新的150V SGT
MOSFET
产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49
291
功率
MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36
294
德赢Vwin官网 网站提供《FP6151内置内部
功率
MOSFET
产品手册》资料免费下载
2024-01-15 14:47:23
0
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，
推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC
MOSFET器件新
产品（N2M120007PP0）。该
产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的
功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57
316
英飞凌
推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽
功率
MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家
推出15
2023-12-29 12:30:49
362
迁移率晶体管）。为什么同是第三代半导体材料，SiC和GaN在
功率器件上走了不同的道路？为什么没有GaN
MOSFET
产品？下面我们来简单分析一下。 GaN 和SiC
功率器件的衬底材料区别 首先我们从衬底材料来看看SiC和GaN
功率器件的区别，一般而言，SiC
功率器件是在
2023-12-27 09:11:36
1219
：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，
推出业界首款15 V沟槽
功率
MOSFET——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率
2023-12-12 18:04:37
494
如何避免
功率
MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24
522
功率
MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究
功率
MOSFET故障的原因、后果，对于
MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
2023-12-04 15:57:24
1113
功率
MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36
315
问题1：在
功率
MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的
功率
MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗？
2023-12-03 09:30:40
408
功率
MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38
407
MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而
功率
MOSFET则指处于
功率输出级的
MOSFET器件，通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34
196
国产新风尚！WAYON维安针对PC及PC电源
推出
MOSFET细分
产品
2023-11-01 15:10:01
231
功率
MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下
功率
MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍
MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47
373
在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下
功率
MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16
765
和小
功率
MOSFET类似，
功率
MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27
493
Littelfuse宣布
推出首款汽车级PolarP P通道
功率
MOSFET
产品IXTY2P50PA。这个创新的
产品设计能满足汽车应用的严苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25
402
汽车电子
MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护
功率开关的性能。
功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低
功率级别，
MOSFET可以与
功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58
148
Littelfuse 公司宣布
推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小
功率N沟道耗尽型
MOSFET。
2023-10-18 09:13:28
502
众所周知，由于采用了绝缘栅，
功率
MOSFET器件只需很小的驱动
功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道
功率
2023-10-18 09:11:42
621
MOSFET也已经发展到了第3代，新
推出的650V和1200V电压
产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅
MOSFET的优势 相同
功率等级的硅
MOSFET相比，新一代碳化硅
MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02
268
全新的OptiMOS6 40V
功率
MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V
功率
MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新
产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12
518
中压
MOSFET，是美格纳40~200V沟槽
MOSFET的尖端
产品组合。 在大
功率设备中，能源效率对于降低功耗和确保稳定性至关重要。利用美格纳尖端的沟槽式
MOSFET技术，这些新发布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09
736
在过去的十几年中，大
功率场效应管引发了电源工业的革命，而且大大地促进了电子工业的发展。由于
MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET
功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
如何避免
功率
MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35
590
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ
MOSFET是一种先进的高电压
功率
MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高 性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
1
功率分立
产品概述 2 IGBT
产品系列 3 HV
MOSFET
产品系列 4 SiC
MOSFET
产品系列 5 整流器及可控硅
产品系列 6 能源应用
2023-09-07 08:01:40
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日
推出先进的全新OptiMOS™
功率
MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的
功率
MOSFET的
产品阵容，此举旨在提供
功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新
产品广
2023-09-06 14:18:43
1202
功率
MOSFET是便携式设备中大
功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些
MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算
MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例，详细说明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32
446
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：
功率分立器件概览 、 IGBT
产品3、高压
MOSFET、 碳化硅
Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
稳定性和效率兼备，雷卯
MOSFET改变您的
产品。一.
MOSFET工作原理及作用1.工作原理
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19
342
闪烁噪声，也称为1/f噪声，是由于导体接触点电导的随机涨落引起的。在低频区域，这种噪声
功率谱密度与频率成反比，因此，它对电路的影响可能更加显著。 在
RF振荡器中，闪烁噪声尤其可能占主导地位。这可
2023-09-01 16:59:12
功率半导体自20世纪50年代开始发展起来，至今形成以二极管、晶闸管、
MOSFET、IGBT等为代表的多世代
产品体系。新技术、新
产品的诞生拓宽了原有
产品和技术的应用范围，适应更多终端
产品的需求，
MOSFET同样衍生出GaN，SiC新型材料的
产品去覆盖更高
功率密度、更高电压、以及高开关速度的应用场景。
2023-08-31 14:14:07
1044
雪崩强度是
MOSFET的一种特性。在
MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是
MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些
MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24
501
为了划分所涉及的
功率并创建可以承受更多
功率的器件，开关、电阻器和
MOSFET并联连接。
2023-08-29 11:47:48
302
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，
推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道
功率
MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款
产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10
600
功率
MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06
552
近年来，老龄化趋势带来了医疗需求的增加，对医院疾病诊断能力提出了更高的要求，动态
DRF功能全面、图像清晰、检查便捷，是更加适合老年人的影像学检查方式。 随着身体各项机能的减弱，老年人是消化道疾病
2023-08-22 11:14:17
179
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司
推出了新一代异步整流
MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道
功率
MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高
功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45
367
医用诊断X射线机的高速发展为现代放射学插上了高科技的翅膀，尤其是动态平板
DRF的出现，为放射影像领域带来了新的活力，那么对于精神专科医院而言，动态平板
DRF发挥了什么作用呢？ 精神病患者对于身体病痛
2023-08-07 10:17:37
512
从方案图可知，方案分为2级防护：第一级防护推荐选用两端陶瓷气体放电管(GDT)2R90A-Q做共模保护，保证前端的瞬间高压保护作用，将瞬间大电流释放到地。中间采用退耦电容做延迟。由于
RF射频端口
2023-07-28 17:07:40
1037
森国科隆重
推出IGBT分立器件新品，兼具
功率
MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和
功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13
355
/HEV 子系统中的马达驱动器、EV 牵引变流器及 DC-DC 转换器。凭借低 RDS(ON) 的特性，在需要高
功率密度的
产品应用中，此系列
MOSFET能以较低的温度运作。
2023-07-20 15:43:45
374
继先后
推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅
MOSFET以及碳化硅模块
产品后，2023年7月 森国科正式对外
推出650V超结
MOSFET系列新品 ，相较于传统的
功率
MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16
638
及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体
功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能
功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要
产品包括自有品牌的SGT
MOSFET、Trench
MOSFET等
功率器件和硅基
MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02
520
研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体
功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年，是一家聚焦高性能
功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业，主要
产品包括自有品牌的SGT
MOSFET、Trench
MOSFET等
功率器件和硅基
MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:00
1409
MOSFET的漏伏安特性（输出特性）：截止区（对应GTR的截止区）;饱和区（对应于GTR的放大区）;非饱和区（对应于GTR的饱和区）。
功率
MOSFET在开关状态下工作，即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37
975
随着国家二胎、三胎政策的开放，越来越多适龄女性加入生育大军队伍，随之而来的便是对妇幼检查需求的增长。动态
DRF以革新的动态平板探测器作为全新的数码载体，临床应用广泛，在妇幼检查中有着重要的临床价值
2023-06-30 10:02:24
250
功率
MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:54
1276
功率
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三个管脚，分别为栅极（ Gate
2023-06-28 08:39:35
3665
功率
MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20
369
2SA
1400-Z 数据表
2023-06-26 20:55:39
0
X 线检查是肛肠疾病早期发现和诊断最有效的手段之一，随着数字化技术的发展，可视化动态
DRF的出现为肛肠疾病患者带来了更加精准、舒适、方便的检查方式。 动态
DRF在肛肠科检查中优势明显。首先，17
2023-06-16 11:03:34
242
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，
推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道
功率
MOSFET系列
产品线。
2023-06-16 09:03:30
228
德赢Vwin官网 网站提供《如何使用Arduino MKR GSM
1400的蜂窝定位.zip》资料免费下载
2023-06-15 15:06:10
0
UTC 10N65-ML是一款高压
功率
MOSFET，它结合了先进的沟槽
MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻和高崎岖雪崩特性。这种
功率
MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
2023-06-14 16:45:45
0
中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，
推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道
功率
MOSFET系列
产品
2023-06-13 16:38:50
712
高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ
MOSFET系列
产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了
产品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
PRISEMI芯导
产品推荐 | TOLL封装
MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58
824
功率
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate
2023-06-05 15:12:10
671
引言： 在现代高效能系统中，
功率
MOSFET扮演着至关重要的角色，它们是实现低功耗、高效率和精确控制的关键元件。为满足不断发展的市场需求，我们
推出了全新的ASDM65N18S
功率
MOSFET，它以卓越的性能和创新特点引领着控制革新的浪潮。
2023-06-05 13:41:16
434
Nexperia |
推出用于自动安全气囊的专用
MOSFET(ASFET)新
产品组合 基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）
推出了用于自动化安全气囊应用的专用
MOSFET
2023-05-29 10:35:11
372
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功率
MOSFET驱动保护电路方案大全，希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
这款简单的
MOSFET
功率音频放大器电路具有TL071C和2个
MOSFET（IRF9530和IRF530），可在45Ω扬声器上提供高达8W的
功率，在70Ω扬声器上提供高达4W的
功率。该原理图
2023-05-23 16:50:33
1164
同步整流技术就是用
功率
MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即
功率
MOSFET。
2023-05-18 09:10:06
421
近日罗姆新
推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch
MOSFET
产品（40V/60V/80V/100V/150V），备受各个厂家的青睐。本文将为各位工程师呈现该系列
产品
2023-05-17 13:35:02
471
功率
MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义，失效的现象及评估的方法是
功率
MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:45
1133
在
功率
MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA（Safe Operation Area）图片，这个安全工作区域图告诉我们只有
MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:31
1174
数据手册就是电子元件的使用说明书，在电路设计之前，十分有必要通读数据手册，并了解
产品的重要性能参数。在
MOSFET的数据手册中极限值表格中的总
功率损耗Ptot就是一个十分有趣的参数。说它有趣是因为
2023-05-15 16:10:25
626
功率
MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
2SA
1400-Z 数据表
2023-05-06 19:09:34
0
我正在通过 WiFi 将 ESP32 连接到 WiFi 路由器。我在两端都使用了非常高增益的天线，它们并排放置。避免损坏 ESP-32 上的
RF引脚。我想知道 ESP-32 的
RF引脚 (LNA_IN) 上的最大输入
功率。
2023-04-25 07:08:12
KUU
推出超小型SOT-723封装
MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代
MOSFET，这些新低阈值电压
MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多
2023-04-04 16:10:39
987
UF2840GRF
功率
MOSFET晶体管 5W，100-500 MHz，28VRF
功率
MOSFET晶体管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，
推出150V N沟道
功率
MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该
产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32
727
EVAL BOARD FOR
DRF100
2023-03-30 11:45:35
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC
MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大
功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
SENSAPHONE
1400
2023-03-28 04:39:11
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