IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2024-03-18 16:30:39
262 
除了业界已经采用的高压 GaN（额定值 >=600V）外，新的中压 GaN 解决方案（额定值 80V-200V）也日益受到欢迎，可在高压 GaN 之前无法支持的电源系统中实现更高的功率密度和效率。
2024-03-15 17:58:13819 
为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
高八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日 /美通社/ -- 德州仪器 (TI)（NASDAQ 代码：TXN）今日推出两个全新的功率转换器件产品系列，可帮助工程师在更小的空间内实现更高的功率，从而以更低的成本提供超高的功率密度。德州仪器新款 100V 集成氮化镓 (GaN) 功率级采用热增强
2024-03-07 16:03:04211 应用提供比之前高八倍以上的功率密度。 中国上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州仪器 (TI)（NASDAQ 代码：TXN）今日推出两个全新的功率转换器件产品系列，可帮助工程师在更小的空间内实现更高的功率，从而以更低的成本提供超高的功率密度。德州仪器新款 100V 集成氮化镓 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5370 
在处理激光光学时，功率和能量密度是需要理解的两个重要概念。这两个术语经常互换使用，但含义不同。表1定义了与激光光学相关的功率密度、能量密度和其他相关术语。 表1：用于描述激光束和其他电磁辐射
2024-03-05 06:30:22167 
在高压600V，额定电流10A的压缩机电机控制中，IGBT经常烧坏，主要有哪些原因导致它损坏。
2024-02-22 17:58:38
AP9523高功率密度5V/2.5A模块电源方案
2023-12-25 13:36:42235 
在电力电子系统的设计和优化中，功率密度是一个不容忽视的指标。它直接关系到设备的体积、效率以及成本。以下提供四种提高电力电子设备功率密度的有效途径。
2023-12-21 16:38:07276 
半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上
2023-12-18 09:40:221150 
报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
技术的产品系列，其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合，重点如下：1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度，可用于商用车和农用车(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 
功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充
2023-12-05 17:03:49446 
采用IGBT7高功率密度变频器的设计实例
2023-12-05 15:06:06364 
使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
通过GaN电机系统提高机器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
提高4.5kV IGBT模块的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计
2023-11-23 09:08:35284 
随着汽车行业逐步纵深电气化，我们已经创造出了显著减少碳排放的可能性。然而，由此而来的是，增加的电子设备使得汽车对电力运作的需求日益攀升，这无疑对电源网络提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在电源管理设计中的关键切换功能，成为了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
中，正逐渐引入 SiC 器件以及更高的母线电压，提升充电功率。这一趋势也对隔离式偏置供电电源的设计提出了新的要求，对此，MPS 推出 LLC 变压器驱动芯片以及隔离式偏置电源模块解决方案，助力高功率密度的充电系统设计。 演讲大纲： 1. 隔离式偏置电源的挑战 2. LLC 变压器
2023-11-15 12:15:01202 
点的非隔离（POL）降压稳压器用于驱动各种电子负载，如微处理器，FPGA和ASIC的跨系统板。构建POL调节器的任务是更简单的，因为现在的降压比越小。近日，在技术展区文章“更高功率，效率和密度八分之一砖转换器”它表明，八分之一砖
2023-11-03 16:20:24213 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 
未来对电力电子变流器的要求不断提高。功率密度和变流器效率须进一步提高。输出功率应适应不同终端客户的不同项目。同时，变流器仍需具有成本竞争力。本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
。
功率半导体器件作为电能转换、驱动、控制等电力电子装置的基础和核心，是推动电力电子系统转换效率、功率密度、体积重量等方面优化的关键因素之一。
下面以特斯拉来看看功率半导体IGBT的分布，下图
2023-10-16 11:00:14
主体结构采用SPM的结构，极槽布置布置采用：12极18槽，最高转速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁钢型蛤采用：N50，硅钢材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51201 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成为一个有待解决的重要问题。另外，早期应用的故障率远高于预期。高压LED 照明面临的主要挑战是继续提高功率密度和效率，并提升可靠性和经济性，以满足未来应用需求。本文将介绍宽带隙 （GaN） 技术，以及该技
2023-10-03 14:26:00305 
电力电子产品设计人员致力于提升工业和汽车系统的功率效率和功率密度，这些设计涵盖多轴驱动器、太阳能、储能、电动汽车充电站和电动汽车车载充电器等。
2023-09-26 10:00:04166 
德赢Vwin官网
网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:50
0 。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服电机）、机器人、电梯、机器操作手、工业自动化、功率逆变
2023-09-19 02:43:54232 了该封装的功率密度上限。目标应用领域：1200VP7模块首发型号有以下两个：相比于以前的IGBT4或IGBT5产品，新的IGBT7产品进一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430 IGBT功率模块失效的主要原因是温度过高导致的热应力，良好的热管理对于IGBT功率模块稳定性和可靠性极为重要。新能源汽车电机控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度随着对新能源汽车性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906 
，比如近几年，单电机的功率越来越大，功率密度越来越高，每一次性能上的提升都是材料、散热、电路控制方面的进步。 此前《中国制造2025重点领域技术路线图》中的目标是，到2025年和2030年，国内乘用车驱动电机20s有效比功率分别要达到≥
2023-08-19 02:26:001870 
依靠简单的经验法则来评估电源模块密度的关键因素是远远不够的，例如电源解决方案开关频率与整体尺寸和密度成反比；与驱动系统密度的负载相比，功率密度往往以不同的速率变化；因此合理的做法是将子系统和相关器
2023-08-18 11:36:27264 。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如
2023-08-14 16:00:49283 器 件， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载 流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密 度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流 电压为 600V 及以上的
2023-08-08 10:14:122 供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304，提供id5s609芯片资料关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 关键参数 ，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
RJH60D5BDPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 RJH60M5DPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60M7DPQ-E0 数据表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M6DPQ-E0 数据表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJH60T04DPQ-A1 数据表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020 RJP60V0DPM-80 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJP60V0DPM 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 RJH60A83RDPD-A0 数据表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJH60A81RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310 RJH60A01RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170 几乎每个应用中的半导体数量都在成倍增加，电子工程师面临的诸多设计挑战都归结于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
针对所有的应用，人们越来越注意电动马达的运作效率；因此，对高效率驱动器的需求变得日益重要。此外，使用马达驱动的设计，例如电动马达、泵和风扇，需要降低整体成本，且需要减低这些电动马达应用中的能耗；因此
2023-07-05 12:00:33299 
V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱
2023-07-05 09:20:27459 
针对所有的应用，人们越来越注意电动马达的运作效率；因此，对高效率驱动器的需求变得日益重要。此外，使用马达驱动的设计，例如电动马达、泵和风扇，需要降低整体成本，且需要减低这些电动马达应用中的能耗；因此，为电动马达及其的驱动指定高效率的设计，以适合每项特定应用变得更加重要。
2023-07-01 16:09:02380 
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC变换器设计
2023-06-21 07:35:15
功率密度本设计实现35W/in3功率密度，满载94.5%效率@ 90Vac，并通过CE和RE标准足够的保证金。
2023-06-16 09:04:37
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
90vac时效率为94.5%，在230vac时效率为95.8%与之前最先进的设计相比，效率至少提高1%，节能高达20%。估计外壳尺寸为100cc，功率密度为1.4 W/cc。
2023-06-16 08:06:45
目前市面上的各种电器大多需要进行AC-DC电源转换，因此若能提升AC-DC电源转换效率，将有助于降低家庭的电力消耗与企业的运营成本，也有利于提升像是储能系统、电池充电等应用的运作效率。本文将为您介绍功率因数校正技术的特性，以及由安森美（onsemi）推出的NCP1681 PFC控制器的产品特性与优势。
2023-06-14 10:08:10598 
线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 
， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT
2023-06-09 09:45:30583 800 V 架构降低了损耗，该行业还需要尺寸缩小但输出功率增加的逆变器，实现远超硅（Si）基技术（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:231161 
在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741 
）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V
2023-05-17 15:10:46956 RJH60A83RDPD-A0 数据表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A81RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390 RJH60A01RDPD-A0 数据表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 又是逆变器实现高传输效率、高功率密度的关键器件，目前电动汽车驱动逆变器绝大部分是基于传统Si(硅)器件IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块的设计，存在开关频率低、损耗大的缺点，外围配套滤波器体积大，质量重，制约了逆变控制器功率密度的提高。
2023-05-11 14:04:531486 
能量转换效率是一个重要的指标，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基础上再有所提升。为了实现这一提升，开始逐渐采用越来越复杂的转换拓扑，如移相全桥（PSFB）和LLC变换器。而且二极管将逐渐被功耗更低的MOSFET所取代，宽带隙（WBG）器件更是以其惊人的开关速度被誉为未来的半导体业明珠。
2023-05-08 09:39:17735 
点击蓝字 关注我们 随着科技发展和环境保护的要求，电力转换系统效率变得越来越重要。图腾柱PFC作为提高大功率单相输入电源的效率和功率密度的重要拓扑也受到了许多人的关注。那么利用图腾柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
作为一种宽带隙晶体管技术，GaN正在创造一个令人兴奋的机会，以实现电力电子系统达到新的性能和效率。GaN的固有优势为工程师开启了重新考虑功率密度的方法，这些方法在以前并不可能实现，如今能满足世界日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。
2023-04-07 09:16:45575 
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2023-04-06 11:45:301042 供应ups逆变器igbt单管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a规格书参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-04 10:39:344 供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105 供应50A、600V SGTP50V60FD2PU电机逆变器igbt，是士兰微igbt一级代理商，提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:22:26
供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592 供应IGBT 50A 600V 型号SGTP50V60FD2PF-士兰微驱动电机igbt，提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域， 更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:14:31
供应SGT30T60SD3PU伺服电机控制igbt 600V、30A规格参数，提供SGT30T60SD3PU关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS,SMPS以及PFC等领域，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:09:042 供应igbt伺服电机驱动管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士兰微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:07:50
供应STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源电机igbt管600V、30A参数，提供SGT30T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:59:562 供应全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:02:491 供应士兰微焊机IGBT单管 驱动SGT20T60SDM1P7 20A、600V参数，提供SGT20T60SDM1P7 关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 16:01:10
供应SGT20T60SD1F 20A、600V igbt单管开关逆变器，提供SGT20T60SD1F关键参数 ，是士兰微IGBT代理商，更多产品手册、应用料资请向骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:40:25
供应士兰微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驱动电机的igbt晶体管，提供SGT20T60SD1S关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 15:27:47
供应士兰微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a单相半桥逆变，提供SGT15T60SD1S igbt关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 15:22:02
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2023-04-03 14:48:131 RJH60D5BDPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60M5DPQ-E0 数据表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310 RJH60M7DPQ-E0 数据表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60M6DPQ-E0 数据表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070 RJH60T04DPQ-A1 数据表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000 RJP60V0DPM-80 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJP60V0DPM 数据表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 交通应用中电气化的趋势导致了高功率密度电力电子转换器的快速发展。高开关频率和高温操作是实现这一目标的两个关键因素。
2023-03-30 17:37:53914 ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35930 
IGBT驱动芯片IR2104的使用。 通过用arduino来控制IR2104芯片驱动半桥IGBT功率管，通过上位机串口控制实现输出不同占空比的伪模拟电压信号。主要知识点是电路板设计和上位机编程实现
2023-03-27 14:57:37
功率密度指标评价需要在一定的前提条件下进行，与指标定义、评价对象、运行电压、工作温度及其冷却条件、持续时间、恒功率调速范围等因素密切相关，不同前提下功率密度量化指标差异巨大。
2023-03-27 14:12:002004 对于电源管理应用程序而言，功率密度的定义似乎非常简单：它指的是转换器的额定（或标称）输出功率除以转换器所占体积，如图1所示。
2023-03-23 09:27:49710 
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