JW7109是一款具有可编程
导通上升时间的
低
导
通电阻双通道负载开关，且支持较快的上升斜率，以满足快速时序的要求。它包含两个N沟道
MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可编程
导通上升时间的
低
导
通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道
MOSFET，每个沟道可以提供6A的最大连续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 每个
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可编程
导通上升时间的
低25毫欧
电阻单通道负载开关。它包含n沟道
MOSFET，可以提供6A的最大连续电流。JW7106可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作。 在
2024-03-18 14:30:27
东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型
功率
MOSFET已正式
推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏
功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在
功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36
255
另外，CoolSiC
MOSFET产品组合还成功实现了SiC
MOSFET市场中的最低导
通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、
功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41
502
功率
MOSFET正向导通时可用一
电阻等效，该
电阻与温度有关，温度升高，该
电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该
电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。
2024-03-07 11:43:21
233
如何区别普
通电阻和保险
电阻？如何检验保险
电阻好坏？ 普
通电阻和保险
电阻是两种不同的电子元件，下面将详细介绍如何区分普
通电阻和保险
电阻，并说明如何检验保险
电阻的好坏。 1. 普
通电阻和保险
电阻的定义
2024-03-05 15:48:06
201
“
功率电感和普
通电感的区别”这是一个讨论度非常高的话题。
功率电感是一种专门为应对高
功率应用而被设计出来的一种电感产品，而普
通电感则是用于一般的普
通电路中。那么，它们之间究竟有哪些区别呢？本篇我们就来
2024-02-27 22:02:07
0
：** P-Channel- **额定电压（Vds）：** -60V- **额定电流（Id）：** -38A- **
导
通电阻（RDS(ON)）：** 61mΩ @ V
2024-02-19 16:02:15
“
功率电感和普
通电感的区别”这是一个讨论度非常高的话题。
功率电感是一种专门为应对高
功率应用而被设计出来的一种电感产品，而普
通电感则是用于一般的普
通电路中。那么，它们之间究竟有哪些区别呢？本篇我们就来
2024-02-19 10:30:52
156
和限制。它们通常具有较小的尺寸和较低的
功率容量。低
功率
电阻器通常以小型
电阻器的形式存在，如普
通电阻器、电位器、烧线等。 低
功率
电阻器的主要特点如下： 1. 高精度：低
功率
电阻器通常具有高精度的阻值，能够提供稳定的
电阻
2024-02-19 09:25:13
299
碳膜
电阻器是将炭在真空高温条件下分解的结晶炭蒸镀沉积在陶瓷骨架上制成的,。这种
电阻器的电压稳定性好，造价低，在普
通电子产品中应用非常广泛。
2024-01-21 09:58:07
136
抗浪涌
电阻和普
通电阻的区别 抗浪涌
电阻和普
通电阻虽然都属于
电阻器件，但在功能、结构和特性方面有很大的区别。本文将详尽、详实、细致地从多个方面对这两种
电阻进行比较分析。 1. 功能区别: 抗浪涌
电阻
2024-01-18 16:16:58
559
功率
MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导
通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点，因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36
294
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，
推出了一款具有业界领先超低导
通电阻的SiC
MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导
通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的
功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57
316
英飞凌
推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽
功率
MOSFET。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家
推出15
2023-12-29 12:30:49
362
用万用表如何检测普
通电阻器？ 万用表是一种多功能测量工具，用于测量电流、电压和
电阻。它可以用于检测各种类型的
电阻器，包括普
通电阻器。在本文中，我们将介绍如何使用万用表来检测普
通电阻器的详细步骤
2023-12-20 10:46:24
669
惠斯
通电桥测
电阻的基本原理和方法 惠斯
通电桥是一种常用的
电阻测量工具，广泛应用于实验室和工业控制领域。本文将详细介绍惠斯
通电桥的基本原理和方法，并说明其测量
电阻的优势和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:39
2759
55Kw6级电机空转时有
用功无
用功大约为多少。
功率因数为多少？
2023-12-14 07:00:44
选电缆时是按有
用功选还是按视在
功率选啊?
2023-12-13 08:04:13
电机铭牌的
功率是有
用功还是视在
功率呀？
2023-12-12 07:24:40
如何避免
功率
MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24
522
现代
功率MOSFETs的发展趋势是向着更高开关频率和更低导
通电阻发展，因此现代的
功率MOSFETs相较于10年前的
功率MOSFETs
2023-12-04 16:10:05
1481
功率
MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36
315
11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)
MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导
通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:18
756
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的
MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导
通电阻
2023-11-20 01:30:56
189
功率放大器是一种用于放大电流或电压的重要设备，广泛应用于音频、通信、无线电和电力等领域。正确地使
用功率放大器可以确保其正常工作并获得满意的性能。下面西安安泰将介绍使
用功率放大器的一般步骤和注意事项
2023-11-14 11:54:59
359
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，
推出“SSM10N961L”低导
通电阻30V N沟道共漏极
MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10
459
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前
推出了“SSM10N961L”。这是一款低导
通电阻、30V N沟道共漏
MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22
319
高压
功率
MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导
通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导
通电阻急剧增大，电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:12
1426
精密
电阻和普
通电阻的区别 普
通电阻能否代替精密
电阻？
电阻是电子工程中一个常见的元件，它被用来控制电流和电压。精密
电阻和普
通电阻是
电阻中的两个主要类别，它们之间的区别在于精度和稳定性。本文将详细介绍
2023-10-29 11:21:55
933
电力
MOSFET的反向
电阻工作区 电力
MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。
MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是根据输入电压控制输出电流。然而
2023-10-26 11:38:19
435
功率
MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下
功率
MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍
MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47
373
罗姆半导体
推出了双
MOSFET，该器件在单个封装中集成了两个 100V 芯片，使其适用于驱动通信基站和工业设备中的风扇电机。这五款新型号已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02
482
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？
MOSFET栅极电路
电阻的作用？
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在
MOSFET中，栅极电路的电压和
电阻
2023-10-22 15:18:12
1367
AW35321QNR是艾为电子
推出的双通道单刀双掷模拟开关。0.5Ω（典型值）超低导
通电阻以及只需要单电源供电即可支持负摆幅信号的特性使其非常适合应用于音频领域。
2023-10-18 09:21:40
786
众所周知，由于采用了绝缘栅，
功率
MOSFET器件只需很小的驱动
功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态
电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道
功率
2023-10-18 09:11:42
621
MOSFET也已经发展到了第3代，新
推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅
MOSFET的优势 相同
功率等级的硅
MOSFET相比，新一代碳化硅
MOSFET导
通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02
268
AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低
导通状态
电阻45V
功率
MOSFET，即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和
低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器
2023-10-17 17:53:58
稳压，不是本帖的讨论范围，我要探究的，是普
通电阻与非线性
电阻对运放状态的影响。
2023-10-10 23:32:52
1、超级结构 高压
功率
MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导
通电阻随电压
2023-10-07 09:57:36
2772
MOSFET
功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
如何避免
功率
MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35
590
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:24
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:28:22
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 08:09:45
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 07:44:11
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 07:42:05
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 07:30:53
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-18 06:56:21
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:47:35
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:28:58
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:19:55
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:19:44
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:08:07
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-18 06:07:42
在任一瞬间，
电阻中的电流瞬时值与同一瞬间
电阻两端电压的瞬时值的乘积，称为
电阻获取的瞬时
功率，用P R 表示，即: P R =u R i=(U~Rm~sinωt)^2^/R 由于瞬时
功率时刻变动，不便计算，因而通常都是计算一个周期内取
用功率的平均值，即平均
功率
2023-09-15 16:12:53
1420
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ
MOSFET是一种先进的高电压
功率
MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且
导
通电阻
低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高 性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superp&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 07:55:12
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 07:17:57
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 07:12:49
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于要求更高效、更紧凑、更轻、更高
2023-09-15 06:17:30
说明 SJ
MOSFET是一种先进的高压技术
功率
MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和
低
导
通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明
2023-09-15 06:09:58
射频
电阻和普
通电阻区别 随着科技的不断进步和应用范围的扩大，射频技术在越来越多领域被广泛使用。在射频电路中使用的
电阻，被称为射频
电阻，而普
通电路中使用的
电阻，被称为普
通电阻。射频
电阻和普
通电阻之间
2023-09-02 10:25:43
1207
为了划分所涉及的
功率并创建可以承受更多
功率的器件，开关、
电阻器和
MOSFET并联连接。
2023-08-29 11:47:48
302
。超结
MOSFET兼具高耐压特性和低
电阻特性，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导
通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高
功率密度的快速开关应用中。封装特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56
513
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司
推出了新一代异步整流
MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道
功率
MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高
功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45
367
MC100ES
6535数据表
2023-07-14 11:28:05
0
IP
6535是一款集成同步开关的降压转换器，支持多种输出快充协议，为车载充电器、快充适配器以及智能排插等产品提供了完整的解决方案。该芯片内置
功率MOS，输入电压范围为5.2V到32V，输出电压范围
2023-07-13 11:50:16
0
。
功率
MOSFET的漏极之间有一个寄生二极管，当漏极与反向电压连接时，器件连接。
功率
MOSFET的导
通电阻具有正温度系数，有利于并联器件时的均流。
2023-07-04 16:46:37
975
X-H工艺制造而成的100V N沟道
功率
MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导
通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14
477
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，
推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道
功率
MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01
368
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅
MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型
MOSFET。针对两种不同的结构，对其导
通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:02
1448
PTS4842 N沟道高
功率
MOSFET规格书 PTS4842采用沟槽加工技术设计，实现极低的导
通电阻。并且切换速度快，传输效率提高。这些特征结合在一起，使这种设计成为一种适用于各种DC-DC应用的高效可靠的设备。
2023-06-14 16:55:48
0
【 2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）
推出OptiMOS™ 7 40V
MOSFET系列。作为英飞凌
2023-06-06 11:01:36
1026
今天给大家分享一个infineon的文档《使
用功率
MOSFET进行设计，如何避免常见问题和故障模式》。
2023-06-01 09:27:29
860
同步整流技术就是
用功率
MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即
功率
MOSFET。
2023-05-18 09:10:06
421
。“导
通电阻”和“Qgd”是引起
MOSFET
功率损耗的两项主要参数，但对于普通的
MOSFET而言，由于导
通电阻与芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02
471
MOSFET较小的栅极
电阻可以减少开通损耗吗？栅极
电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
增大
MOSFET栅极
电阻可消除高平震荡，是否栅极
电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极
电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导
通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导
通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06
215
功率
MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
ROHM | 开发出具有业界超低导
通电阻的Nch
MOSFET
2023-05-03 11:31:44
372
今天给兄弟们分享一个infineon的文档《使
用功率
MOSFET进行设计，如何避免常见问题和故障模式》，依然是我觉得比较好的。
2023-04-13 16:02:34
941
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC
MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将
导
通电阻[2]（RonA）降低约20%。
功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
MC100ES
6535数据表
2023-04-04 18:35:06
0
中国上海， 2023 年 3 月 30 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，
推出150V N沟道
功率
MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14
609
MOSFETN CH 250V 9.3A DPAK
2023-03-29 14:06:09
MOSFETNCH300V19AD2PAK
2023-03-29 10:48:54
MOSFETN CH 300V 19A D2PAK
2023-03-29 10:48:54
MOSFETN CH 250V 9.3A DPAK
2023-03-29 10:43:48
R
6535ENZ4C13
2023-03-28 14:46:50
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