俄勒冈州威尔逊维尔，2016 年 3 月 11 日—MentorGraphics公司（纳斯达克代码：MENT）今日宣布，与三星电子合作，为三星代工厂的10 纳米 FinFET 工艺提供各种设计、验证、测试工具及流程的优化。其中包括 Calibre® 物理验证套件、Mentor®AnalogFastSPICE™ （AFS™） 平台、Olympus-SoC™ 数字设计平台和Tessent® 测试产品套件。这些工具经过优化和认证，使系统芯片（SoC） 设计工程师快速适应三星代工厂先进的 10 纳米工艺，并且对第一次试产就能成功有极大信心。
设计风格和制造工艺之间的相互作用在 10 纳米会变得更为重要，因此可制造性设计（DFM） 工具在验证流程中发挥关键作用。三星代工厂已对 Calibre YieldEnhancer 产品，特别是其 SmartFill 和 ECO/Timing-Aware Fill 功能进行认证，帮助设计工程师在多次更改设计的情况下，仍能满足制造工艺平坦化要求，赶上交付制造期限。为了帮助设计工程师发现和解决潜在的微影相关问题，三星支持 Calibre LFD™ 工具的使用，该工具是基于 Mentor 的工艺process-window modeling、光罩合成、光学邻近效应修正 （OPC） 和分辨率增强 （RET） 的量产制造方案。
由于设计团队可同时处理多个 DFM 元素，他们可使用建在 Calibre Yield Analyzer 工具上的三星 DFM 评分和分析解决方案以简化决策权衡流程。最后为把制造结果快速反馈到客户设计流程中，三星支持使用 Calibre Pattern Matching 作为识别造成低良率的图形并予以修正的解决方案。
在物理验证方面，Calibre nmDRC™ 平台经认证可用于 10 纳米工艺，并成为三星研发、IP 验证和无晶圆厂客户设计交付的生态系统中标准的验收签核方案。此新闻稿的发布标志了三星使用 Calibre Multi-Patterning 作为三重曝光和四重曝光的制造工艺在多年的合作后取得了成功。
三星代工厂已确认 Calibre xACT™ 能够在 10 纳米中提供高精度和高性能的寄生参数提取。Calibre xACT 工具使用集成的场求解器（field solver）来计算复杂三维 FinFET 结构的寄生参数。它通过高度可扩展的平行处理方法进行性能优化。
其他认证则有助于 SoC 设计工程师进行电路验证、物理应用和 IC 测试。例如，AFS 平台得到三星 10 纳米工艺组件模型和设计套件的认证。共同的客户使用 AFS，为vwin 、射频、混合信号、存储器和全定制化数字电路的验证，提供比传统 SPICE仿真器更快的纳米级的 SPICE 精确度。
Olympus-SoC 布局和布线平台也已经过认证，可用于 10 纳米工艺，具有全面的着色设计方法，包括底层规划、布局、寄生参数抽取、布线和芯片完成要求。为了解决 FinFET 制造工艺中的特殊挑战，该平台支持 M1 三重曝光、色移（color shifting）、非一致布线通道、光罩和宽度依赖间距规则以及其他新增功能。有多个共同客户正在使用该工具进行设计。
在测试方面，Mentor 和三星已展开合作，使 Tessent 测试产品套件可为新单元结构提供 10 纳米级更佳的测试质量，同时为更大规模的 10 纳米设计测试提供更高的测试图形压缩率进而控制成本。两家公司还利用生产测试诊断来快速识别和消除设计试产扩量阶段出现的特定于设计和影响良率的单元特征。
“我们与三星代工厂的合作远非仅仅是将这一先进的工艺带给我们共同的客户，”Mentor Graphics Design to Silicon部门副总裁兼总经理Joe Sawicki说道，“该整合解决方案贯穿于设计验证、制造和测试中，为无晶圆公司和三星代工厂之间建立起了高度整合的桥梁。”
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