N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N 沟道耗尽型MOSFET 的结构示意图如图4-4a所示。耗尽型MOSFET 的符号如图4-4b 所示。N 沟道耗尽型MOSFET 的结构与增强型MOSFET 结构相似，不同之处在于N 沟道耗尽型MOSFET 在制造过程中在栅源之间的SiO2中注入一些离子(图中4-9中用“＋”表示)，使漏源之间的导电沟道在Ugs=0 时导电沟道就已经存在了，这一沟道称为初始沟道。因此称为N沟道耗尽型MOSFET。由于Ugs=0 时就存在初始导电沟道，所以只要加上Uds就能形成漏极电流Id 。
2) N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线
N 沟道耗尽型MOSFET的漏极电流可近似表示为
式中。Idss是Ugs=0时的漏极电流。
表4-1 各种场效应管特性比较