DS1210非易失控制器芯片是CMOS电路，解决了转换成非易失性内存的CMOS RAM中的应用问题。输入电源监测容忍条件。当检测到这样的情况下，芯片使能抑制实现写保护和电池提供不间断电源的RAM接通。特殊的电路采用低泄漏CMOS能提供精确的电压检测，在极低的电池消耗量的过程。8引脚DIP封装，保持PC板房地产需求到最低限度。DS1210非易失控制器芯片的CMOS记忆体和电池相结合，可以实现非易失性RAM操作。
关键特性
皈依的CMOS公羊到非易失性存储器
无条件写保护当V CC是容错
自动切换到电池电源故障发生时
节省空间的8引脚PDIP或16引脚SO封装
功耗小于电池电流为100nA
测试电池的状况上电
提供冗余电池
可选5%或10%的电源故障检测
低正向压降的V CC交换机
可选的工业(N)的温度范围为-40°C至+85°C间
