而同一晶面在不同的腐蚀剂中腐蚀，位错坑的形态也不完全一样;甚至腐蚀长短也影响到位错坑的形态。比如在非择优腐蚀剂（如Dash腐蚀剂）情况下硅单晶《111》面位错坑为圆形的凹坑;在晶向择优腐蚀剂中硅单晶《111）面位错呈三角形锥体，这是由于择优腐蚀剂在晶体中的各个方向的腐蚀速度不同所造成的。如图4、图5所示，硅单晶《111》在被不同的腐蚀液腐蚀后显示出不同的形状。
2.2 缺陷对杂质的吸收
位错是一种线状的高应力区，有吸收杂质原子的能力，引起沿位错线的局部地区杂质浓度增加。这种作用将严重影响到器件工艺的控制，并从而影响到器件性能和成品率的提高等。
从以上两幅图中可以明显的看到，缺陷存在的地方，有明显的金属色，这是吸收了金属杂质的缘故。这两张图片很好的说明了缺陷对杂质的吸收作用。