2.3 缺陷的分布规律
在实验中拍摄到下面一组图片
在硅片的边缘观察到了大量的缺陷，如图8，在硅片的中心则观察到少量的缺陷，如图9，这反应出了单晶硅缺陷分布的规律，即：中心缺陷的尺寸大，密度少;边缘缺陷的尺寸小，密度大。
3 结论
应用化学腐蚀硅片然后在金相显微镜下观察，可以对硅片的缺陷做有效的观察。为了得到清晰的图象，选择金相放大400倍最为合适。而化学腐蚀剂的选择应该根据不同的半导体材料及其晶体学属性而定，其中Dash试剂对硅片各向都有良好的腐蚀效果，在简单实验条件下对位错仍然有良好的腐蚀放大效果。在实验过程中我们用常规的化学腐蚀法，显示了单晶硅中的各种典型缺陷，验证了缺陷对杂质的吸收作用，还发现了缺陷分布的规律性，即：中心缺陷的尺寸大，密度少;边缘缺陷的尺寸小，密度大。